세계의 극자외선(EUV) 리소그래피 시장 (~2032년) : 0.33 NA EUV 시스템(NXE), 0.55 NA EUV 시스템(EXE)

■ 영문 제목 : Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography Market by Component (Light Sources, Optics, Masks), System Type (0.33 NA EUV System (NXE), 0.55 NA EUV System (EXE)), Integrated Device Manufacturers, Foundries, Logic Chips, Memory Chips - Global Forecast to 2032

MarketsandMarkets가 발행한 조사보고서이며, 코드는 SE 6398 입니다.■ 상품코드 : SE 6398
■ 조사/발행회사 : MarketsandMarkets
■ 발행일 : 2026년 2월
■ 페이지수 : 206
■ 작성언어 : 영문
■ 보고서 형태 : PDF
■ 납품 방식 : Email (주문후 24시간내 납품)
■ 조사대상 지역 : 글로벌
■ 산업 분야 : 반도체&전자
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■ 보고서 개요

극자외선(EUV) 리소그래피 시장은 2026년 158억 4천만 달러에서 2032년 303억 6천만 달러로 연평균 복합 성장률(CAGR) 11.4%를 기록하며 성장할 것으로 전망됩니다. 7nm, 5nm 및 차세대 기술을 포함한 최첨단 파운드리 노드로의 가속화된 전환은 전 세계 반도체 산업 전반에 걸친 EUV 리소그래피 채택의 핵심 동인이다. 기존 광학 리소그래피 방식이 10nm 미만 기하 구조에서 해상도와 패턴 충실도에 근본적인 한계에 직면함에 따라, EUV 리소그래피는 더 정밀한 특징, 더 좁은 피치 및 점점 더 복잡해지는 소자 구조 구현에 필수불가결한 기술이 되었다.

■ 보고서 목차

주요 내용

아시아 태평양 지역은 2025년 시장 점유율의 85.8%를 차지했습니다.

구성 요소별로는 광원이 2025년 53.4%로 가장 큰 시장 점유율을 기록했습니다.

시스템 유형별로는 0.55 NA EUV 시스템이 예측 기간 동안 28.0%의 가장 높은 연평균 복합 성장률(CAGR)을 보일 것으로 예상됩니다.

최종 사용자별로는 파운드리 업체가 예측 기간 동안 극자외선(EUV) 리소그래피 시장에서 상당한 연평균 복합 성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상됩니다.

ASML, KLA Corporation, ZEISS Group, Lasertec Corporation, TRUMPF, AGC Inc.는 강력한 시장 점유율, 시스템 및 부품 포트폴리오를 바탕으로 극자외선(EUV) 리소그래피 시장의 주요 기업으로 확인되었습니다.

Energetiq, Imagine Optic, EUV Tech, MLOPTIC Corporation과 같은 스타트업들은 전문 부품 및 하위 시스템 공급업체로서 극자외선(EUV) 리소그래피 시장에서 주목받고 있습니다. 이들의 성장은 차세대 반도체 제조에 필수적인 고정밀 EUV 광원, 파면 감지 솔루션, 다층 미러, 광학 계측, 고급 진단 부품에 대한 수요 증가에 힘입고 있습니다. 또한 데이터 분석, AI 기반 공정 모니터링, 실시간 시스템 진단 기술의 통합으로 첨단 EUV 리소그래피 플랫폼 전반에 걸쳐 장비 성능, 가동 시간 및 수율 최적화가 향상되고 있습니다.

극자외선(EUV) 리소그래피 시장은 데이터 기반 기술, 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션의 도입에 힘입어 더욱 진보적이고 효율적인 반도체 솔루션에 대한 수요를 촉진하고 있습니다. 산업계가 의사 결정 및 운영 효율성 향상을 위해 데이터 분석, AI, 머신 러닝(ML)에 점점 더 의존함에 따라 고밀도, 고성능 집적 회로(IC)에 대한 수요가 증가하고 있습니다. EUV 리소그래피는 이러한 수요의 핵심으로, 이러한 첨단 기술을 지원하기 위해 필요한 계산 능력과 에너지 효율성을 제공하는 반도체 생산을 가능하게 합니다.

