| ■ 영문 제목 : Overvoltage and Surge Protection IC Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F37991 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 과전압/서지 보호 IC 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 과전압/서지 보호 IC 시장을 대상으로 합니다. 또한 과전압/서지 보호 IC의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 과전압/서지 보호 IC 시장은 자동차, 가전 제품, 항공 우주/군사, 산업, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 과전압/서지 보호 IC 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
과전압/서지 보호 IC 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 100V 이하, 100V – 500V, 500V 이상), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 과전압/서지 보호 IC 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 과전압/서지 보호 IC 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 과전압/서지 보호 IC 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 과전압/서지 보호 IC 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 과전압/서지 보호 IC에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 과전압/서지 보호 IC 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
과전압/서지 보호 IC 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 100V 이하, 100V – 500V, 500V 이상
■ 용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 가전 제품, 항공 우주/군사, 산업, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Kinetic Technologies, Texas Instruments, Analog Devices, Bourns, NXP Semiconductors, ON Semiconductor, Rochester Electronics LLC, STMicroelectronics, Diodes Incorporated, Mornsun Power, Toshiba, ROHM Semiconductor, Infineon Technologies, Shanghai Awinic Technology, Shanghai Prisemi Electronics
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 과전압/서지 보호 IC의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장 규모
3 장 : 과전압/서지 보호 IC 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 과전압/서지 보호 IC 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 과전압/서지 보호 IC 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Kinetic Technologies, Texas Instruments, Analog Devices, Bourns, NXP Semiconductors, ON Semiconductor, Rochester Electronics LLC, STMicroelectronics, Diodes Incorporated, Mornsun Power, Toshiba, ROHM Semiconductor, Infineon Technologies, Shanghai Awinic Technology, Shanghai Prisemi Electronics Kinetic Technologies Texas Instruments Analog Devices 8. 글로벌 과전압/서지 보호 IC 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 과전압/서지 보호 IC 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 과전압/서지 보호 IC 세그먼트, 2023년 - 용도별 과전압/서지 보호 IC 세그먼트, 2023년 - 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장 개요, 2023년 - 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 과전압/서지 보호 IC 매출, 2019-2030 - 글로벌 과전압/서지 보호 IC 판매량: 2019-2030 - 과전압/서지 보호 IC 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 가격 - 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 가격 - 지역별 과전압/서지 보호 IC 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 지역별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 지역별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 미국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 