| ■ 영문 제목 : Global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1328 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 110 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (8인치, 12인치, 4인치, 6인치, 기타)와 용도별 시장규모 (CMOS 제품, 다이오드, 트랜지스터, 집적 회로, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장분석 - 종류별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (8인치, 12인치, 4인치, 6인치, 기타) - 용도별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (CMOS 제품, 다이오드, 트랜지스터, 집적 회로, 기타) 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장분석 - 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매량 - 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 매출액 - 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매가격 - 주요기업의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매량 2020년-2025년 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 미주의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 미국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 브라질 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 아시아의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 중국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 일본 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 한국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 인도 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 유럽의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 독일 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 영국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 이집트 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 남아프리카 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 중동GCC 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 제조원가 구조 분석 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 제조 프로세스 분석 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 유통업체 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 주요 고객 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장 예측 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 종류별 시장예측 (8인치, 12인치, 4인치, 6인치, 기타) - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 용도별 시장예측 (CMOS 제품, 다이오드, 트랜지스터, 집적 회로, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - II-VI Incorporated, IQE PLC, Nichia Corporation (Japan), SAS/GlobalWafers Co., Ltd. (Taiwan), Shin-Etsu, Showa Denko, Siltronic, SOITEC, Soitec BE / EpiGaN, Sumitomo Chemical Advanced Technologies, Beijing Eswell Technology Group Co., Ltd., Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd., Nanjing Guosheng Electronics Co., Ltd., Shanghai Xinao Technology Co., Ltd., Zhejiang Jinruihong Technology Co., Ltd. 조사의 결론 |
Monocrystalline silicon epitaxial wafer refers to a monocrystalline silicon wafer produced by growing a thin film on the surface of a substrate by an epitaxial process. It is mainly composed of three parts: P type, quantum well, and type.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer sales for 2025 through 2031. With Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer.
The global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer players cover II-VI Incorporated, IQE PLC, Nichia Corporation (Japan), SAS/GlobalWafers Co., Ltd. (Taiwan), Shin-Etsu, Showa Denko, Siltronic, SOITEC and Soitec BE / EpiGaN, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
8 inches
12 inches
4 inches
6 inches
Other
Segmentation by application
CMOS Products
Diode
Transistor
Integrated Circuit
Other
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
II-VI Incorporated
IQE PLC
Nichia Corporation (Japan)
SAS/GlobalWafers Co., Ltd. (Taiwan)
Shin-Etsu
Showa Denko
Siltronic
SOITEC
Soitec BE / EpiGaN
Sumitomo Chemical Advanced Technologies
Beijing Eswell Technology Group Co., Ltd.
Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd.
Nanjing Guosheng Electronics Co., Ltd.
Shanghai Xinao Technology Co., Ltd.
Zhejiang Jinruihong Technology Co., Ltd.
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market?
What factors are driving Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market opportunities vary by end market size?
How does Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 (Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer) 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 현대 반도체 산업의 근간을 이루는 핵심 소재입니다. 이는 단결정 실리콘 기판 위에 매우 얇고 균일한 결정 구조를 가진 실리콘 박막을 성장시킨 웨이퍼를 의미합니다. 이러한 에피택시얼(epitaxial) 성장 과정을 통해 얻어지는 실리콘 박막은 기판과 동일한 결정 방향 및 구조를 가지며, 매우 높은 순도와 균일한 전기적 특성을 나타냅니다. 이는 반도체 소자의 성능과 신뢰성을 결정짓는 매우 중요한 요소입니다. **정의 및 기본 개념:** 단결정 실리콘 웨이퍼는 본질적으로 하나의 연속적인 결정 격자를 가진 실리콘 조각입니다. 이러한 단결정 구조는 전자의 이동에 방해가 되는 결정립계(grain boundary)가 존재하지 않아 전자 이동도가 매우 높으며, 이는 고성능 반도체 소자 구현에 필수적입니다. 여기에 "에피택시얼"이라는 용어가 붙는 것은 특정 공정을 통해 기판 위에 또 다른 층을 성장시킨다는 의미를 내포합니다. 에피택시얼 성장은 주로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 또는 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE)와 같은 기술을 사용하여, 실리콘 원자 또는 분자를 기판 표면에 증착시켜 기판과 동일한 결정성을 유지하는 층을 형성하는 과정을 말합니다. 이 과정에서 사용되는 실리콘 소스는 주로 실란(SiH4)이나 디클로로실란(SiH2Cl2)과 같은 실리콘 함유 가스이며, 고온의 환경에서 분해되어 실리콘 원자를 기판 표면에 증착시킵니다. **단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 특징:** 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 다음과 같은 두드러진 특징을 가집니다. * **높은 결정성 및 순도:** 에피택시얼 층은 기판과 동일한 결정 구조를 가지므로 매우 높은 결정성을 자랑합니다. 또한, 성장 과정에서 불순물의 유입을 최소화하여 매우 높은 순도를 유지할 수 있습니다. 이는 소자의 누설 전류를 줄이고 전기적 특성을 향상시키는 데 결정적인 역할을 합니다. * **정밀한 두께 및 도핑 제어:** 에피택시얼 성장 공정을 통해 실리콘 박막의 두께를 나노미터(nm) 단위까지 매우 정밀하게 제어할 수 있습니다. 또한, 성장 과정에서 적절한 도핑 가스를 함께 주입함으로써 원하는 농도와 종류의 불순물을 에피택시얼 층에 균일하게 분포시킬 수 있습니다. 이러한 정밀한 도핑 제어는 특정 기능(예: 특정 저항값, 캐리어 농도)을 가지는 영역을 형성하는 데 필수적입니다. * **우수한 표면 품질:** 에피택시얼 성장 공정은 일반적으로 기판 표면을 매우 깨끗하게 유지하며, 성장된 박막의 표면 또한 매우 평탄하고 결함이 적습니다. 이는 후속 패터닝 및 식각 공정의 정확도를 높여 소자 성능을 향상시키는 데 기여합니다. * **향상된 전기적 특성:** 높은 결정성과 순도, 그리고 정밀한 도핑 제어를 통해 에피택시얼 층은 기판 자체보다 향상된 전기적 특성을 가질 수 있습니다. 예를 들어, 더 높은 캐리어 이동도, 더 낮은 저항, 더 높은 항복 전압 등을 구현할 수 있어 고성능 집적 회로(IC) 제작에 유리합니다. **에피택시얼 성장 방식:** 에피택시얼 성장은 주로 다음과 같은 두 가지 방식으로 나눌 수 있습니다. * **저압 화학 기상 증착 (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD):** 비교적 낮은 압력에서 실리콘 함유 가스를 사용하여 에피택시얼 층을 성장시키는 방법입니다. 공정이 단순하고 대량 생산에 적합하지만, 표면 평탄도나 결정성이 고온/고진공 방식에 비해 떨어질 수 있습니다. * **유기금속 화학 기상 증착 (Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD):** 유기금속 화합물을 실리콘 소스로 사용하는 방법으로, 더 넓은 온도 및 압력 범위에서 적용 가능하며, 복잡한 합금 반도체 성장에도 활용됩니다. 매우 높은 결정성과 정밀한 도핑 제어가 가능하지만, 장비가 복잡하고 비용이 높다는 단점이 있습니다. **단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 종류:** 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 주로 에피택시얼 층의 도핑 농도 및 종류에 따라 구분될 수 있습니다. * **n형 에피택시얼 웨이퍼:** 에피택시얼 층에 n형 불순물(주로 인(P) 또는 비소(As))이 도핑되어 있습니다. 주로 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 기술에서 NMOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역이나 전력 소자 등에서 활용됩니다. * **p형 에피택시얼 웨이퍼:** 에피택시얼 층에 p형 불순물(주로 붕소(B))이 도핑되어 있습니다. CMOS 기술에서 PMOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역이나 특정 고유(intrinsic) 반도체 특성이 요구되는 소자 등에서 활용됩니다. * **무도핑 에피택시얼 웨이퍼:** 에피택시얼 층에 의도적인 도핑을 하지 않은 상태로, 매우 높은 순도를 유지하며 후속 공정에서 특정 영역에만 정밀한 도핑을 수행하는 데 사용됩니다. 이는 깊이 제어가 중요한 특정 소자 제작에 유리합니다. **단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 용도:** 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 그 우수한 특성 덕분에 현대 반도체 산업의 거의 모든 분야에서 광범위하게 사용됩니다. * **고성능 집적 회로 (Integrated Circuits, ICs):** CPU, GPU, 메모리 반도체 등 복잡하고 고집적화된 ICs 제작에 필수적입니다. 에피택시얼 층은 트랜지스터의 성능을 향상시키고 누설 전류를 줄여 소비 전력을 낮추는 데 기여합니다. 특히, 고속 동작이 요구되는 디지털 회로나 고주파 통신에 사용되는 RF(Radio Frequency) 회로에 중요한 역할을 합니다. * **전력 반도체 소자 (Power Semiconductor Devices):** 전력 변환 및 제어에 사용되는 MOSFET, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등은 높은 전압과 전류를 견뎌야 하므로, 에피택시얼 층의 높은 항복 전압과 낮은 온저항이 요구됩니다. 에피택시얼 공정은 이러한 특성을 만족시키는 데 중요한 역할을 합니다. * **광전자 소자 (Optoelectronic Devices):** LED(Light Emitting Diode), 레이저 다이오드, 광검출기 등 빛과 전기를 상호 변환하는 소자에서도 에피택시얼 웨이퍼가 활용됩니다. 특히 실리콘 기반 광학 소자의 성능을 극대화하기 위해 에피택시얼 성장 기술이 중요합니다. * **고감도 센서 (High-Sensitivity Sensors):** 미세한 물리적 또는 화학적 변화를 감지하는 센서 제작에도 사용됩니다. 에피택시얼 층의 정밀한 제어는 센서의 감도와 정확도를 높이는 데 기여합니다. **관련 기술 및 발전 동향:** 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 성능을 더욱 향상시키고 새로운 응용 분야를 개척하기 위한 관련 기술 연구 및 개발이 활발히 진행되고 있습니다. * ** SOI (Silicon-On-Insulator) 기술과의 결합:** SOI 웨이퍼는 실리콘 기판 위에 얇은 절연층(주로 실리콘 산화막)과 그 위에 에피택시얼 실리콘 층을 형성한 구조입니다. 이는 기생 커패시턴스를 감소시키고 절연성을 향상시켜 고속 동작 및 저전력 소자 구현에 유리합니다. 최근에는 SOS(Silicon-On-Sapphire)와 같이 다른 절연체 기판 위에 에피택시얼 실리콘을 성장시키는 기술도 연구되고 있습니다. * **고속 및 저온 에피택시 기술 개발:** 기존의 에피택시 성장 공정은 비교적 고온에서 이루어지는데, 이는 미세화된 소자의 성능에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서 더 낮은 온도에서 고품질의 에피택시얼 층을 성장시키는 기술에 대한 연구가 진행 중입니다. 또한, 성장 속도를 높여 생산성을 향상시키는 기술도 중요합니다. * **초박막 에피택시 기술:** 소자의 집적도를 높이고 성능을 향상시키기 위해 에피택시얼 층의 두께를 수 나노미터(nm) 수준으로 극도로 얇게 성장시키는 기술이 중요해지고 있습니다. 이는 정확한 원자 제어가 가능한 MBE와 같은 기술이 활용될 수 있습니다. * **다층 에피택시 기술:** 서로 다른 도핑 농도나 종류를 가진 여러 개의 얇은 에피택시얼 층을 순차적으로 성장시켜 복잡한 전기적 특성을 구현하는 기술입니다. 이는 특정 소자 구조를 구현하는 데 필수적입니다. * **인접 기술과의 융합:** 에피택시 공정은 포토 리소그래피, 식각, 이온 주입 등 다른 반도체 공정 기술과 긴밀하게 연관되어 있습니다. 따라서 이러한 인접 기술과의 통합 및 최적화를 통해 전반적인 반도체 제조 공정의 효율성과 소자 성능을 향상시키려는 노력이 계속되고 있습니다. 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 반도체 기술 발전의 필수적인 요소로서, 앞으로도 끊임없는 기술 혁신과 함께 그 중요성이 더욱 커질 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1328) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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