고객의 고객에게 영향을 미치는 트렌드 및 파괴적 변화

이 트렌드 파괴적 영향은 리소그래피 기술의 수익 구성 변화, 즉 광학 및 DUV 리소그래피를 포함한 기존 기술에서 미래 성장을 주도하는 EUV 리소그래피로의 전환을 보여줍니다. 이러한 전환은 소형화 및 효율성 증대라는 산업 요구를 충족시키기 위한 첨단 반도체 노드(예: 3nm, 5nm, 7nm, 13.5nm)에 대한 수요 증가에 의해 주도되고 있습니다.

파운드리 및 IDM과 같은 주요 고객사들은 반도체 생산 역량 강화를 위해 EUV 리소그래피를 도입하고 있으며, 이는 기술 발전이 기존 비즈니스 모델을 어떻게 파괴하고 미래 전략을 형성하는지를 반영합니다.

시장 생태계

EUV 리소그래피 생태계는 시스템 제조사, 부품 공급업체, 반도체 생산사가 긴밀히 연계된 네트워크로 구성되어 첨단 칩 제조를 가능케 합니다. 시스템 통합업체는 완전한 EUV 노광 장비를 제공하며, 부품 제조사는 핵심 광학 장치, 광원, 마스크, 계측 및 검사 솔루션을 공급합니다. 통합 장치 제조업체(IDM) 및 파운드리 업체를 포함한 최종 사용자는 이 생태계를 통해 첨단 기술 노드에서 더 작고 빠르며 효율적인 칩을 생산합니다. 장비 성능, 생산 안정성 및 확장 가능한 반도체 제조를 보장하기 위해서는 생태계 전반에 걸친 강력한 협조가 필수적입니다.

지역

아시아 태평양 지역, 예측 기간 동안 극자외선(EUV) 리소그래피 시장에서 가장 빠르게 성장할 전망

아시아 태평양 지역은 대만, 한국, 중국, 일본 등 국가에서 첨단 반도체 제조의 급속한 확장에 힘입어 극자외선(EUV) 리소그래피 시장에서 가장 빠른 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 주요 파운드리 업체들의 5nm 이하 및 차세대 노드 구현을 위한 상당한 자본 투자, AI 및 고성능 컴퓨팅 칩에 대한 수요 증가, 그리고 정부의 지원 정책이 종합적으로 작용하여 해당 지역에서 EUV 기술의 채택을 가속화하고 있습니다.

극자외선(EUV) 리소그래피 시장 규모, 점유율 및 동향: 기업 평가 매트릭스

EUV 리소그래피 시장 생태계에서 ASML(스타 플레이어)은 풀스케일 EUV 리소그래피 시스템의 유일한 공급업체로서 독점적 지위를 바탕으로 압도적인 시장 점유율로 선두를 달리고 있습니다. 이 회사는 심층적인 시스템 통합 전문성, 주요 파운드리 및 IDM과의 강력한 고객 락인, 그리고 노광 장비, 업그레이드 및 장기 서비스 지원을 포괄하는 포괄적인 포트폴리오의 혜택을 받고 있습니다. NTT 어드밴스드 테크놀로지(NTT Advanced Technology Corporation, 신흥 리더)는 광학 관련 기술, 검사 및 측정 부품과 같은 전문 솔루션을 제공하며 핵심 EUV 부품 공급업체로서 입지를 강화하고 있습니다. 고정밀 EUV 하위 시스템 공급에서의 역할 확대는 첨단 제조 수요를 지원하며, 시장 리더에 비해 집중적이면서도 확장되는 영향력을 보여줍니다.

