| ■ 영문 제목 : Global Automotive SiC MOSFET Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
![]() | ■ 상품코드 : GIR2407E5273 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 자동차 SiC MOSFET 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 자동차 SiC MOSFET 산업 체인 동향 개요, 자동차 충전기, DC/DC 컨버터, 인버터, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 자동차 SiC MOSFET의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 자동차 SiC MOSFET 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 자동차 SiC MOSFET 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 자동차 SiC MOSFET 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 자동차 SiC MOSFET 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 650V, 1200V, 1700V, 기타)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 자동차 SiC MOSFET 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 자동차 SiC MOSFET 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 자동차 SiC MOSFET 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 자동차 SiC MOSFET에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 자동차 SiC MOSFET 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 자동차 SiC MOSFET에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (자동차 충전기, DC/DC 컨버터, 인버터, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 자동차 SiC MOSFET과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 자동차 SiC MOSFET 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 자동차 SiC MOSFET 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
자동차 SiC MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 650V, 1200V, 1700V, 기타
용도별 시장 세그먼트
– 자동차 충전기, DC/DC 컨버터, 인버터, 기타
주요 대상 기업
– ON Semiconductor,Bosch,Littelfuse, Inc.,Microchip,ROHM CO., LTD.,TOSHIBA,CISSOID,Infineon,Wolfspeed,STMicroelectronics,GeneSiC Semiconductor,Mitsubishi Electric,Shenzhen BASiC Semiconductor LTD
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 자동차 SiC MOSFET 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 자동차 SiC MOSFET의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 자동차 SiC MOSFET의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 자동차 SiC MOSFET 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 자동차 SiC MOSFET 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 자동차 SiC MOSFET 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 자동차 SiC MOSFET의 산업 체인.
– 자동차 SiC MOSFET 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 ON Semiconductor Bosch Littelfuse ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 자동차 SiC MOSFET 이미지 - 종류별 세계의 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 자동차 SiC MOSFET 판매량 (2019-2030) - 세계의 자동차 SiC MOSFET 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 자동차 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 자동차 SiC MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 자동차 SiC MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 자동차 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 지역별 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 북미 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 - 유럽 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 - 아시아 태평양 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 - 남미 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 - 중동 및 아프리카 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 - 세계의 종류별 자동차 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 자동차 SiC MOSFET 평균 가격 - 세계의 용도별 자동차 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 자동차 SiC MOSFET 평균 가격 - 북미 자동차 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 자동차 SiC MOSFET 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 자동차 SiC MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 자동차 SiC MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 유럽 자동차 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 자동차 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 자동차 SiC MOSFET 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 자동차 SiC MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 영국 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 러시아 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 자동차 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 자동차 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 자동차 SiC MOSFET 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 자동차 SiC MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 일본 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 한국 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 인도 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 호주 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남미 자동차 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 자동차 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 