캐나다 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 멕시코 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 유럽 국가별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 독일 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 프랑스 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 영국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 이탈리아 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 러시아 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 아시아 지역별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 중국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 일본 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 한국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 동남아시아 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 인도 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 남미 국가별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 브라질 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 아르헨티나 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 - 터키 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 이스라엘 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 사우디 아라비아 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 아랍에미리트 과전압/서지 보호 IC 시장규모 - 글로벌 과전압/서지 보호 IC 생산 능력 - 지역별 과전압/서지 보호 IC 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 과전압/서지 보호 IC 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 과전압/서지 보호 IC는 전기전자 시스템을 과도한 전압이나 순간적인 고전압(서지)으로부터 보호하는 반도체 부품입니다. 이러한 보호 장치는 예상치 못한 전압 스파이크가 발생하여 민감한 전자 부품에 손상을 입히거나 오작동을 일으키는 것을 방지하는 데 필수적입니다. 현대 사회에서 전기전자 제품의 보급이 확대되고 고성능, 고집적화되는 경향에 따라, 이러한 보호 장치의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 과전압/서지 보호 IC의 기본적인 개념은 비정상적으로 높은 전압이 시스템에 유입될 때, 이를 신속하게 감지하고 안전한 경로로 우회시키거나 흡수하여 보호 대상 회로에 도달하는 것을 차단하는 것입니다. 이는 마치 수도관에 갑자기 수압이 높아졌을 때 안전밸브가 열려 초과된 물을 배출시켜 수도관이 파손되는 것을 막는 것과 유사한 원리입니다. 이러한 보호 IC들은 다양한 방식으로 동작할 수 있습니다. 가장 일반적인 메커니즘 중 하나는 "클램핑(Clamping)"입니다. 클램핑이란 과전압이 특정 임계값 이상으로 상승하면 해당 보호 소자가 활성화되어 전압을 일정 수준 이하로 억제하는 방식입니다. 또 다른 방식으로는 "회생(Crowbar)"이라고 불리는 메커니즘이 있습니다. 회생 방식은 과전압이 감지되면 보호 소자가 매우 낮은 임피던스 상태가 되어 마치 단락(short circuit)과 같이 작동함으로써 과전류를 흘려보내고, 이 과정에서 회로 차단기나 퓨즈가 작동하여 시스템 전체를 보호합니다. 과전압/서지 보호 IC의 특징은 매우 다양하며, 특정 용도와 요구사항에 따라 적합한 소자가 선택됩니다. 주요 특징으로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **응답 속도**입니다. 서지 현상은 매우 짧은 시간 내에 발생하기 때문에 보호 IC는 이러한 과도 현상을 신속하게 감지하고 대응해야 합니다. 나노초(ns) 단위의 응답 속도는 일반적인 요구 사항입니다. 둘째, **클램핑 전압** 또는 **항복 전압**입니다. 이는 보호 IC가 작동하여 전압을 억제하기 시작하는 기준 전압을 의미합니다. 시스템에서 허용 가능한 최대 전압보다 약간 높은 수준으로 설정되어야 합니다. 셋째, **에너지 흡수 능력**입니다. 서지 이벤트는 상당한 에너지를 동반할 수 있으므로, 보호 IC는 이러한 에너지를 안전하게 흡수하거나 방출할 수 있는 능력이 있어야 합니다. 줄(Joule) 단위로 표현되는 경우가 많습니다. 넷째, **누설 전류**입니다. 정상 작동 상태에서 보호 IC를 통과하는 전류를 의미합니다. 이 전류는 가능한 한 낮아야 전력 소비를 줄이고 시스템 효율을 높일 수 있습니다. 다섯째, **내구성**입니다. 반복적인 서지 이벤트에 대해 안정적으로 작동해야 하며, 극심한 환경 조건에서도 성능을 유지할 수 있어야 합니다. 여섯째, **패키지 및 크기**입니다. 현대 전자 기기는 소형화되는 경향이 있으므로, 보호 IC 역시 작고 집적하기 쉬운 형태로 제공되는 것이 중요합니다. 과전압/서지 보호 IC는 그 작동 원리나 구성 소자에 따라 여러 종류로 나눌 수 있습니다. 