주요 시장 플레이어

  • ASML (네덜란드)
  • KLA Corporation (미국)
  • ZEISS Group (독일)
  • TRUMPF (독일)
  • AGC Inc. (일본)
  • Lasertec Corporation (일본)
  • HOYA Corporation (일본)
  • Applied Materials, Inc. (미국)
  • Ushio Inc. (일본)
  • NTT Advanced Technology Corporation (일본)
  • ADVANTEST CORPORATION (일본)
  • 수스 마이크로텍 SE (독일)
  • 리가쿠 홀딩스 (일본)
  • 텍스센드 포토마스크 (일본)
  • 어드밴테스트 (일본)

최근 동향

    2025년 10월 : 라세르텍은 차세대 반도체 포토마스크 및 마스크 블랭크 품질 관리를 위해 설계된 ACTIS A200HiT 시리즈를 출시했습니다. 이 제품의 출시는 특히 EUV 및 고 NA 공정으로의 전환에 의해 주도되는 첨단 리소그래피 검사에 대한 업계의 증가하는 수요를 충족시키기 위한 회사의 노력을 반영합니다. 이번 출시를 통해 Lasertec은 고정밀 검사 장비의 선도적인 공급업체로서의 입지를 강화하고, 포토마스크/마스크 블랭크의 결함 탐지 능력을 향상시키며, 칩 특징 크기가 축소되고 복잡성이 증가함에 따라 글로벌 반도체 제조업체들이 수율 및 품질 기준을 유지할 수 있도록 지원할 계획입니다.2025년 9월 : ZEISS 반도체 제조 기술(SMT)은 저NA 및 고NA EUV 리소그래피를 모두 지원하도록 설계된 차세대 공중 이미지 측정 시스템인 AIMS EUV 3.0을 출시했습니다. 이 새로운 플랫폼은 마스크 검증 생산성을 획기적으로 개선하여 이전 버전 대비 최대 3배 높은 처리량을 제공하면서도 높은 가동률, 성능 안정성 및 비용 효율적인 운영을 유지합니다. 이미 주요 반도체 제조업체에 도입된 AIMS EUV 3.0은 차세대 EUV 리소그래피 공정에 필수적인 정확한 마스크-웨이퍼 이미징 조건을 구현합니다.2025년 7월 : Lasertec Corporation은 차세대 EUV 탄소 나노튜브 펠리클의 입자를 검출 및 분류하도록 설계된 고급 검사 시스템인 EPM200을 출시했습니다. 이 제품은 결함이 필릭의 앞면 또는 뒷면에 있는지 식별하는 획기적인 기능을 도입하여 필릭 제조업체와 장치 제조업체의 품질 관리를 강화합니다. 이 제품은 마스크, 마스크 블랭크 및 필릭에 걸친 Lasertec의 포괄적인 EUV 검사 포트폴리오를 더욱 강화합니다.2025년 3월 : ASML과 imec은 유럽 내에서 반도체 연구를 발전시키고 지속 가능한 혁신을 추진하기 위한 다년간의 전략적 파트너십을 체결했습니다. 이 협력은 공동 R&D 이니셔티브, 파일럿 생산 라인 공유 접근, 그리고 0.55 NA EUV, 0.33 NA EUV, DUV 침지, YieldStar 광학 계측, HMI 단일 및 다중 빔 기술을 포함한 ASML의 전체 기술 포트폴리오에 걸친 심층적 통합을 포괄하여 기술 성숙도를 가속화하고 보다 지속 가능한 제조 관행을 촉진합니다.