자동차 SiC MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 자동차 SiC MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 자동차 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 자동차 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 자동차 SiC MOSFET 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 자동차 SiC MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이집트 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 자동차 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 자동차 SiC MOSFET 시장 성장 요인 - 자동차 SiC MOSFET 시장 제약 요인 - 자동차 SiC MOSFET 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 자동차 SiC MOSFET의 제조 비용 구조 분석 - 자동차 SiC MOSFET의 제조 공정 분석 - 자동차 SiC MOSFET 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 자동차용 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET의 이해 현대 자동차 산업은 전동화, 자율주행 기술의 발전과 함께 고효율, 고성능의 전력 반도체 기술에 대한 요구가 증대되고 있습니다. 이러한 흐름 속에서 차세대 전력 반도체 소재로 주목받고 있는 것이 바로 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC)입니다. 특히, 전기 자동차(EV) 및 하이브리드 자동차(HEV)의 핵심 부품인 인버터, 컨버터, 충전기 등에 적용되는 SiC MOSFET은 기존 실리콘(Si) 기반 MOSFET 대비 월등한 성능을 제공하며 자동차 전력 변환 시스템의 효율을 극대화하는 데 중요한 역할을 하고 있습니다. SiC MOSFET은 이름에서 알 수 있듯이, 반도체 소자의 기반이 되는 물질로 실리콘 대신 실리콘 카바이드(SiC)를 사용한 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 의미합니다. 실리콘은 반도체 산업의 표준 소재로 오랜 기간 사용되어 왔지만, 실리콘 카바이드는 실리콘이 가지는 여러 한계를 극복할 수 있는 우수한 물성을 가지고 있습니다. SiC는 실리콘에 비해 훨씬 높은 항복 전압, 낮은 온 저항, 높은 스위칭 속도, 그리고 넓은 금지대역폭(Band Gap)을 특징으로 합니다. 이러한 특성들은 특히 고전압, 고전류 환경에서 동작하는 자동차 전력 전자 장치에 매우 유리하게 작용합니다. 예를 들어, SiC MOSFET은 동일한 온 저항을 가지면서도 실리콘 MOSFET보다 훨씬 작은 면적을 사용할 수 있습니다. 이는 전력 변환 장치의 크기를 줄이고 무게를 경량화하는 데 기여하며, 이는 곧 전기 자동차의 주행 거리 연장이라는 중요한 목표 달성에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, SiC는 높은 열전도율을 가지고 있어 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고온 환경에서 동작하는 자동차 부품의 신뢰성을 높이고, 냉각 시스템의 부담을 줄여 시스템 전체의 효율을 향상시킵니다. 자동차의 엔진룸이나 배터리 팩 내부와 같이 열악한 환경에서도 안정적인 성능을 발휘하는 데 필수적인 요소입니다. SiC MOSFET은 다양한 종류로 나눌 수 있으며, 이는 주로 소자의 구조와 설계에 따라 구분됩니다. 가장 일반적인 형태는 **수직형(Vertical) SiC MOSFET**입니다. 이 구조는 전류가 소자의 기판을 따라 수직으로 흐르도록 설계되어 고전압 및 고전류 처리에 유리합니다. 수직형 구조는 다시 **DMOS(Double-diffused MOSFET)** 구조와 **Planar MOSFET** 구조로 나눌 수 있습니다. DMOS 구조는 채널 길이를 효과적으로 줄여 온 저항을 낮추는 데 유리하며, 현재 자동차용 SiC MOSFET에서 가장 널리 채택되고 있는 구조 중 하나입니다. Planar MOSFET은 제조 공정이 상대적으로 간단하다는 장점이 있습니다. 최근에는 온 저항을 더욱 낮추고 효율을 극대화하기 위한 다양한 기술들이 연구 및 적용되고 있습니다. 예를 들어, **리세스 에칭(Recess Etching)** 기술을 통해 채널의 전기장 분포를 최적화하여 온 저항을 감소시키는 방식이 있습니다. 또한, **트렌치(Trench)** 구조를 활용하여 채널 영역을 확장하고 전류 밀도를 낮추는 방법도 온 저항 저감에 기여합니다. 소자 전반의 효율 향상뿐만 아니라, 게이트 드라이브 회로의 전력 소비를 줄이기 위한 **낮은 게이트 전하량(Low Gate Charge, Qg)** 설계 또한 중요한 연구 방향입니다. SiC MOSFET의 주요 용도는 전기 자동차의 핵심 부품인 **구동용 인버터(Traction Inverter)**입니다. 구동용 인버터는 배터리의 직류(DC) 전압을 모터를 구동하기 위한 교류(AC) 전압으로 변환하는 역할을 합니다. SiC MOSFET은 높은 효율로 이러한 전력 변환을 수행함으로써 자동차의 에너지 손실을 줄여 주행 거리를 늘리고, 동시에 더 높은 스위칭 주파수에서의 동작을 가능하게 하여 인버터의 크기와 무게를 줄이는 데 크게 기여합니다. 또한, **DC-DC 컨버터(DC-DC Converter)**에서도 SiC MOSFET의 활용이 두드러집니다. 자동차 내에서는 배터리 전압을 다양한 보조 시스템(예: 12V 시스템, 오디오 시스템 등)에 필요한 낮은 전압으로 변환해야 하는데, 이때 사용되는 DC-DC 컨버터의 효율을 높이는 데 SiC MOSFET이 중요한 역할을 합니다. **전기 자동차 충전기(On-board Charger, Off-board Charger)** 역시 SiC MOSFET의 중요한 응용 분야입니다. 충전 과정에서 발생하는 전력 손실을 줄여 충전 시간을 단축하고 충전 효율을 높이는 데 기여합니다. 특히, 고전압 배터리 시스템과의 호환성을 고려할 때 SiC MOSFET의 높은 항복 전압 특성은 매우 유용합니다. SiC MOSFET의 성능을 최대한 활용하기 위해서는 이를 뒷받침하는 **관련 기술**들이 필수적입니다. 먼저, **게이트 드라이버 회로**는 SiC MOSFET을 효율적이고 안정적으로 구동하기 위해 필수적인 기술입니다. SiC MOSFET은 실리콘 MOSFET 대비 높은 게이트 전압에서 동작하며, 빠른 스위칭 속도를 가지므로 이를 효과적으로 제어할 수 있는 전용 게이트 드라이버 IC의 개발이 중요합니다. 다음으로, **열 관리 기술**은 SiC MOSFET의 고성능을 유지하는 데 매우 중요합니다. SiC의 높은 열전도율에도 불구하고, 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위한 효율적인 방열 설계 및 열 인터페이스 재료(TIM)의 사용이 필수적입니다. 이는 소자의 수명과 신뢰성을 보장하는 데 결정적인 역할을 합니다. 더불어, **패키징 기술** 또한 SiC MOSFET의 성능과 신뢰성에 큰 영향을 미칩니다. 기존의 실리콘 MOSFET 패키징과는 달리, SiC의 높은 스위칭 속도와 열 특성을 고려한 새로운 패키징 기술이 요구됩니다. 저유도성(Low Inductance) 패키징 설계는 스위칭 손실을 줄이고 EMI(Electromagnetic Interference)를 감소시키는 데 중요하며, 고온 환경에서의 안정적인 동작을 위한 열 방출 성능 또한 고려되어야 합니다. 최근에는 **칩온 기판(Chip-on-Substrate)** 방식이나 **다이렉트 본딩(Direct Bonding)**과 같은 신기술들이 SiC 파워 모듈 패키징에 적용되고 있습니다. 또한, **소재 기술의 발전**도 계속해서 이루어지고 있습니다. 더 높은 순도의 SiC 웨이퍼 생산, 결정 결함(Crystal Defect) 감소, 그리고 SiC 캐리어(Carrier)의 이동도 향상 등을 통해 소자의 성능을 더욱 끌어올리기 위한 연구가 진행 중입니다. 결론적으로, 자동차용 SiC MOSFET은 전기 자동차의 전력 변환 시스템 효율 향상, 크기 및 무게 감소, 그리고 전반적인 성능 개선에 핵심적인 역할을 하는 차세대 반도체 기술입니다. 우수한 물성을 기반으로 한 다양한 소자 구조와 이를 지원하는 게이트 드라이버, 열 관리, 패키징 기술 등의 발전은 앞으로 전기 자동차 시장의 성장을 가속화하고 더욱 친환경적이고 효율적인 모빌리티 시대를 앞당기는 데 크게 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 자동차 SiC MOSFET 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2407E5273) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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