| ■ 영문 제목 : Global Radio Frequency Epitaxial Wafers Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1211 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 109 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦4,941,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,411,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (기업 열람용) | USD7,320 ⇒환산￦9,882,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 고주파 에피택셜 웨이퍼의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 고주파 에피택셜 웨이퍼 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 고주파 에피택셜 웨이퍼 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (GaAs, GaN, InP) 시장규모와 용도별 (가전, 전기 자동차, 레이더, 태양 전지, 휴대 전화 기지국, 전차, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장분석 - 종류별 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (GaAs, GaN, InP) - 용도별 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (가전, 전기 자동차, 레이더, 태양 전지, 휴대 전화 기지국, 전차, 기타) 기업별 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장분석 - 기업별 고주파 에피택셜 웨이퍼 판매량 - 기업별 고주파 에피택셜 웨이퍼 매출액 - 기업별 고주파 에피택셜 웨이퍼 판매가격 - 주요기업의 고주파 에피택셜 웨이퍼 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 고주파 에피택셜 웨이퍼 판매량 2020년-2025년 - 지역별 고주파 에피택셜 웨이퍼 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 미주의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 미국 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 브라질 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 중국 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 일본 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 한국 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 인도 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 유럽의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 독일 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 영국 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 이집트 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 남아프리카 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 중동GCC 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 고주파 에피택셜 웨이퍼의 제조원가 구조 분석 - 고주파 에피택셜 웨이퍼의 제조 프로세스 분석 - 고주파 에피택셜 웨이퍼의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 고주파 에피택셜 웨이퍼의 유통업체 - 고주파 에피택셜 웨이퍼의 주요 고객 지역별 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장 예측 - 지역별 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 고주파 에피택셜 웨이퍼의 종류별 시장예측 (GaAs, GaN, InP) - 고주파 에피택셜 웨이퍼의 용도별 시장예측 (가전, 전기 자동차, 레이더, 태양 전지, 휴대 전화 기지국, 전차, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - II-VI Incorporated, Soitec, SCIOCS, NTT-AT, Semiconductor Wafer Inc, IQE, Sumitomo Chemical, AXT, IntelliEPI, Visual Photonics Epitaxy Co.，Ltd 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Radio Frequency Epitaxial Wafers Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Radio Frequency Epitaxial Wafers sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Radio Frequency Epitaxial Wafers sales for 2025 through 2031. With Radio Frequency Epitaxial Wafers sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Radio Frequency Epitaxial Wafers industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Radio Frequency Epitaxial Wafers landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Radio Frequency Epitaxial Wafers portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Radio Frequency Epitaxial Wafers market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Radio Frequency Epitaxial Wafers and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Radio Frequency Epitaxial Wafers.
The global Radio Frequency Epitaxial Wafers market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Radio Frequency Epitaxial Wafers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Radio Frequency Epitaxial Wafers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Radio Frequency Epitaxial Wafers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Radio Frequency Epitaxial Wafers players cover II-VI Incorporated, Soitec, SCIOCS, NTT-AT, Semiconductor Wafer Inc, IQE, Sumitomo Chemical, AXT and IntelliEPI, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Radio Frequency Epitaxial Wafers market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
GaAs
GaN
InP
Segmentation by application
Consumer Electronics
Electric Vehicle
Radar
Solar Battery
Mible Phone Base Stations
Electric Train
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
II-VI Incorporated
Soitec
SCIOCS
NTT-AT
Semiconductor Wafer Inc
IQE
Sumitomo Chemical
AXT
IntelliEPI
Visual Photonics Epitaxy Co.，Ltd
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Radio Frequency Epitaxial Wafers market?
What factors are driving Radio Frequency Epitaxial Wafers market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Radio Frequency Epitaxial Wafers market opportunities vary by end market size?