  • 2025년 3월 : ZEISS와 imec은 차세대 반도체 연구 및 제조를 추진하기 위해 협력을 2029년까지 연장하는 새로운 전략적 파트너십 계약을 체결했습니다. 이 계약에 따라 ZEISS는 ASML 스캐너에 사용되는 고정밀 리소그래피 광학 장비를 공급하고 첨단 공정 개발, 검사 및 측정 방법에 대한 협력을 통해 2nm 미만 기술에 중점을 둔 최첨단 시설인 imec의 새로운 NanoIC 파일럿 라인을 지원할 예정입니다. 이 파트너십의 핵심 목표는 고 NA EUV 리소그래피를 발전시키고 개선하여 더 강력하고 효율적이며 소형화된 마이크로칩 생산을 가능하게 하고, 유럽 칩 법안(European Chips Act)과 같은 이니셔티브를 통해 유럽의 경쟁력을 강화하는 것입니다.

1    서론    20
1.1    연구 목적    20
1.2    시장 정의    20
1.3    연구 범위    21
1.3.1    대상 시장 및 지역 범위    21
1.3.2    포함 및 제외 사항    22
1.3.3    고려된 연도    22
1.4    고려된 통화    23
1.5    고려된 단위    23
1.6    제한 사항    23
1.7    이해 관계자    23
1.8    변경 사항 요약    24
2    요약    25
2.1    시장 하이라이트 및 주요 통찰력    25
2.2    주요 시장 참여자: 전략적 발전 현황 분석    26
2.3    극자외선(EUV) 리소그래피 시장의 파괴적 트렌드    27
2.4    고성장 세그먼트    28
2.5    지역별 개요: 시장 규모, 성장률 및 전망    29
3    프리미엄 인사이트    30
3.1    극자외선(EUV) 리소그래피 시장의 매력적인 기회    30
3.2    극자외선(EUV) 리소그래피 시장, 최종 사용자별
31
3.3    응용 분야별 극자외선(EUV) 리소그래피 시장    31
3.4    지역별 극자외선(EUV) 리소그래피 시장    32
4    시장 개요    33
4.1    소개    33
4.2    시장 역학    33
4.2.1    추진 요인    34
4.2.1.1    최첨단 파운드리 노드 전반에 걸친 EUV 리소그래피의 급증하는 배포    34
4.2.1.2    HPC 시스템에서 AI 가속기 및 딥 러닝 프로세서의 사용 증가    34
4.2.1.3    집적 회로의 복잡성 증가    35
4.2.1.4    소비자 가전 제품의 급속한 발전    35
4.2.2    제약 요인    36
4.2.2.1    높은 초기 자본 투자    36
4.2.2.2    선진 인프라 및 숙련된 인력에 대한 요구    37
4.2.3    기회 38
4.2.3.1    첨단 EUV 리소그래피 및 반도체 장치에 대한 투자 증가    38
4.2.3.2    EUV 리소그래피의 신흥 응용 분야    38
4.2.3.3    메모리 모듈 및 칩의 발전    39
4.2.3.4    첨단 디스플레이 제조에 EUV 리소그래피 통합    39
4.2.3.5    광학 및 광학 제품 생산에 첨단 패터닝 기술 적용    40
4.2.3.6    고 NA EUV 리소그래피의 상용화    40
4.2.4    도전 과제    41
4.2.4.1    대체 리소그래피 기술과의 경쟁    41
4.2.4.2    높은 소스 출력 및 생산성 유지의 어려움    42
4.2.4.3    마스크 결함 및 수율 관련 문제의 탐지 및 해결    42
5    산업 동향    44
5.1    소개    44
5.2    포터의 5가지 경쟁 요인 분석    44
5.2.1    경쟁적 대립의 강도    45
5.2.2    신규 진입자의 위협    45
5.2.3    대체재의 위협    45
5.2.4    구매자의 협상력    45
5.2.5    공급자의 협상력    46
5.3    거시경제 전망    46
5.3.1    서론    46
5.3.2    GDP 동향 및 전망    46
5.3.3    파운드리 동향    48
5.3.4    통합 장치 제조업체(IDM) 동향    48
5.4    가치 사슬 분석    48
5.4.1    R&D 엔지니어    49
5.4.2    원자재 공급업체 및 부품 제조업체    49
5.4.3    시스템 통합업체 및 제조업체    49