하나는 **트랜지언트 전압 억제기(Transient Voltage Suppressor, TVS) 다이오드**입니다. TVS 다이오드는 실리콘 또는 갈륨비소화물(GaAs)로 만들어지며, 일반적인 제너 다이오드보다 훨씬 빠른 응답 속도와 높은 에너지 흡수 능력을 가집니다. 양방향 TVS 다이오드는 교류(AC) 회로에서도 사용할 수 있습니다. 또 다른 중요한 종류는 **서지 보호기(Surge Protector)**입니다. 서지 보호기에는 다양한 기술이 적용될 수 있습니다. 예를 들어, **금속 산화물 배리스터(Metal Oxide Varistor, MOV)**는 서지 에너지를 흡수하는 데 널리 사용됩니다. MOV는 비선형 저항 특성을 가지며, 정상 전압에서는 높은 저항을 유지하다가 서지 전압이 발생하면 저항이 급격히 감소하여 과도 전류를 흡수합니다. 하지만 MOV는 수명 제한이 있고 반복적인 서지 이벤트에 성능이 저하될 수 있다는 단점이 있습니다. **가스 방전관(Gas Discharge Tube, GDT)** 또한 서지 보호에 사용됩니다. GDT는 두 개의 전극 사이에 불활성 가스가 채워진 진공관으로, 과전압이 발생하면 가스가 이온화되어 방전이 일어나면서 회로를 단락시켜 서지 전류를 안전하게 방출합니다. GDT는 높은 에너지 흡수 능력을 가지지만, 응답 속도가 상대적으로 느리고 방전 후에도 일정 시간 동안 낮은 임피던스를 유지하는 경향이 있어 후속 회로의 오작동을 유발할 수 있습니다. **실리콘 제어 정류기(Silicon Controlled Rectifier, SCR) 또는 실리콘 제어 스위치(Silicon Controlled Switch, SCS) 기반 보호기**도 있습니다. 이들은 과전압이 감지되면 트리거되어 회로를 단락시키는 방식으로 동작하며, TVS 다이오드보다 더 높은 전류를 처리할 수 있습니다. 특수 목적을 위한 **폴리머 양극성 서지 보호기(Polymer Positive Temperature Coefficient, PPTC) 또는 재설정 가능한 퓨즈(Resettable Fuse)**는 과전류가 발생하면 저항이 급격히 증가하여 전류를 제한하는 방식으로 작동합니다. 이는 과전압 자체보다는 과전압으로 인해 발생하는 과전류로부터 회로를 보호하는 데 사용됩니다. 이러한 과전압/서지 보호 IC들은 매우 광범위한 분야에서 활용됩니다. **통신 장비** 분야에서는 전화선, 이더넷 케이블, USB 포트 등에서 발생하는 서지로부터 네트워크 인터페이스 카드, 모뎀, 라우터 등의 민감한 부품을 보호합니다. 예를 들어, 낙뢰로 인한 전력선 유도 서지는 통신망에 치명적인 손상을 입힐 수 있습니다. **전원 공급 장치(Power Supply Unit, PSU)**에서도 중요한 역할을 합니다. 전력선에서 발생하는 서지는 전원 공급 장치 자체를 손상시킬 뿐만 아니라, 이 전원 공급 장치에 연결된 모든 전자 기기에 영향을 미칠 수 있습니다. 따라서 전원 입력단에 적절한 서지 보호 회로를 적용하는 것이 필수적입니다. **소비자 가전제품** 분야에서는 TV, 컴퓨터, 냉장고, 세탁기 등 가정에서 사용되는 모든 전자 제품의 내구성과 신뢰성을 향상시키는 데 기여합니다. 가정 내에서도 순간적인 전압 변동이나 외부 서지가 발생할 수 있으며, 보호 IC는 이러한 위험으로부터 기기를 보호합니다. **자동차 전자 장치** 또한 과전압/서지 보호의 중요한 대상입니다. 자동차는 발전기와 배터리 시스템을 갖추고 있어, 시동 시 발생하는 전압 변동이나 전기 부품의 스위칭으로 인한 서지가 발생할 수 있습니다. 또한 외부 충격이나 낙뢰로 인한 영향도 고려해야 하므로, 자동차 ECU(Electronic Control Unit) 및 각종 센서 보호에 필수적입니다. **산업 자동화 설비**에서는 공장 환경에서 발생하는 다양한 전기적 노이즈와 서지로부터 정밀한 제어 시스템, 센서, 모터 드라이브 등을 보호해야 합니다. 강력한 전기 모터나 용접기와 같은 설비는 상당한 전자기 간섭(EMI)과 서지를 발생시킬 수 있습니다. **의료 기기** 분야에서는 환자의 생명과 직결되는 경우가 많으므로, 극도의 신뢰성과 안전성이 요구됩니다. 전원 공급 장치의 불안정성이나 외부 전기적 간섭으로부터 환자 모니터, 인공호흡기 등 민감한 의료 장비를 보호하는 것이 매우 중요합니다. 관련 기술 측면에서도 흥미로운 발전이 이루어지고 있습니다. **고속 신호 처리**를 위한 보호 기술은 데이터 전송 속도가 빨라짐에 따라 더욱 중요해지고 있습니다. 고주파 신호선에서는 낮은 기생 용량(capacitance)과 기생 인덕턴스(inductance)를 가지면서도 효과적인 서지 보호를 제공하는 것이 요구됩니다. 이를 위해 실리콘 기반의 TVS 다이오드나 집적화된 보호 회로 기술이 발전하고 있습니다. **낮은 클램핑 전압**을 제공하는 보호 기술 역시 중요합니다. 최신 전자 기기들은 더욱 낮은 작동 전압을 사용하며, 이는 서지로부터 보호받아야 하는 전압 범위가 더욱 좁아짐을 의미합니다. 따라서 더욱 정밀하고 낮은 클램핑 전압을 구현할 수 있는 보호 IC의 필요성이 증가하고 있습니다. **집적화(Integration) 기술**은 보호 기능을 주요 칩 내부에 통합하거나, 여러 보호 기능을 하나의 소자에 집약하는 방향으로 발전하고 있습니다. 이는 전체 시스템의 크기를 줄이고 비용을 절감하며 신뢰성을 높이는 데 기여합니다. 예를 들어, USB 포트 보호를 위해 데이터 라인 보호와 전원 라인 보호 기능을 하나의 칩에 통합한 솔루션들이 등장하고 있습니다. 또한, **더욱 견고하고 예측 가능한 보호 성능**을 제공하기 위한 연구가 계속되고 있습니다. 이는 환경 변화(온도, 습도 등)에 덜 민감하고, 시간이 지나도 성능 저하가 적은 소재나 구조를 개발하는 것을 포함합니다. 결론적으로, 과전압/서지 보호 IC는 현대 전자 시스템의 안정적인 작동과 수명을 보장하는 데 없어서는 안 될 중요한 부품입니다. 기술의 발전과 함께 더욱 작고, 빠르고, 효율적인 보호 솔루션에 대한 요구는 계속될 것이며, 이는 관련 반도체 기술의 지속적인 발전을 견인할 것입니다. |
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