| ■ 영문 제목 : Global Discrete SiC-MOSFET Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D15293 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 개별 SiC-MOSFET 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 개별 SiC-MOSFET은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 개별 SiC-MOSFET 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 개별 SiC-MOSFET은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 개별 SiC-MOSFET의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 개별 SiC-MOSFET 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
개별 SiC-MOSFET 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 개별 SiC-MOSFET 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 200V 이하, 200-650V, 650-1200V, 1200-1700V, 1700V 이상) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 개별 SiC-MOSFET 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 개별 SiC-MOSFET 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 개별 SiC-MOSFET 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 개별 SiC-MOSFET 기술의 발전, 개별 SiC-MOSFET 신규 진입자, 개별 SiC-MOSFET 신규 투자, 그리고 개별 SiC-MOSFET의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 개별 SiC-MOSFET 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 개별 SiC-MOSFET 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 개별 SiC-MOSFET 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 개별 SiC-MOSFET 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 개별 SiC-MOSFET 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 개별 SiC-MOSFET 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 개별 SiC-MOSFET 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
개별 SiC-MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
200V 이하, 200-650V, 650-1200V, 1200-1700V, 1700V 이상
*** 용도별 세분화 ***
철도, 자동차, 스마트 그리드, 통신 전력, 가전 제품, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
ROHM,Wolfspeed,Mitsubishi Electric,STMicroelectronics,Infineon Technologies,Littelfuse,Ascatron,Fuji Electric Co., Ltd.,Toshiba,MicroSemi (Microchip),GeneSiC Semiconductor Inc.,Global Power Technology Co., Ltd., Inc.,Shenzhen BASiC Semiconductor LTD.,InventChip Technology Co., Ltd.,ON Semiconductor,Vishay,Alpha & Omega Semiconductor
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 개별 SiC-MOSFET 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 개별 SiC-MOSFET 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 개별 SiC-MOSFET 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 개별 SiC-MOSFET은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 개별 SiC-MOSFET 시장분석 ■ 지역별 개별 SiC-MOSFET에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 개별 SiC-MOSFET 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 ROHM,Wolfspeed,Mitsubishi Electric,STMicroelectronics,Infineon Technologies,Littelfuse,Ascatron,Fuji Electric Co., Ltd.,Toshiba,MicroSemi (Microchip),GeneSiC Semiconductor Inc.,Global Power Technology Co., Ltd., Inc.,Shenzhen BASiC Semiconductor LTD.,InventChip Technology Co., Ltd.,ON Semiconductor,Vishay,Alpha & Omega Semiconductor – ROHM – Wolfspeed – Mitsubishi Electric ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]개별 SiC-MOSFET 이미지 개별 SiC-MOSFET 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 개별 SiC-MOSFET 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 개별 SiC-MOSFET 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 점유율 기업별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 2023 기업별 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 2023 기업별 글로벌 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 점유율 2023 미주 개별 SiC-MOSFET 판매량 (2019-2024) 미주 개별 SiC-MOSFET 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 개별 SiC-MOSFET 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 개별 SiC-MOSFET 매출 (2019-2024) 유럽 개별 SiC-MOSFET 판매량 (2019-2024) 유럽 개별 SiC-MOSFET 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 개별 SiC-MOSFET 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 개별 SiC-MOSFET 매출 (2019-2024) 미국 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 캐나다 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 멕시코 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 