5.4.4    마케팅 및 영업 서비스 제공업체    50
5.4.5    최종 사용자    50
5.5    생태계 분석    50
5.6    가격 분석    51
5.6.1    주요 업체별 EUV 리소그래피 시스템 유형의 평균 판매 가격 추세,
2021–2025    52
5.6.2    지역별 EUV 리소그래피 시스템의 평균 판매 가격 추세, 2021–2025 53
5.7    무역 분석    53
5.7.1    수입 시나리오 (HS 코드 8442)    54
5.7.2    수출 시나리오 (HS 코드 8442)    55
5.8    주요 컨퍼런스 및 행사, 2026–2027    56
5.9    고객 비즈니스에 영향을 미치는 동향/파괴적 변화    57
5.10    투자 및 자금 조달 시나리오 58
5.11    사례 연구 분석    58
5.11.1    인텔, 공급망 재편을 위한 고성능 EUV 리소그래피 장비 독점 확보    58
5.11.2    TSMC, 생산 능력 증대를 위한 EUV 리소그래피 시스템 도입 58
5.11.3    삼성전자, EUV 리소그래피 활용 3nm GAA 생산 기술 발전    59
5.12    2025년 미국 관세가 극자외선(EUV) 리소그래피 시장에 미치는 영향    59
5.12.1    소개    59
5.12.2    주요 관세율    60
5.12.3    가격 영향 분석    61
5.12.4    국가/지역별 영향    62
5.12.4.1    미국    62
5.12.4.2    유럽    62
5.12.4.3    아시아 태평양    63
5.12.5    최종 사용자 영향    63
6    기술 발전, AI 주도 영향, 특허 및 혁신    64
6.1    기술 분석    64
6.1.1    주요 신기술    64
6.1.1    주요 신흥 기술    64
6.1.1.1    고 NA EUV 리소그래피 기술    64
6.1.1.2    고급 EUV 레지스트 및 패터닝 재료    64
6.1.2    보완 기술    64
6.1.2.1    마스크 펠리클 64
6.1.2.2    플라즈마 생성    65
6.1.3    인접 기술    65
6.1.3.1    극자외선 반사계측법(EUVR)    65
6.1.3.2    원자층 증착(ALD)    66
6.2    기술/제품 로드맵 66
6.2.1    단기(2025–2027): 생산성 최적화 및 첨단 노드 스케일링    66
6.2.2    중기(2027–2030): 고NA EUV 상용화 및 공정 성숙도 67
6.2.3    장기(2030–2035+): 완전한 고-NA 배포 및 차세대 리소그래피 통합    68
6.3    특허 분석    69
6.4    EUV 리소그래피에 대한 AI의 영향    71
6.4.1 주요 사용 사례 및 시장 잠재력    72
6.4.2    극자외선(EUV) 리소그래피 시장의 모범 사례    72
6.4.3    극자외선(EUV) 리소그래피 시장에 AI를 도입한 사례 연구    73
6.4.4    상호 연결된/인접한 생태계 및 시장 참여자에 대한 영향    73
6.4.5    극자외선(EUV) 리소그래피 시장에서 AI 도입에 대한 고객의 준비 상태    73
7    규제 환경    74
7.1    소개    74
7.2    규제 기관, 정부 기관 및 기타 조직    74
7.3    규제    75
7.4    표준    76
7.4.1    SEMI 표준 76
7.4.2    ISO 및 IEC 전기, 기계 및 안전 표준    76
7.4.3    ISO 9001:2015 품질 경영 시스템 표준    76
7.4.4    ISO 14001 환경 경영 표준    76
7.4.5    ROHS 및 REACH 준수 표준    76
7.4.6    사이버 보안 및 데이터 무결성 표준    76
7.5    정부 규정    77
7.5.1    미국    77
7.5.2    유럽    77
7.5.3    중국    77
7.5.4    일본    77
7.5.5    인도    77
7.6    지속가능성 영향 및 규제 정책 이니셔티브    78
7.7    인증, 라벨링 및 환경 기준    78
8    고객 환경 및 구매자 행동    80
8.1    의사 결정 과정    80
8.2    주요 이해 관계자 및 구매 기준    82
