| ■ 영문 제목 : Global Planar MOSFET Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E40211 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 평면 MOSFET 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 평면 MOSFET 산업 체인 동향 개요, AC 어댑터, 스위치 전원 공급 장치, 조명 전원 공급 장치, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 평면 MOSFET의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 평면 MOSFET 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 평면 MOSFET 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 평면 MOSFET 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 평면 MOSFET 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 탄화 규소 MOSFET, 4H-SiC 평면 MOSFET)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 평면 MOSFET 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 평면 MOSFET 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 평면 MOSFET 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 평면 MOSFET에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 평면 MOSFET 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 평면 MOSFET에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (AC 어댑터, 스위치 전원 공급 장치, 조명 전원 공급 장치, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 평면 MOSFET과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 평면 MOSFET 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 평면 MOSFET 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
평면 MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 탄화 규소 MOSFET, 4H-SiC 평면 MOSFET
용도별 시장 세그먼트
– AC 어댑터, 스위치 전원 공급 장치, 조명 전원 공급 장치, 기타
주요 대상 기업
– Toshiba, ROHM Semiconductor, Shindengen Electric Manufacturing, Kwansemi Semiconductor, Vishay, Onsemi, Goford Semiconductor, Leadpower Semiconductor, TRUESEMI, Lonten Semiconductor, Jinan Jingheng Electronics
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 평면 MOSFET 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 평면 MOSFET의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 평면 MOSFET의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 평면 MOSFET 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 평면 MOSFET 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 평면 MOSFET 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 평면 MOSFET의 산업 체인.
– 평면 MOSFET 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Toshiba ROHM Semiconductor Shindengen Electric Manufacturing ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 평면 MOSFET 이미지 - 종류별 세계의 평면 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 평면 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 평면 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 평면 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 평면 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 평면 MOSFET 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 평면 MOSFET 판매량 (2019-2030) - 세계의 평면 MOSFET 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 평면 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 평면 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 평면 MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 평면 MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 평면 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 지역별 평면 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 북미 평면 MOSFET 소비 금액 - 유럽 평면 MOSFET 소비 금액 - 아시아 태평양 평면 MOSFET 