| ■ 영문 제목 : Global Silicon Carbide Epitaxial Wafer Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1366 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 97 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (100mm, 150mm, 200mm)와 용도별 시장규모 (600-1200V SiC 장비, 1200-3300V SiC 장비, 3300V 이상 SiC 장비) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장분석 - 종류별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (100mm, 150mm, 200mm) - 용도별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (600-1200V SiC 장비, 1200-3300V SiC 장비, 3300V 이상 SiC 장비) 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장분석 - 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매량 - 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 매출액 - 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매가격 - 주요기업의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매량 2020년-2025년 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 미주의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 미국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 브라질 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 아시아의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 중국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 일본 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 한국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 인도 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 유럽의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 독일 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 영국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 이집트 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 남아프리카 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 중동GCC 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 제조원가 구조 분석 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 제조 프로세스 분석 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 유통업체 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 주요 고객 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장 예측 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 종류별 시장예측 (100mm, 150mm, 200mm) - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 용도별 시장예측 (600-1200V SiC 장비, 1200-3300V SiC 장비, 3300V 이상 SiC 장비) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials(Ascatron), Showa Denko K.K.(NSSMC), Epiworld intenational, SK Siltron(Dupont), TYSiC, STMicroelectronics (Norstel), ROHM (Sicrystal) 조사의 결론 |
Epitaxial Wafer is made by adding multi-micrometer thick single silicon carbide crystal layers on top of a polished wafer. Precise control of thickness, doping (carrier concentration) and defect density is required to enable high yielding power devices from a semiconductor fabrication facility. Silicon Carbide Epitaxial Wafer is a wafer of Silicon Carbide made by epitaxial growth (called epitaxy) for use in making semiconductor and photonic device.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Silicon Carbide Epitaxial Wafer Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Silicon Carbide Epitaxial Wafer sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Silicon Carbide Epitaxial Wafer sales for 2025 through 2031. With Silicon Carbide Epitaxial Wafer sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Silicon Carbide Epitaxial Wafer industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Silicon Carbide Epitaxial Wafer landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Silicon Carbide Epitaxial Wafer portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Silicon Carbide Epitaxial Wafer market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Silicon Carbide Epitaxial Wafer and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Silicon Carbide Epitaxial Wafer.
The global Silicon Carbide Epitaxial Wafer market size is projected to grow from US$ 222.8 million in 2024 to US$ 1703.2 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 1703.2 from 2025 to 2031.
The market for Silicon Carbide Epitaxial Wafer is concentrated with players such as Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials (Ascatron), Showa Denko K.K.(NSSMC), Epiworld intenational, SK Siltron(Dupont), TYSiC, STMicroelectronics (Norstel), ROHM (Sicrystal) and so on. Among them, the top 3 manufacturers which include Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials (Ascatron), Showa Denko K.K.(NSSMC) are the leader with about 71% revenue market share in 2019.
We divide Silicon Carbide Epitaxial Wafer into 100 mm, 150 mm and 200 mm, 150 mm account for more than 60% revenue share in 2019.
600-1200V SiC Devices remains the largest application field, followed by 1200-3300V SiC Devices and above 3300V SiC Devices.
North America is the largest production area, accounting for 53.38% of the total market share. The Asia-Pacific region is expected to grow faster in the future.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Silicon Carbide Epitaxial Wafer market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
100mm
150mm
200mm
Segmentation by application
600-1200V SiC Devices
1200-3300V SiC Devices
Above 3300V SiC Devices
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Cree (Wolfspeed)
II-VI Advanced Materials(Ascatron)
Showa Denko K.K.(NSSMC)
Epiworld intenational
SK Siltron(Dupont)
TYSiC
STMicroelectronics (Norstel)
ROHM (Sicrystal)
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Silicon Carbide Epitaxial Wafer market?
What factors are driving Silicon Carbide Epitaxial Wafer market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Silicon Carbide Epitaxial Wafer market opportunities vary by end market size?