8.2.1    구매 과정의 주요 이해 관계자    82
8.2.2    구매 기준 82
8.3    도입 장벽 및 내부적 과제    83
8.4    다양한 최종 사용자의 충족되지 않은 요구    84
8.5    시장 수익성    85
9    극자외선(EUV) 리소그래피 기술의 적용 분야    86
9.1    개요    86
9.1    소개    86
9.2    7 나노미터    86
9.3    5 나노미터    86
9.4    3 나노미터    87
9.5    2 나노미터    87
9.6    2 나노미터 미만    87
10    극자외선(EUV) 리소그래피 시장, 구성 요소별 88
10.1    소개    89
10.2    광원    90
10.2.1    반도체 정밀도 및 처리량 향상에 대한 관심 증가로 수요 촉진    90
10.3    광학    91
10.3.1    세그먼트 성장을 뒷받침하기 위한 고수차(HIGH-NA) EUV 시스템에 대한 수요 증가    91
10.4    마스크    91
10.4.1    EUV 마스크 생산에서 공정 효율성과 지속 가능성에 대한 강조가 증가하여 부문 성장에 기여할 전망    91
10.5    기타 구성 요소    92
11    시스템 유형별 극자외선(EUV) 리소그래피 시장 93
11.1    소개    94
11.2    0.33 NA EUV 시스템(NXE)    96
11.2.1    수요를 촉진할 비용 효율성 및 신뢰성    96
11.3    0.55 NA EUV 시스템 (EXE)    96
11.3.1    선진 로직, 메모리 및 AI 칩의 수율 향상 능력으로 시장 주도    96
12    최종 사용자별 극자외선(EUV) 리소그래피 시장    97
12.1    소개    98
12.2    통합 장치 제조업체(IDMS)    99
12.2.1    시장 성장을 촉진하기 위한 첨단 및 에너지 효율적인 마이크로칩의 혁신    99
12.3    파운드리    101
12.3.1 세그먼트 성장을 지원하기 위한 대량 반도체 제조에 대한 강력한 집중    101
13    응용 분야별 극자외선(EUV) 리소그래피 시장    104
13.1    소개    105
13.2    논리 칩 106
13.2.1    EUV 리소그래피 수요를 촉진하는 로직 디바이스의 복잡성 및 비용 증가    106
13.2.2    CPU    106
13.2.3    GPU    106
13.2.4    AI 가속기    107
13.2.5    SOC    107
13.2.6    ASIC    107
13.3    메모리 칩    107
13.3.1    인공 지능, 클라우드 컴퓨팅 및 고성능 애플리케이션에 대한 수요 증가로 인한 기회 창출    107
13.3.2    DRAM    107
13.3.3    HBM    108
14    지역별 극자외선(EUV) 리소그래피 시장    109
14.1    소개    110
14.2    미주    111
14.2.1    시장을 부양할 고성능, 에너지 효율적인 반도체 솔루션에 대한 수요 증가    111
14.3    EMEA 113
14.3.1    극자외선(EUV) 리소그래피의 초기 상용화로 성장 기회 창출    113
14.4    아시아 태평양    115
14.4.1    중국    117
14.4.1.1    시장을 주도할 국내 반도체 생산 능력 구축 및 기술 현지화    117
14.4.2    일본    118
14.4.2.1 선도적인 기술 공급업체의 존재가 시장 성장에 기여할 전망    118
14.4.3    대한민국    118
14.4.3.1    메모리 및 로직 반도체 제조 분야에서 강력한 글로벌 입지를 바탕으로 시장 성장 촉진    118
14.4.4    대만    119
14.4.4.1    친환경 EUV 시스템 부품에 대한 상당한 투자가 시장 성장 촉진 119
14.4.5    기타 아시아 태평양 지역    120
15    경쟁 환경    121
15.1    개요    121
15.2    주요 업체 경쟁 전략/승리 요인, 2024–2025    121
15.3 매출 분석, 2021–2025    123
15.4    시장 점유율 분석, 2025    123
15.5    기업 가치 평가 및 재무 지표    125