How does Radio Frequency Epitaxial Wafers break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 고주파 에피택셜 웨이퍼의 이해 고주파 에피택셜 웨이퍼는 라디오 주파수(RF) 대역에서 작동하는 전자 부품의 핵심 소재로 사용되는 특수 반도체 웨이퍼입니다. 일반적인 실리콘 기반의 반도체 웨이퍼와는 달리, 특정 결정 구조와 전기적 특성을 갖도록 정밀하게 제어된 박막을 성장시키는 에피택셜 성장 공정을 통해 제작됩니다. 이러한 에피택셜 레이어는 소자의 성능을 결정짓는 매우 중요한 역할을 수행하며, 고주파 환경에서의 효율적인 신호 처리 및 증폭을 가능하게 합니다. 에피택셜 성장이란, 기존의 웨이퍼(기판) 위에 동일하거나 유사한 결정 구조를 가진 얇은 단결정 박막을 성장시키는 기술입니다. 이 과정에서 성장되는 박막의 두께, 조성, 불순물의 종류와 농도 등을 원자 단위로 정밀하게 제어할 수 있어, 최종적으로 제작되는 소자의 성능을 극대화할 수 있습니다. 특히 고주파 에피택셜 웨이퍼의 경우, 재료 자체의 높은 전자 이동도, 낮은 누설 전류, 높은 항복 전압 등의 특성이 요구되며, 이를 만족시키기 위해 주로 화합물 반도체 소재들이 활용됩니다. 고주파 에피택셜 웨이퍼에 사용되는 주요 소재로는 질화갈륨(GaN)과 비화갈륨(GaAs)이 대표적입니다. 질화갈륨(GaN)은 실리콘 카바이드(SiC)나 사파이어 기판 위에 성장되는 경우가 많으며, 높은 항복 전압과 우수한 열전도성, 높은 전자 이동도를 특징으로 합니다. 이러한 특성 덕분에 GaN 기반 에피택셜 웨이퍼는 고출력, 고주파 증폭기, 전력 스위칭 소자 등에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 특히 5G 통신, 위성 통신, 레이더 시스템 등 높은 주파수 대역에서 발생하는 높은 전력 요구 사항을 충족시키는 데 핵심적인 역할을 합니다. 비화갈륨(GaAs)은 전통적으로 고주파 통신 분야에서 널리 사용되어 온 소재입니다. GaAs는 실리콘보다 약 5~10배 높은 전자 이동도를 가지므로, 고주파 신호를 빠르게 처리하고 낮은 잡음으로 증폭하는 데 유리합니다. 따라서 GaAs 기반 에피택셜 웨이퍼는 저잡음 증폭기(LNA), 혼합 신호 집적회로(MMIC) 등 무선 통신 기기의 핵심 부품 제조에 많이 사용됩니다. 최근에는 GaN 소재의 부상으로 일부 영역에서는 GaAs의 역할이 축소되기도 하지만, 특정 성능 요구 사항이나 가격 경쟁력 측면에서 여전히 중요한 위치를 차지하고 있습니다. 고주파 에피택셜 웨이퍼는 단순히 기판 위에 단일 결정 박막을 성장시키는 것을 넘어, 여러 종류의 박막을 층층이 쌓아 올리는 다층 구조를 가지는 경우가 많습니다. 이러한 다층 구조는 각 층의 조성과 도핑 농도를 조절함으로써 특정 기능을 수행하도록 설계됩니다. 예를 들어, 소자에서 전하 운반자의 흐름을 제어하는 채널층, 전하가 축적되는 버퍼층, 그리고 전기적 특성을 조절하는 계면층 등이 조합될 수 있습니다. 이러한 복잡한 구조 설계를 통해 FET(Field-Effect Transistor)와 같은 고주파 소자의 성능을 최적화합니다. 에피택셜 성장 공정에는 주로 MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)와 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 방식이 사용됩니다. MOCVD는 금속 유기 화합물과 기체 상태의 반응물을 사용하여 웨이퍼 표면에 박막을 성장시키는 기술로, 대량 생산에 적합하며 비교적 비용 효율적인 장점을 가지고 있습니다. 