| ■ 영문 제목 : Global SiC MOSFET Module Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C4233 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자＆반도체 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,480 ⇒환산￦4,698,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD5,220 ⇒환산￦7,047,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC MOSFET 모듈 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC MOSFET 모듈 산업 체인 동향 개요, 공업, 자동차, 의료, 항공 우주, 국방, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC MOSFET 모듈의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC MOSFET 모듈 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC MOSFET 모듈 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC MOSFET 모듈 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 순수 탄화 규소 모듈, 하이브리드 탄화 규소 모듈)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC MOSFET 모듈 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC MOSFET 모듈 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC MOSFET 모듈 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC MOSFET 모듈에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC MOSFET 모듈 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC MOSFET 모듈에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (공업, 자동차, 의료, 항공 우주, 국방, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC MOSFET 모듈과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC MOSFET 모듈 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC MOSFET 모듈 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC MOSFET 모듈 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 순수 탄화 규소 모듈, 하이브리드 탄화 규소 모듈
용도별 시장 세그먼트
– 공업, 자동차, 의료, 항공 우주, 국방, 기타
주요 대상 기업
– STMicroelectronics, ROHM CO.，LTD., Starpower, Wolfspeed, Infineon Technologies, ON Semiconductor, Littelfuse, Microchip, Mitsubishi Electric, GeneSiC Semiconductor Inc., Shenzhen BASiC Semiconductor LTD, Imperix
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC MOSFET 모듈 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC MOSFET 모듈의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC MOSFET 모듈의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC MOSFET 모듈 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC MOSFET 모듈 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC MOSFET 모듈 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC MOSFET 모듈의 산업 체인.
– SiC MOSFET 모듈 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 STMicroelectronics ROHM CO.，LTD. Starpower ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC MOSFET 모듈 이미지 - 종류별 세계의 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 모듈 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 모듈 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC MOSFET 모듈 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC MOSFET 모듈 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 - 유럽 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 - 남미 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 