브라질 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 중국 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 일본 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 한국 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 인도 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 호주 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 독일 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 프랑스 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 영국 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 러시아 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 이집트 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 터키 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 개별 SiC-MOSFET 시장규모 (2019-2024) 개별 SiC-MOSFET의 제조 원가 구조 분석 개별 SiC-MOSFET의 제조 공정 분석 개별 SiC-MOSFET의 산업 체인 구조 개별 SiC-MOSFET의 유통 채널 글로벌 지역별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 개별 SiC-MOSFET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 개별 SiC-MOSFET의 이해 실리콘 카바이드(SiC) 기반 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 즉 개별 SiC-MOSFET은 기존의 실리콘(Si) 기반 MOSFET을 뛰어넘는 우수한 성능을 제공하며 차세대 전력 반도체 소자로 각광받고 있습니다. 이러한 개별 SiC-MOSFET은 단일의 독립적인 반도체 소자로서, 특정 기능이나 용도를 수행하기 위해 설계 및 제작된 제품을 의미합니다. 이 글에서는 개별 SiC-MOSFET의 개념, 특징, 종류 및 주요 응용 분야에 대해 심도 있게 논의하여 그 중요성과 잠재력을 조명하고자 합니다. 개별 SiC-MOSFET의 가장 근본적인 특징은 바로 그 소재인 실리콘 카바이드에서 비롯됩니다. SiC는 실리콘에 비해 훨씬 높은 항복 전압, 높은 열 전도율, 더 높은 임계 전기장, 그리고 넓은 밴드갭을 가지고 있습니다. 이러한 물성은 SiC-MOSFET이 고전압, 고온, 고주파 환경에서 탁월한 성능을 발휘할 수 있도록 하는 기반이 됩니다. 예를 들어, SiC의 높은 항복 전압은 더 얇은 절연층을 사용하여 더 높은 전압을 견딜 수 있게 해주며, 이는 전력 변환 장치의 크기를 줄이고 효율을 높이는 데 기여합니다. 또한, SiC의 높은 열 전도율은 발생하는 열을 효과적으로 방출하여 소자의 신뢰성을 높이고 별도의 복잡한 방열 시스템의 필요성을 줄여줍니다. 넓은 밴드갭 특성은 더 높은 온도에서도 안정적인 동작을 가능하게 하여, 고온 환경에서의 애플리케이션에도 적용될 수 있는 가능성을 열어줍니다. SiC-MOSFET은 기본적인 구조 측면에서 일반적인 MOSFET과 유사한 게이트, 드레인, 소스 단자를 가집니다. 그러나 SiC의 독특한 결정 구조와 높은 캐리어 농도 제어의 어려움으로 인해, Si 기반 MOSFET과는 다른 설계 및 제조 기술이 요구됩니다. SiC는 여러 가지 결정 구조(폴리타입, Polytype)를 가질 수 있으며, 이 중 4H-SiC가 전력 소자에 가장 적합한 것으로 알려져 있습니다. 4H-SiC는 높은 이동도와 낮은 계면 결함 밀도를 제공하기 때문입니다. 개별 SiC-MOSFET은 다양한 형태와 사양으로 출시됩니다. 주요 분류 기준으로는 전압 등급, 전류 용량, 온 저항(Rds(on)), 스위칭 속도 등이 있습니다. 전압 등급은 수백 볼트(V)에서 수 킬로볼트(kV)까지 다양하며, 이는 고전압 시스템에서의 적용 범위를 결정합니다. 전류 용량 또한 수 암페어(A)에서 수백 암페어까지 다양하게 존재하여, 다양한 전력 레벨의 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. 온 저항은 MOSFET의 효율성을 결정하는 중요한 지표로, 낮을수록 전력 손실이 적어집니다. SiC-MOSFET은 Si-MOSFET에 비해 훨씬 낮은 온 저항을 제공하여, 특히 고전력 애플리케이션에서 에너지 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 또한, SiC는 전자 이동도가 높아 더 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있으며, 이는 고주파 동작이 필수적인 전력 변환 회로에서 매우 중요합니다. 개별 SiC-MOSFET의 응용 분야는 매우 광범위합니다. 주요 응용 분야로는 전기 자동차(EV)의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등이 있습니다. EV의 경우, SiC-MOSFET은 차량의 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 핵심적인 역할을 합니다. 높은 효율은 에너지 손실을 최소화하여 배터리 전력을 더 효율적으로 사용하게 하며, 고온에서의 안정성은 혹독한 주행 환경에서도 신뢰성을 보장합니다. 또한, SiC-MOSFET의 빠른 스위칭 속도는 충전 및 구동 시스템의 크기를 줄여 차량 설계의 유연성을 높입니다. 태양광 발전 시스템에서도 개별 SiC-MOSFET은 중요한 역할을 합니다. 인버터는 태양광 패널에서 생산된 직류(DC) 전력을 가정에서 사용하는 교류(AC) 전력으로 변환하는데, 이때 SiC-MOSFET은 높은 효율로 전력 변환을 수행하여 시스템의 전반적인 효율을 높입니다. 이는 더 많은 에너지를 회수하고 시스템의 설치 비용을 절감하는 데 기여합니다. 또한, 데이터 센터의 고효율 전원 공급 장치(PSU), 산업용 전력 변환 장치, 항공 우주 산업의 전력 관리 시스템 등에서도 SiC-MOSFET의 적용이 확대되고 있습니다. 개별 SiC-MOSFET의 성능을 더욱 향상시키고 다양한 응용 분야에 적용하기 위한 관련 기술 연구 또한 활발히 진행되고 있습니다. 예를 들어, 게이트 산화막의 신뢰성을 높이기 위한 기술, 전극 금속화 공정의 개선, 소자의 집적도를 높여 전력 밀도를 향상시키는 기술 등이 연구되고 있습니다. 또한, SiC 소자의 드라이버 회로 설계 또한 중요한 기술적 과제 중 하나입니다. SiC-MOSFET은 높은 스위칭 속도와 높은 전압을 가지므로, 이를 효과적으로 구동하고 보호하기 위한 전용 드라이버 IC 기술이 필요합니다. 최근에는 통합형 드라이버 IC 기술이 발전하면서 SiC-MOSFET 기반의 전력 모듈의 성능과 신뢰성이 더욱 향상되고 있습니다. 결론적으로, 개별 SiC-MOSFET은 기존 실리콘 반도체 기술의 한계를 극복하고 고효율, 고성능, 고신뢰성의 전력 변환 시스템을 구현하는 데 필수적인 부품입니다. 전기 자동차, 신재생 에너지, 산업 자동화 등 다양한 분야에서 SiC-MOSFET의 수요는 지속적으로 증가할 것으로 예상되며, 관련 기술의 발전 또한 가속화될 것입니다. 이러한 추세는 미래 에너지 효율 및 지속 가능한 기술 발전에 있어 개별 SiC-MOSFET의 중요성을 더욱 부각시킬 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 개별 SiC-MOSFET 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D15293) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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