15.5.1    기업 가치 평가    125
15.5.2 재무 지표    125
15.6    제품 비교    126
15.7    기업 평가 매트릭스: 주요 기업, 2025    127
15.7.1    스타 기업    127
15.7.2    신흥 선도 기업    127
15.7.3    퍼베이시브 플레이어    127
15.7.4    참가자    127
15.7.5    기업 발자국: 주요 기업, 2025    129
15.7.5.1    기업 발자국    129
15.7.5.2    지역별 영향력    130
15.7.5.3    최종 사용자 영향력    131
15.7.5.4    구성 요소 영향력    132
15.8    기업 평가 매트릭스: 스타트업/중소기업, 2025    132
15.8.1    진보적인 기업 132
15.8.2    대응형 기업    133
15.8.3    역동적 기업    133
15.8.4    출발 단계 기업    133
15.8.5    경쟁 벤치마킹: 스타트업/중소기업, 2025    134
15.8.5.1    주요 스타트업/중소기업 상세 목록    134
15.8.5.2    주요 스타트업/중소기업 경쟁 벤치마킹    134
15.9    경쟁 시나리오    135
15.9.1    제품 출시    135
15.9.2    거래    137
16    기업 프로필    138
16.1    소개    138
16.2    주요 시스템 제조업체    138
16.2.1    ASML    138
16.2.1.1    사업 개요    138
16.2.1.2    제공 제품/솔루션/서비스    140
16.2.1.3    최근 동향    141
16.2.1.3.1    거래    141
16.2.1.4    MnM 견해    141
16.2.1.4.1    주요 강점/승리 요인    141
16.2.1.4.2    전략적 선택    141
16.2.1.4.3    약점/경쟁 위협    141
16.3    주요 부품 제조업체    142
16.3.1    광원 제조업체    142
16.3.1.1    TRUMPF    142
16.3.1.1.1    사업 개요 142
16.3.1.1.2    제공 제품/솔루션/서비스    144
16.3.1.1.3    MnM 관점    144
16.3.1.1.3.1    주요 강점/승리 요인    144
16.3.1.1.3.2    전략적 선택    144
16.3.1.1.3.3    약점/경쟁 위협    144
16.3.1.2    우시오 주식회사    145
16.3.1.2.1    사업 개요    145
16.3.1.2.2    제공 제품/솔루션/서비스    146
16.3.1.2.3    MnM 견해    147
16.3.1.2.3.1    주요 강점/승리 요인    147
16.3.1.2.3.2 전략적 선택    147
16.3.1.2.3.3    약점/경쟁 위협    147
16.3.1.3    Energetiq    148
16.3.1.3.1    사업 개요    148
16.3.1.3.2    제공 제품/솔루션/서비스    148
16.3.1.3.3    최근 발전 상황    149
16.3.1.3.3.1    제품 출시    149
16.3.1.3.4    MnM 견해    149
16.3.1.3.4.1    주요 강점/승리 요인    149
16.3.1.3.4.2    전략적 선택    150
16.3.1.3.4.3    약점/경쟁 위협    150
16.3.2    광학 제조업체    151
16.3.2.1    ZEISS 그룹    151
16.3.2.1.1    사업 개요 151
16.3.2.1.2    제공 제품/솔루션/서비스    153
16.3.2.1.3    최근 동향    154
16.3.2.1.3.1    제품 출시    154
16.3.2.1.3.2    거래    154
16.3.2.2 NTT 어드밴스드 테크놀로지 코퍼레이션    155
16.3.2.2.1    사업 개요    155
16.3.2.2.2    제공 제품/솔루션/서비스    156
16.3.2.3    리가쿠 홀딩스 코퍼레이션    157
16.3.2.3.1    사업 개요    157
16.3.2.3.2    제공 제품/솔루션/서비스    158