모듈 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 모듈 평균 가격 - 북미 SiC MOSFET 모듈 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 모듈 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 모듈 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 모듈 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC MOSFET 모듈 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 모듈 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 모듈 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 모듈 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 모듈 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 모듈 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 모듈 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 모듈 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC MOSFET 모듈 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 모듈 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 모듈 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 모듈 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 모듈 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 모듈 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 모듈 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 모듈 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC MOSFET 모듈 소비 금액 및 성장률 - SiC MOSFET 모듈 시장 성장 요인 - SiC MOSFET 모듈 시장 제약 요인 - SiC MOSFET 모듈 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC MOSFET 모듈의 제조 비용 구조 분석 - SiC MOSFET 모듈의 제조 공정 분석 - SiC MOSFET 모듈 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 모듈은 차세대 전력 반도체 소자인 실리콘 카바이드(SiC) 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 여러 개 집적하여 하나의 모듈 형태로 만든 부품을 의미합니다. 이는 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체 소자가 가지고 있던 성능 한계를 극복하고, 에너지 효율 향상, 소형화, 고온 동작 등의 이점을 제공하기 위해 개발되었습니다. SiC MOSFET 모듈의 핵심은 바로 실리콘 카바이드(SiC)라는 물질 자체의 우수한 전기적, 열적 특성에서 비롯됩니다. SiC는 실리콘에 비해 훨씬 높은 항복 전압(breakdown voltage), 낮은 온-저항(on-resistance), 높은 열전도율(thermal conductivity), 그리고 넓은 밴드갭(bandgap)을 가지고 있습니다. 이러한 특성 덕분에 SiC MOSFET은 동일한 전류를 흘릴 때 실리콘 MOSFET보다 훨씬 낮은 전력 손실을 발생시킵니다. 즉, 더 적은 열이 발생하며, 이는 더 높은 스위칭 주파수에서도 안정적으로 동작할 수 있음을 의미합니다. 또한, 높은 항복 전압 덕분에 더 높은 전압에서 작동할 수 있으며, 이를 통해 전력 변환 시스템의 효율을 높이고 부품 수를 줄이는 데 기여합니다. SiC MOSFET 모듈은 단일 소자 형태의 SiC MOSFET과는 달리, 여러 개의 SiC MOSFET 소자를 전력 회로 구성에 적합한 형태로 집적화한 것입니다. 일반적으로 전력 변환 시스템에서는 하나의 MOSFET만 사용하는 것이 아니라, 브리지(bridge) 구성이나 다른 토폴로지를 위해 여러 개의 소자가 필요합니다. 이러한 소자들을 개별적으로 패키징하고 연결하는 것은 번거롭고 효율 저하의 원인이 될 수 있습니다. 따라서 SiC MOSFET 모듈은 이러한 다수의 소자를 최적의 전기적, 열적 설계 하에 하나의 모듈에 통합함으로써 시스템의 신뢰성과 성능을 향상시킵니다. 모듈 내부에는 SiC MOSFET 소자 외에도 게이트 드라이버 회로, 보호 회로, 그리고 효율적인 열 방출을 위한 기판 및 방열판 등이 포함될 수 있습니다. SiC MOSFET 모듈의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **높은 에너지 효율**입니다. 앞서 언급했듯이 SiC는 실리콘보다 온-저항이 훨씬 낮기 때문에, 전류가 흐를 때 발생하는 전력 손실이 적습니다. 이는 특히 고속 스위칭을 수행하는 전력 변환기에서 두드러지며, 배터리 충전, 전기차 구동, 재생 에너지 발전 시스템 등 에너지 효율이 매우 중요한 응용 분야에서 큰 강점을 보입니다. 둘째, **고온 동작 능력**입니다. SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 온도에서 안정적으로 동작할 수 있습니다. 이는 전력 변환 시스템의 냉각 요구 사항을 완화시켜 시스템의 복잡성을 줄이고 소형화하는 데 기여합니다. 또한, 극한 환경이나 열악한 조건에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있습니다. 셋째, **고주파 스위칭 능력**입니다. SiC MOSFET은 스위칭 속도가 빠르고 게이트 전하(gate charge) 및 출력 커패시턴스(output capacitance)가 낮아 고주파로 스위칭이 가능합니다. 이는 전력 변환기의 스위칭 주파수를 높여 더 작고 가벼운 수동 부품(인덕터, 커패시터)을 사용할 수 있게 하여 시스템의 전체적인 크기와 무게를 줄이는 데 기여합니다. 넷째, **높은 항복 전압**입니다. SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압을 견딜 수 있습니다. 이는 고전압 애플리케이션에 적합하며, 추가적인 전압 정격 부품 없이도 더 높은 전압을 처리할 수 있게 해줍니다. SiC MOSFET 모듈은 그 구성 방식과 기능에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 **단일 채널(Single-channel) 모듈**입니다. 이는 하나의 SiC MOSFET 소자를 포함하는 형태이며, 이를 여러 개 조합하여 다양한 회로를 구성할 수 있습니다. 다음으로, **하프 브리지(Half-bridge) 모듈**은 두 개의 SiC MOSFET 소자가 직렬로 연결된 형태로, 고전압 DC를 AC로 변환하는 인버터 회로의 기본적인 구성 단위로 사용됩니다. 또한, **풀 브리지(Full-bridge) 모듈**은 네 개의 SiC MOSFET 소자를 사용하여 더 복잡한 인버터 구성을 제공합니다. 이 외에도 전류 전류를 양방향으로 제어할 수 있는 **양방향 모듈**이나, SiC MOSFET과 SiC 쇼트키 다이오드(Schottky diode)를 함께 집적한 **모듈**도 존재합니다. 이러한 다양한 형태의 모듈은 특정 애플리케이션의 요구 사항에 맞춰 설계 및 제작됩니다. SiC MOSFET 모듈의 주요 응용 분야는 다음과 같습니다. **전기 자동차(EV)** 분야는 SiC MOSFET 모듈의 가장 큰 성장 동력 중 하나입니다. 전기차의 구동 인버터, 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터 등에 SiC MOSFET 모듈을 적용함으로써 에너지 효율을 높여 주행 거리를 연장하고, 충전 시간을 단축하며, 시스템의 소형화 및 경량화를 달성할 수 있습니다. **재생 에너지** 분야에서도 태양광 인버터, 풍력 발전 시스템 등의 전력 변환 장치에 SiC MOSFET 모듈을 적용하여 에너지 손실을 줄이고 시스템 효율을 높이는 데 활용됩니다. **산업용 전력 공급 장치** 및 **전력 품질 개선 장치**에서도 높은 효율과 신뢰성이 요구되는 분야에 SiC MOSFET 모듈이 적용되고 있습니다. 또한, **데이터 센터의 서버 전원 장치**, **철도 차량**, **항공 우주 분야** 등에서도 SiC MOSFET 모듈의 장점을 활용하려는 움직임이 활발합니다. SiC MOSFET 모듈의 성능을 극대화하고 안정적인 동작을 보장하기 위해서는 여러 관련 기술들이 중요하게 작용합니다. **게이트 드라이버 기술**은 SiC MOSFET의 빠른 스위칭 특성을 효과적으로 제어하고 보호하기 위해 필수적입니다. SiC MOSFET은 낮은 게이트 전하를 가지므로 고속으로 게이트 전압을 스윙시킬 수 있어야 하며, 이를 위해 전용 게이트 드라이버 IC가 개발되고 있습니다. **패키징 기술** 또한 SiC MOSFET 모듈의 성능에 지대한 영향을 미칩니다. SiC 소자의 높은 스위칭 속도와 열 발생을 고려하여, 전기적 특성을 최적화하고 열을 효과적으로 방출할 수 있는 패키징 설계가 중요합니다. 특히, 와이어 본딩(wire bonding) 대신에 Sintering(소결) 또는 다른 저저항 연결 기술을 사용하여 기생 인덕턴스(parasitic inductance)를 최소화하고 열 전도성을 높이는 연구가 진행되고 있습니다. **열 관리 기술**은 SiC MOSFET 모듈이 고온에서 안정적으로 동작할 수 있도록 하는 핵심 요소입니다. 효율적인 히트싱크(heatsink) 설계, 열 인터페이스 재료(TIM)의 선택 및 적용, 그리고 액체 냉각 시스템 등의 기술이 종합적으로 고려됩니다. 또한, SiC 소자의 신뢰성을 높이기 위한 **시험 및 검증 기술**도 중요합니다. SiC 소자는 기존 실리콘 소자와는 다른 고장 메커니즘을 가질 수 있으므로, 가혹한 환경 조건에서의 장기적인 신뢰성을 평가하고 검증하는 기술이 요구됩니다. 마지막으로, **시스템 레벨 설계 최적화**는 SiC MOSFET 모듈의 장점을 최대한 활용하기 위해 전체 전력 변환 시스템의 설계를 최적화하는 것을 의미합니다. 이는 회로 토폴로지 선택, 수동 부품 선정, 제어 알고리즘 개발 등 다양한 측면을 포함합니다. 결론적으로, SiC MOSFET 모듈은 기존의 실리콘 기반 전력 반도체 기술의 한계를 뛰어넘는 차세대 기술로서, 에너지 효율 향상, 시스템 소형화 및 경량화, 고온 및 고주파 동작 능력 등 혁신적인 성능을 제공합니다. 이러한 장점들로 인해 전기 자동차, 재생 에너지, 산업용 전력 등 다양한 분야에서 핵심 부품으로 자리매김하고 있으며, 관련 기술의 발전과 함께 그 적용 범위는 더욱 확대될 것으로 예상됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC MOSFET 모듈 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C4233) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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