소비 금액 - 남미 평면 MOSFET 소비 금액 - 중동 및 아프리카 평면 MOSFET 소비 금액 - 세계의 종류별 평면 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 평면 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 평면 MOSFET 평균 가격 - 세계의 용도별 평면 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 평면 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 평면 MOSFET 평균 가격 - 북미 평면 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 평면 MOSFET 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 평면 MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 평면 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 유럽 평면 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 평면 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 평면 MOSFET 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 평면 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 영국 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 러시아 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 평면 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 평면 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 평면 MOSFET 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 평면 MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 일본 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 한국 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 인도 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 호주 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남미 평면 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 평면 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 평면 MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 평면 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 평면 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 평면 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 평면 MOSFET 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 평면 MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이집트 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 평면 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 평면 MOSFET 시장 성장 요인 - 평면 MOSFET 시장 제약 요인 - 평면 MOSFET 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 평면 MOSFET의 제조 비용 구조 분석 - 평면 MOSFET의 제조 공정 분석 - 평면 MOSFET 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 평면 MOSFET(Planar MOSFET)은 반도체 집적회로의 핵심 소자인 금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)의 초기 형태이자 가장 기본적인 구조를 가진 트랜지스터입니다. 1959년 모하메드 아트 알 살라(Mohamed M. Atalla)와 다원 칸(Dawon Kahng)에 의해 벨 연구소에서 발명되었으며, 이후 현대 반도체 산업의 발전을 이끌어온 근간이 되는 기술입니다. 평면 MOSFET은 이름에서 알 수 있듯이, 소자의 각 부분(소스, 드레인, 게이트, 채널 등)이 웨이퍼 표면에 평면적으로 배치되는 구조를 가집니다. 이는 초기 MOSFET의 제조 공정이 비교적 간단하고 예측 가능하며, 집적화에 유리한 특성을 제공했습니다. 평면 MOSFET의 가장 기본적인 구조는 n형 또는 p형의 기판 위에 게이트 절연막(주로 이산화규소, SiO2)을 형성하고, 그 위에 게이트 전극을 올린 후, 기판의 양측에 소스와 드레인 영역을 형성하는 형태입니다. 게이트 전압이 인가되면, 게이트 절연막 아래의 반도체 표면에 전계가 형성되어 소스와 드레인 사이에 전도성 채널이 형성되거나 소멸되면서 전류의 흐름을 제어합니다. 채널의 종류에 따라 n채널 MOSFET(NMOS)과 p채널 MOSFET(PMOS)으로 구분되며, 작동 방식과 전압 극성에 따라 특성이 달라집니다. NMOS는 기판이 p형이고 채널이 n형일 때, PMOS는 기판이 n형이고 채널이 p형일 때 동작합니다. 평면 MOSFET의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **구조의 단순성**입니다. 복잡한 3차원 구조를 가지는 최신 트랜지스터들에 비해 평면 MOSFET은 비교적 간단한 평면 구조를 가지고 있어 초기 반도체 공정 기술로도 구현이 가능했습니다. 이는 반도체 기술 발전의 초석이 되는 데 중요한 역할을 했습니다. 둘째, **표면 채널 효과**를 이용합니다. 게이트 전압에 의해 반도체 표면에 전하가 축적되어 채널을 형성하는 방식은 MOSFET의 기본적인 동작 원리이며, 평면 구조에서 이러한 표면 효과를 명확하게 관찰하고 제어할 수 있었습니다. 