반면, MBE는 진공 환경에서 원자나 분자빔을 직접 웨이퍼 표면에 조사하여 박막을 성장시키는 기술로, 원자 단위의 정밀한 두께 및 조성 제어가 가능하여 매우 높은 품질의 에피택셜 박막을 얻을 수 있습니다. 다만, MBE는 공정 속도가 느리고 설비 비용이 높은 편입니다. 고주파 에피택셜 웨이퍼의 미세한 구조와 높은 성능 요구 사항을 고려할 때, 두 공정 모두 중요한 역할을 수행하며 공정 선택은 요구되는 소자 성능과 생산 비용에 따라 달라집니다. 고주파 에피택셜 웨이퍼는 현대 전자기기의 발전에 필수적인 소재로서, 그 응용 분야는 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 용도로는 스마트폰, 기지국, 와이파이(Wi-Fi) 장치 등 무선 통신 시스템에 사용되는 RF 프론트엔드(Front-end) 모듈의 핵심 부품 제작입니다. 이러한 모듈에는 저잡음 증폭기(LNA), 파워 증폭기(PA), 스위치 등이 포함되며, 고주파 에피택셜 웨이퍼는 이들 부품이 고주파 신호를 효율적으로 송수신하고 증폭하는 데 기여합니다. 또한, 자동차 산업에서도 고주파 에피택셜 웨이퍼의 중요성이 커지고 있습니다. 자율 주행 기술의 핵심 요소인 레이더 시스템은 수십 GHz 이상의 고주파 대역에서 작동하며, 이를 위한 고성능 송수신 부품에 GaN 기반 에피택셜 웨이퍼가 사용됩니다. 항공우주 분야에서는 위성 통신, 레이더 시스템, 항공기 탑재 전자 장비 등 극한의 환경에서도 안정적인 성능을 요구하는 시스템에 고주파 에피택셜 웨이퍼 기반 부품이 필수적입니다. 최근에는 기존의 통신 시스템뿐만 아니라 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 기기 등에서도 고주파 신호를 활용한 다양한 응용이 늘어나면서, 고주파 에피택셜 웨이퍼의 수요는 더욱 증가할 것으로 예상됩니다. 특히, 새로운 통신 표준인 6G 기술 개발이 진행됨에 따라 더욱 높은 주파수 대역과 더 넓은 대역폭을 처리할 수 있는 고성능 에피택셜 웨이퍼 소재 및 공정 기술의 발전이 요구되고 있습니다. 관련 기술 측면에서는 고품질의 에피택셜 박막을 안정적으로 성장시키는 기술뿐만 아니라, 웨이퍼의 표면 결함 및 내부 응력 제어 기술 또한 매우 중요합니다. 에피택셜 성장 과정에서 발생하는 미세한 결함은 최종 소자의 성능 저하로 이어질 수 있기 때문에, 성장 조건의 최적화와 공정 후처리 기술이 병행되어야 합니다. 또한, 웨이퍼의 평탄도(planarity) 및 표면 거칠기를 정밀하게 제어하는 기술 역시 고밀도 집적화가 요구되는 현대 반도체 공정에서 필수적입니다. 웨이퍼의 크기가 대구경화되면서 균일한 에피택셜 성장 품질을 확보하는 기술도 중요한 과제 중 하나입니다. 결론적으로, 고주파 에피택셜 웨이퍼는 고주파 통신, 센싱, 전력 전자 등 다양한 첨단 산업 분야에서 핵심적인 역할을 수행하는 첨단 소재입니다. GaN, GaAs와 같은 화합물 반도체 소재를 기반으로 정밀한 에피택셜 성장 공정을 통해 제작되는 이 웨이퍼는, 차세대 통신 기술 및 미래 기술 발전에 없어서는 안 될 중요한 기반 기술이라고 할 수 있습니다. 관련 기술의 지속적인 발전은 더욱 높은 성능과 효율을 가진 전자 부품의 개발을 가능하게 하며, 궁극적으로는 우리 사회의 정보통신 기술 혁신을 이끌어 나갈 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1211) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 고주파 에피택셜 웨이퍼 시장 2025-2031] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |