| ■ 영문 제목 : Global Power MOSFET Device Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2409H16364 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 9월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 기계&장치 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,480 ⇒환산￦4,698,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 전력 MOSFET 장치 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 전력 MOSFET 장치 산업 체인 동향 개요, 산업용 드라이브, 소비자, 자동차, 재생 에너지, 트랙션, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 전력 MOSFET 장치의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 전력 MOSFET 장치 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 전력 MOSFET 장치 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 전력 MOSFET 장치 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 전력 MOSFET 장치 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : MOSFET 파워 모듈, MOSFET 디스크리트)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 전력 MOSFET 장치 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 전력 MOSFET 장치 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 전력 MOSFET 장치 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 전력 MOSFET 장치에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 전력 MOSFET 장치 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 전력 MOSFET 장치에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (산업용 드라이브, 소비자, 자동차, 재생 에너지, 트랙션, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 전력 MOSFET 장치과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 전력 MOSFET 장치 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 전력 MOSFET 장치 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
전력 MOSFET 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– MOSFET 파워 모듈, MOSFET 디스크리트
용도별 시장 세그먼트
– 산업용 드라이브, 소비자, 자동차, 재생 에너지, 트랙션, 기타
주요 대상 기업
– Mitsubishi Electric、 Infineon Technologies(IR)、 Fuji Electric、 SEMIKRON、 ON Semiconductor(Fairchild)、 Littelfuse、 STMicroelectronics、 ROHM、 Renesas Electronics Corporation、 Solitron Devices
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 전력 MOSFET 장치 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 전력 MOSFET 장치의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 전력 MOSFET 장치의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 전력 MOSFET 장치 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 전력 MOSFET 장치 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 전력 MOSFET 장치 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 전력 MOSFET 장치의 산업 체인.
– 전력 MOSFET 장치 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Mitsubishi Electric Infineon Technologies(IR) Fuji Electric ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 전력 MOSFET 장치 이미지 - 종류별 세계의 전력 MOSFET 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 전력 MOSFET 장치 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 전력 MOSFET 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 전력 MOSFET 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 전력 MOSFET 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 전력 MOSFET 장치 판매량 (2019-2030) - 세계의 전력 MOSFET 장치 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 전력 MOSFET 장치 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 전력 MOSFET 장치 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 전력 MOSFET 장치 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 