셋째, **제조 공정의 성숙도**입니다. 평면 MOSFET의 제조 공정은 오랫동안 연구되고 발전되어 왔기 때문에 매우 안정적이고 신뢰성이 높습니다. 이러한 성숙도는 대량 생산에 유리하며, 초기 반도체 산업의 성장을 뒷받침했습니다. 넷째, **절연 특성**입니다. 게이트 절연막으로 사용되는 이산화규소는 전기적으로 우수한 절연체로서 게이트와 채널 사이의 누설 전류를 최소화하는 중요한 역할을 합니다. 이는 트랜지스터의 효율적인 스위칭 동작에 필수적입니다. 평면 MOSFET은 그 기본 구조와 특성으로 인해 다양한 형태로 변형되거나 발전되어 왔습니다. 가장 대표적인 평면 MOSFET의 종류로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **NMOS 트랜지스터 (n-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):** p형 기판 위에 n형 소스/드레인 영역을 가지며, 게이트에 양의 전압을 인가하여 전자(n형 캐리어)로 구성된 채널을 형성하여 전류를 흐르게 합니다. NMOS는 PMOS에 비해 캐리어 이동도가 높아 일반적으로 스위칭 속도가 빠르다는 장점을 가집니다. 초기 CMOS 기술에서는 NMOS와 PMOS를 함께 사용하기보다는 NMOS 트랜지스터만을 이용한 NMOS 논리 회로가 많이 사용되었습니다. * **PMOS 트랜지스터 (p-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):** n형 기판 위에 p형 소스/드레인 영역을 가지며, 게이트에 음의 전압을 인가하여 정공(p형 캐리어)으로 구성된 채널을 형성하여 전류를 흐르게 합니다. PMOS는 NMOS에 비해 캐리어 이동도가 낮아 일반적으로 스위칭 속도가 느리지만, 높은 전압 내성과 작은 누설 전류 특성을 가지기도 합니다. * **CMOS 트랜지스터 (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):** CMOS 기술은 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 상보적으로 조합하여 사용하는 기술입니다. 각 게이트에는 하나의 NMOS와 하나의 PMOS가 연결되어 논리 함수를 수행합니다. CMOS 기술은 고속 스위칭, 저전력 소모, 높은 잡음 마진 등의 장점을 가지며, 현대 디지털 집적회로의 대부분에서 사용되는 핵심 기술입니다. 평면 MOSFET 구조는 CMOS 기술의 기반을 이루며, 각 NMOS와 PMOS 소자가 평면적으로 배치되어 전체 회로를 구성합니다. 평면 MOSFET의 용도는 매우 광범위하며, 초기 반도체 기술부터 현재에 이르기까지 다양한 분야에서 활용되었습니다. * **디지털 논리 회로:** 평면 MOSFET은 기본적인 스위칭 소자로서 논리 게이트(AND, OR, NOT 등)를 구현하는 데 사용되었습니다. NMOS 논리 회로와 이후의 CMOS 논리 회로는 계산기, 컴퓨터의 중앙처리장치(CPU) 등 다양한 디지털 시스템의 핵심 구성 요소가 되었습니다. * **아날로그 회로:** MOSFET은 증폭기, 스위치, 필터 등 다양한 아날로그 회로에서도 사용되었습니다. 특히 평면 MOSFET의 높은 입력 임피던스는 아날로그 신호를 효율적으로 처리하는 데 유리했습니다. * **메모리 소자:** 초기 DRAM(Dynamic Random-Access Memory) 셀이나 SRAM(Static Random-Access Memory) 셀의 구성에도 평면 MOSFET이 사용되었습니다. * **범용 스위칭 소자:** 평면 MOSFET은 단순히 논리 회로뿐만 아니라 전력 스위칭, 전압 레귤레이터 등 다양한 응용 분야에서 스위칭 소자로 활용되었습니다. 평면 MOSFET의 기본 구조에서 파생되어 나온 관련 기술들은 현대 반도체 기술의 발전에 지대한 영향을 미쳤습니다. * **산화막 품질 향상 기술:** 게이트 절연막으로 사용되는 이산화규소의 품질은 MOSFET의 성능에 결정적인 영향을 미칩니다. 열 산화(Thermal Oxidation) 공정의 발전과 함께 고품질의 얇은 이산화규소 막을 형성하는 기술이 개발되었습니다. 이후에는 게이트 절연막의 두께가 얇아짐에 따라 발생하는 양자 터널링 현상으로 인해 누설 전류가 증가하는 문제를 해결하기 위해 새로운 고유전율(High-k) 물질을 사용하는 기술이 등장했습니다. * **포토 리소그래피(Photolithography) 기술:** 복잡한 반도체 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하는 포토 리소그래피 기술의 발전은 평면 MOSFET의 집적도를 높이는 데 결정적인 역할을 했습니다. 미세한 패턴을 형성하기 위한 광원의 파장 단축(예: KrF, ArF, EUV 리소그래피) 및 스텝앤리피트(Step-and-Repeat) 또는 스캔앤리피트(Scan-and-Repeat) 방식의 발전은 수십 나노미터 이하의 게이트 길이와 미세한 트랜지스터 간격을 구현할 수 있게 했습니다. * **소스/드레인 영역 형성 기술:** 고농도 도펀트를 균일하게 주입하는 이온 주입(Ion Implantation) 기술과 이후의 어닐링(Annealing) 공정은 소스 및 드레인 영역의 전기적 특성을 최적화하는 데 중요했습니다. * **게이트 전극 재료 기술:** 초기 알루미늄 게이트 전극에서 폴리실리콘(Polysilicon) 게이트 전극으로 발전하면서 트랜지스터의 성능과 안정성이 향상되었습니다. 이후에는 고저항 문제를 해결하고 성능을 더욱 높이기 위해 금속 게이트(Metal Gate) 기술이 도입되었습니다. 평면 MOSFET의 발명과 함께 시작된 반도체 기술은 집적화의 원리를 기반으로 끊임없이 발전해 왔습니다. 그러나 소자의 크기가 계속 작아짐에 따라 양자 역학적 효과, 누설 전류 증가, 열 방출 문제 등 새로운 기술적 한계에 직면하게 되었습니다. 이러한 한계를 극복하기 위해 평면 구조에서 벗어나 3차원 구조를 가지는 FinFET(Fin Field-Effect Transistor), GAAFET(Gate-All-Around Field-Effect Transistor) 등과 같은 차세대 트랜지스터 구조가 등장하게 되었습니다. 하지만 평면 MOSFET의 기본 개념과 제조 공정의 원리는 이러한 최신 기술들의 바탕이 되었으며, 여전히 일부 응용 분야에서는 그 중요성을 유지하고 있습니다. 즉, 평면 MOSFET은 반도체 역사의 시작점이자 현대 전자 산업의 근간을 이루는 기술이라고 할 수 있습니다. |
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