How does Silicon Carbide Epitaxial Wafer break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼는 반도체 산업에서 중요한 역할을 하는 소재로, 특정 전자 장치의 성능을 극대화하기 위해 고도의 기술이 집약된 결과물입니다. 이 웨이퍼는 실리콘 카바이드(SiC)라는 화합물 반도체 위에 얇은 단결정 SiC 층을 성장시켜 만듭니다. 실리콘(Si)에 비해 뛰어난 전기적, 열적, 기계적 특성을 지니고 있어 고전력, 고온, 고주파 등 극한 환경에서 작동하는 반도체 소자에 적합합니다. 실리콘 카바이드 자체는 흑연과 규소의 혼합물을 고온에서 반응시켜 얻어지는 매우 단단하고 열 전도성이 높은 화합물입니다. 이러한 특성 덕분에 SiC는 다이아몬드에 버금가는 경도를 가지며, 높은 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 또한, 실리콘에 비해 훨씬 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가지므로 고전압 애플리케이션에 유리하며, 낮은 온도의 누설 전류(leakage current) 특성으로 인해 전력 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 에피택셜 성장(epitaxial growth)은 기존의 결정 기판 위에 동일한 결정 구조를 가지는 얇은 결정질 박막을 성장시키는 기술입니다. 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 경우, 먼저 단결정 SiC 기판을 준비하고, 이 기판 위에 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)과 같은 에피택셜 성장 공정을 통해 원하는 두께와 조성의 SiC 박막을 성장시킵니다. 이 에피택셜 층은 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 결정성과 전기적 특성을 가지도록 정밀하게 제어됩니다. SiC 에피택셜 웨이퍼의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 높은 항복 전압입니다. SiC는 실리콘에 비해 약 10배 높은 항복 전압을 가지므로, 고전압 스위칭 소자에 사용될 때 더 얇은 절연층으로도 동일한 전압을 견딜 수 있습니다. 이는 소자의 크기를 줄이고 전력 손실을 감소시키는 데 기여합니다. 둘째, 높은 열 전도성입니다. SiC는 실리콘보다 약 3배 높은 열 전도성을 가지고 있어, 소자 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있습니다. 이는 고온에서도 안정적인 동작을 보장하며, 별도의 방열 장치 없이도 고출력을 낼 수 있게 합니다. 셋째, 높은 전자 이동도입니다. 특정 결정 구조에서는 실리콘보다 높은 전자 이동도를 보여 더 빠른 스위칭 속도를 가능하게 합니다. 넷째, 화학적 안정성 및 기계적 강도입니다. SiC는 매우 단단하고 화학적으로 안정적이어서 부식에 강하며, 높은 온도에서도 구조적 변형이 적습니다. SiC 에피택셜 웨이퍼는 다양한 종류로 구분될 수 있습니다. 가장 기본적인 구분은 사용되는 SiC 기판의 폴리타입(polytype)에 따른 것입니다. SiC는 다양한 결정 구조(폴리타입)를 가질 수 있으며, 가장 널리 사용되는 것은 4H-SiC와 6H-SiC입니다. 4H-SiC는 높은 전자 이동도와 우수한 전기적 특성을 제공하여 고주파 및 고효율 전력 소자에 많이 사용됩니다. 6H-SiC는 비교적 오랜 역사와 함께 안정적인 특성을 제공하지만, 4H-SiC에 비해 전자 이동도가 낮습니다. 또한, 에피택셜 층에 도핑되는 불순물의 종류와 농도에 따라 n형 또는 p형 웨이퍼로 구분됩니다. 에피택셜 층의 두께와 조성 또한 특정 소자 설계에 맞게 조절될 수 있으며, 종종 다른 화합물 반도체 층(예: AlGaN)을 추가로 성장시키는 경우도 있습니다. SiC 에피택셜 웨이퍼의 주요 용도는 고전력 및 고주파 전자 소자입니다. 전기 자동차(EV)의 전력 변환 장치(인버터, 컨버터), 고속 열차 및 전력 시스템의 스위칭 소자, 태양광 발전 시스템의 인버터, 레이더 및 통신 시스템의 고주파 증폭기, 그리고 고온 환경에서 작동하는 센서 등에 활용됩니다. 특히, 전기 자동차의 충전 효율을 높이고 주행 거리를 늘리는 데 SiC 전력 반도체가 핵심적인 역할을 하고 있습니다. 기존 실리콘 기반 소자로는 구현하기 어려웠던 고전압, 고온, 고효율 환경에서의 스위칭 성능을 SiC 에피택셜 웨이퍼를 통해 실현할 수 있습니다. SiC 에피택셜 웨이퍼 생산과 관련된 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, 고품질 SiC 기판 성장 기술입니다. SiC 웨이퍼의 성능은 기판의 결정 품질에 크게 좌우되므로, 결함이 적고 균일한 결정성을 가진 대구경 SiC 기판을 성장시키는 기술이 중요합니다. 둘째, SiC 에피택셜 성장 기술입니다. 앞서 언급했듯이, 화학 기상 증착(CVD) 기술을 이용하여 기판 위에 원하는 특성을 가진 SiC 박막을 균일하고 정밀하게 성장시키는 것이 핵심입니다. 온도, 압력, 가스 유량, 성장 시간 등 다양한 공정 변수를 최적화하여 에피택셜 층의 두께, 조성, 도핑 농도, 결정 품질을 제어합니다. 셋째, 표면 처리 및 패터닝 기술입니다. 에피택셜 웨이퍼 위에 트랜지스터나 다이오드와 같은 소자를 형성하기 위해 포토리소그래피, 식각(etching), 증착(deposition) 등의 공정이 사용됩니다. SiC는 매우 단단하기 때문에 이러한 공정들은 실리콘보다 더 정밀하고 까다로운 기술을 요구합니다. 넷째, 테스트 및 검증 기술입니다. 성장된 에피택셜 웨이퍼의 전기적 특성, 결정 품질, 표면 상태 등을 정확하게 측정하고 검증하는 기술 또한 매우 중요합니다. 이를 통해 최종 제품의 성능과 신뢰성을 보장할 수 있습니다. 최근에는 SiC 에피택셜 웨이퍼의 대구경화 및 생산 비용 절감을 위한 연구 개발이 활발히 진행되고 있습니다. 6인치(150mm)에서 8인치(200mm)로 웨이퍼 크기를 확대함으로써 단위 면적당 생산량을 늘리고 제조 단가를 낮추려는 노력이 이루어지고 있으며, 이는 SiC 반도체의 보급 확대를 가속화하는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. 또한, 에피택셜 공정의 효율성을 높이고 결함을 줄이기 위한 새로운 성장 기법 및 장비 개발도 지속적으로 이루어지고 있습니다. 이러한 기술 발전은 SiC 에피택셜 웨이퍼의 성능 향상과 더불어 다양한 산업 분야에서의 적용을 더욱 확대할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1366) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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