16.3.2.4    Edmund Optics Inc.    159
16.3.2.4.1    사업 개요    159
16.3.2.4.2    제공 제품/솔루션/서비스    160
16.3.3 마스크 제조업체    161
16.3.3.1    AGC Inc.    161
16.3.3.1.1    사업 개요    161
16.3.3.1.2    제공 제품/솔루션/서비스    162
16.3.3.2    Tekscend Photomask    163
16.3.3.2.1    사업 개요    163
16.3.3.2.2    제공 제품/솔루션/서비스    164
16.3.3.3    Lasertec Corporation    165
16.3.3.3.1    사업 개요    165
16.3.3.3.2    제공 제품/솔루션/서비스    167
16.3.3.3.3    최근 개발 동향    169
16.3.3.3.3.1    제품 출시    169
16.3.3.4    HOYA Corporation    170
16.3.3.4.1    사업 개요    170
16.3.3.4.2    제공 제품/솔루션/서비스    172
16.3.3.5    NuFlare Technology Inc.    173
16.3.3.5.1    사업 개요    173
16.3.3.5.2    제공 제품/솔루션/서비스    173
16.3.4 기타 부품 제조업체    174
16.3.4.1    KLA Corporation    174
16.3.4.2    ADVANTEST CORPORATION    175
16.3.4.3    SUSS MicroTec SE    176
16.3.4.4    Applied Materials, Inc.    177
16.3.4.5    Park Systems    178
16.3.4.6    Imagine Optic    179
16.3.4.7    MKS Inc.    180
16.4    최종 사용자    181
16.4.1    대만 반도체 제조 회사 유한 회사 181
16.4.2    인텔 코퍼레이션    182
16.4.3    삼성    183
16.4.4    SK 하이닉스    184
16.4.5    마이크론 테크놀로지    185
17    연구 방법론    186
17.1    연구 데이터    186
17.2    2차 및 1차 연구    187
17.2.1    2차 데이터    189
17.2.1.1    주요 2차 자료 목록    189
17.2.1.2    2차 자료의 주요 데이터    189
17.2.2    1차 데이터    190
17.2.2.1    1차 인터뷰 참여자 목록    190
17.2.2.2    1차 자료의 세부 분류    190
17.2.2.3    1차 자료의 주요 데이터    191
17.2.2.4    주요 산업 통찰력    191
17.3    시장 규모 추정    192
17.3.1    상향식 접근법    192
17.3.1.1    상향식 분석을 통한 시장 규모 도출 접근법
(수요 측면) 193
17.3.2    탑다운 접근법    193
17.3.2.1    탑다운 분석을 통한 시장 규모 산출 접근법
(공급 측면)    193
17.4    기준 연도 시장 규모 추정 194
17.5    시장 예측 접근법    195
17.5.1    공급 측면    195
17.5.2    수요 측면    195
17.6    데이터 삼각측정    196
17.7    연구 가정    197
17.8    연구 한계    197
17.9    위험 분석    198
18    부록    199
18.1    업계 전문가의 통찰력    199
18.2    토론 가이드    199
18.3 KNOWLEDGESTORE: MARKETSANDMARKETS의 구독 포털    202
18.4    맞춤 설정 옵션    204
18.5    관련 보고서    204
18.6    저자 정보    205
※본 조사보고서 [세계의 극자외선(EUV) 리소그래피 시장 (~2032년) : 0.33 NA EUV 시스템(NXE), 0.55 NA EUV 시스템(EXE)] (코드 : SE 6398) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요.
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