전력 MOSFET 장치 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 전력 MOSFET 장치 판매량 시장 점유율 - 지역별 전력 MOSFET 장치 소비 금액 시장 점유율 - 북미 전력 MOSFET 장치 소비 금액 - 유럽 전력 MOSFET 장치 소비 금액 - 아시아 태평양 전력 MOSFET 장치 소비 금액 - 남미 전력 MOSFET 장치 소비 금액 - 중동 및 아프리카 전력 MOSFET 장치 소비 금액 - 세계의 종류별 전력 MOSFET 장치 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 전력 MOSFET 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 전력 MOSFET 장치 평균 가격 - 세계의 용도별 전력 MOSFET 장치 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 전력 MOSFET 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 전력 MOSFET 장치 평균 가격 - 북미 전력 MOSFET 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 전력 MOSFET 장치 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 전력 MOSFET 장치 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 전력 MOSFET 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 유럽 전력 MOSFET 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 전력 MOSFET 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 전력 MOSFET 장치 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 전력 MOSFET 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 영국 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 러시아 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 전력 MOSFET 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 전력 MOSFET 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 전력 MOSFET 장치 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 전력 MOSFET 장치 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 일본 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 한국 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 인도 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 호주 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 남미 전력 MOSFET 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 전력 MOSFET 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 전력 MOSFET 장치 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 전력 MOSFET 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 전력 MOSFET 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 전력 MOSFET 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 전력 MOSFET 장치 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 전력 MOSFET 장치 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 이집트 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 전력 MOSFET 장치 소비 금액 및 성장률 - 전력 MOSFET 장치 시장 성장 요인 - 전력 MOSFET 장치 시장 제약 요인 - 전력 MOSFET 장치 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 전력 MOSFET 장치의 제조 비용 구조 분석 - 전력 MOSFET 장치의 제조 공정 분석 - 전력 MOSFET 장치 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 전력 MOSFET은 반도체 소자인 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 중에서도 높은 전력 처리 능력을 갖도록 설계된 특별한 종류입니다. 일반적인 소신호 MOSFET이 신호 증폭이나 스위칭 용도로 주로 사용되는 반면, 전력 MOSFET은 수십 암페어에서 수백 암페어에 이르는 전류를 흘리거나, 수십 볼트에서 수백 볼트 이상의 전압을 차단하는 데 사용됩니다. 이러한 높은 전력 처리 능력은 전력 변환, 제어, 보호 등 다양한 전기 및 전자 시스템에서 핵심적인 역할을 수행하게 합니다. 전력 MOSFET의 기본적인 동작 원리는 일반 MOSFET과 동일합니다. 전압 제어 소자로서, 게이트와 소스 사이에 인가되는 전압에 의해 드레인과 소스 사이의 채널을 형성하거나 끊어 전류의 흐름을 제어합니다. 하지만 전력 처리 능력을 높이기 위해 구조적인 측면에서 여러 가지 차이점을 가집니다. 가장 두드러지는 특징 중 하나는 낮은 온저항(On-Resistance, $R_{DS(on)}$)입니다. 온저항은 MOSFET이 도통 상태일 때 드레인과 소스 사이에 발생하는 저항 값으로, 이 값이 낮을수록 전력 손실이 줄어들어 효율이 높아집니다. 전력 MOSFET은 최대한 낮은 온저항을 달성하기 위해 기생 저항을 최소화하는 독특한 구조를 채택하고 있습니다. 특히, 벌크(Bulk) 부분의 도핑 농도를 높여 고전압을 견디면서도 전류 통로의 저항을 줄이는 방식을 사용합니다. 또한, 채널 길이를 줄이고 병렬화하여 전체적인 온저항을 낮추는 기술이 적용됩니다. 또 다른 중요한 특징은 빠른 스위칭 속도입니다. 전력 MOSFET은 게이트 전압 변화에 따라 빠르게 도통 상태와 차단 상태를 전환할 수 있어 고주파 스위칭이 필요한 시스템에 적합합니다. 이는 전력 변환 효율을 높이고 소형화에 기여하는 중요한 요소입니다. 이러한 빠른 스위칭 속도는 게이트 전하량과 출력 커패시턴스(Output Capacitance)가 작도록 설계함으로써 달성됩니다. 전력 MOSFET은 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 **N채널 전력 MOSFET**입니다. N채널 MOSFET은 전자가 캐리어로 작용하며, 게이트에 양(+)의 전압을 인가하면 도통합니다. 일반적으로 NMOS라고도 불리며, 가장 널리 사용되는 형태입니다. 두 번째는 **P채널 전력 MOSFET**입니다. P채널 MOSFET은 정공이 캐리어로 작용하며, 게이트에 음(-)의 전압을 인가하면 도통합니다. PMOS라고도 불리며, NMOS에 비해 온저항이 높고 스위칭 속도가 느린 경향이 있어 특정 응용 분야에 주로 사용됩니다. 전력 MOSFET의 용도는 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 용도로는 **전력 변환(Power Conversion)** 분야를 들 수 있습니다. 이는 AC를 DC로 변환하는 정류기(Rectifier), DC를 AC로 변환하는 인버터(Inverter), DC 전압을 승압하거나 강압하는 컨버터(Converter) 등에서 스위칭 소자로 사용됩니다. 예를 들어, 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 전동차 전력 제어 장치, 태양광 발전 시스템 등에서 전력 변환 효율을 높이는 데 필수적인 역할을 합니다. 또한, **모터 제어(Motor Control)** 분야에서도 중요한 역할을 합니다. DC 모터나 BLDC 모터의 속도 및 방향을 정밀하게 제어하는 데 PWM(Pulse Width Modulation) 신호의 스위칭 소자로 사용됩니다. 이는 전기 자동차, 로봇, 산업 자동화 장비 등에서 효율적인 에너지 사용과 정밀한 제어를 가능하게 합니다. **전력 관리(Power Management)** 측면에서도 전력 MOSFET은 광범위하게 활용됩니다. 컴퓨터의 전원 공급 장치(Power Supply Unit, PSU), 휴대용 전자기기의 전력 관리 회로 등에서 전압 조절 및 효율적인 전력 분배를 위해 사용됩니다. LED 조명 제어, 배터리 관리 시스템(Battery Management System, BMS) 등에서도 중요한 역할을 수행합니다. 이 외에도 **오디오 앰프, 통신 장비, 산업용 전원 공급 장치, 냉각 시스템 제어** 등 높은 전력 처리 능력과 빠른 스위칭 특성이 요구되는 거의 모든 전기 및 전자 시스템에서 전력 MOSFET을 찾아볼 수 있습니다. 전력 MOSFET의 성능 향상과 관련된 기술들은 지속적으로 발전하고 있습니다. **SiC(Silicon Carbide, 실리콘 카바이드) 및 GaN(Gallium Nitride, 질화 갈륨)과 같은 차세대 와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG) 반도체 소재**의 등장은 전력 MOSFET 기술에 혁신을 가져오고 있습니다. SiC 및 GaN 소자는 실리콘(Si) 기반 MOSFET에 비해 훨씬 높은 항복 전압(Breakdown Voltage), 낮은 온저항, 더 빠른 스위칭 속도, 그리고 더 높은 작동 온도를 지원합니다. 이러한 장점들은 전력 변환 시스템의 효율을 극대화하고, 크기와 무게를 줄이며, 더 높은 주파수에서 동작할 수 있도록 합니다. 예를 들어, 전기 자동차의 인버터, 고효율 전원 공급 장치 등에서 이러한 신소재 기반 전력 MOSFET의 적용이 확대되고 있습니다. 또한, **MOSFET의 내부 구조를 최적화**하는 기술도 꾸준히 발전하고 있습니다. 예를 들어, **V-MOSFET** 구조는 채널 폭을 효과적으로 늘려 온저항을 낮추는 데 기여했으며, ** Trench MOSFET** 구조는 채널 영역을 수직으로 배치하여 단위 면적당 더 많은 전류를 흘릴 수 있도록 함으로써 온저항을 더욱 감소시켰습니다. 최근에는 **Super Junction MOSFET**과 같은 기술을 통해 고전압을 견디면서도 낮은 온저항을 달성하는 것이 가능해졌습니다. **집적화 기술(Integration Technology)** 또한 전력 MOSFET의 성능과 활용도를 높이는 데 기여하고 있습니다. 전력 MOSFET뿐만 아니라 게이트 드라이버 IC, 보호 회로 등을 하나의 패키지로 통합하는 **Power Module** 형태로 제작되어 사용 편의성과 시스템 신뢰성을 향상시킵니다. 이는 고출력 응용 분야에서 배선 복잡성을 줄이고 열 관리를 용이하게 하는 데 도움을 줍니다. 전력 MOSFET의 성능을 최대한 끌어내기 위해서는 **적절한 게이트 드라이버 회로 설계**가 매우 중요합니다. 게이트 드라이버는 MOSFET을 빠르게 켜고 끄는 데 필요한 충분한 전류를 공급해야 하며, 동시에 과도한 전압이나 전류로부터 MOSFET을 보호하는 역할도 수행합니다. 또한, **열 관리(Thermal Management)**는 전력 MOSFET의 신뢰성과 수명에 결정적인 영향을 미칩니다. 높은 전류가 흐르면 필연적으로 열이 발생하므로, 적절한 방열판(Heatsink) 설계나 냉각 시스템을 통해 소자의 온도를 일정 수준 이하로 유지하는 것이 필수적입니다. 요약하자면, 전력 MOSFET은 높은 전력 처리 능력, 낮은 온저항, 빠른 스위칭 속도 등의 특징을 가지며, 전력 변환, 모터 제어, 전력 관리 등 다양한 분야에서 핵심적인 부품으로 사용됩니다. SiC, GaN과 같은 신소재의 등장과 지속적인 구조 최적화 기술 발전은 전력 MOSFET의 성능을 더욱 향상시키고 있으며, 이는 미래의 고효율 에너지 시스템 구축에 중요한 역할을 할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 전력 MOSFET 장치 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2409H16364) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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