| ■ 영문 제목 : IGBT and Thyristor Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F26379 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, IGBT/사이리스터 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 IGBT/사이리스터 시장을 대상으로 합니다. 또한 IGBT/사이리스터의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 IGBT/사이리스터 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. IGBT/사이리스터 시장은 연성 AC 전송 시스템 (FACTS), HVDC를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 IGBT/사이리스터 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 IGBT/사이리스터 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
IGBT/사이리스터 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 IGBT/사이리스터 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 IGBT/사이리스터 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 고전력, 중간 전력, 저전력), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 IGBT/사이리스터 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 IGBT/사이리스터 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 IGBT/사이리스터 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 IGBT/사이리스터 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 IGBT/사이리스터 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 IGBT/사이리스터 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 IGBT/사이리스터에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 IGBT/사이리스터 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
IGBT/사이리스터 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 고전력, 중간 전력, 저전력
■ 용도별 시장 세그먼트
– 연성 AC 전송 시스템 (FACTS), HVDC
■ 지역별 및 국가별 글로벌 IGBT/사이리스터 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Fuji Electric, ABB, Infineon Technologies, ON Semiconductor, Hitachi, Mitsubishi Electric, Littelfuse (IXYS), Toshiba, SEMIKRON, Danfoss, STARPOWER SEMICONDUCTOR
[주요 챕터의 개요]
1 장 : IGBT/사이리스터의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 IGBT/사이리스터 시장 규모
3 장 : IGBT/사이리스터 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 IGBT/사이리스터 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 IGBT/사이리스터 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 IGBT/사이리스터 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Fuji Electric, ABB, Infineon Technologies, ON Semiconductor, Hitachi, Mitsubishi Electric, Littelfuse (IXYS), Toshiba, SEMIKRON, Danfoss, STARPOWER SEMICONDUCTOR Fuji Electric ABB Infineon Technologies 8. 글로벌 IGBT/사이리스터 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. IGBT/사이리스터 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 IGBT/사이리스터 세그먼트, 2023년 - 용도별 IGBT/사이리스터 세그먼트, 2023년 - 글로벌 IGBT/사이리스터 시장 개요, 2023년 - 글로벌 IGBT/사이리스터 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 IGBT/사이리스터 매출, 2019-2030 - 글로벌 IGBT/사이리스터 판매량: 2019-2030 - IGBT/사이리스터 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 IGBT/사이리스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 IGBT/사이리스터 가격 - 글로벌 용도별 IGBT/사이리스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 IGBT/사이리스터 가격 - 지역별 IGBT/사이리스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 지역별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 지역별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 미국 IGBT/사이리스터 시장규모 - 캐나다 IGBT/사이리스터 시장규모 - 멕시코 IGBT/사이리스터 시장규모 - 유럽 국가별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 독일 IGBT/사이리스터 시장규모 - 프랑스 IGBT/사이리스터 시장규모 - 영국 IGBT/사이리스터 시장규모 - 이탈리아 IGBT/사이리스터 시장규모 - 러시아 IGBT/사이리스터 시장규모 - 아시아 지역별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 중국 IGBT/사이리스터 시장규모 - 일본 IGBT/사이리스터 시장규모 - 한국 IGBT/사이리스터 시장규모 - 동남아시아 IGBT/사이리스터 시장규모 - 인도 IGBT/사이리스터 시장규모 - 남미 국가별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 브라질 IGBT/사이리스터 시장규모 - 아르헨티나 IGBT/사이리스터 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 IGBT/사이리스터 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 IGBT/사이리스터 판매량 시장 점유율 - 터키 IGBT/사이리스터 시장규모 - 이스라엘 IGBT/사이리스터 시장규모 - 사우디 아라비아 IGBT/사이리스터 시장규모 - 아랍에미리트 IGBT/사이리스터 시장규모 - 글로벌 IGBT/사이리스터 생산 능력 - 지역별 IGBT/사이리스터 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - IGBT/사이리스터 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## IGBT와 사이리스터의 이해 전력전자 분야에서 스위칭 소자는 회로의 전류 흐름을 제어하는 핵심적인 역할을 수행합니다. 특히 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)와 사이리스터(Thyristor)는 각각 독자적인 특성과 장점을 바탕으로 다양한 전력 변환 시스템에 폭넓게 활용되고 있습니다. 본 글에서는 이 두 소자의 개념, 특징, 종류, 용도 및 관련 기술에 대해 자세히 살펴봄으로써 전력전자 시스템에 대한 이해를 넓히고자 합니다. **사이리스터(Thyristor): 전력 제어의 역사를 열다** 사이리스터는 네 개의 반도체층(P-N-P-N 구조)으로 구성된 전력 스위칭 소자입니다. 게이트 단자에 트리거 신호를 인가하면 양방향으로 전류를 흘릴 수 있는 다이오드와 달리, 사이리스터는 단방향으로만 전류를 흘릴 수 있습니다. 이러한 특성으로 인해 사이리스터는 전력 제어 분야에서 혁신적인 변화를 가져왔습니다. 사이리스터의 가장 큰 특징은 **자가 유지(latching)** 기능입니다. 일단 게이트 신호에 의해 턴온(On)되면, 애노드-캐소드 간 전류가 유지 전류(holding current) 이상으로 흐르는 한 게이트 신호가 제거되어도 계속 도통 상태를 유지합니다. 전류가 차단 전류(latching current) 이하로 떨어지거나 역전압이 인가될 때 비로소 턴오프(Off)됩니다. 이러한 특성 덕분에 사이리스터는 비교적 간단한 제어 회로로도 대용량의 전력을 제어할 수 있습니다. 사이리스터는 구조와 작동 방식에 따라 여러 종류로 나뉩니다. 가장 대표적인 것은 **SCR(Silicon Controlled Rectifier)**입니다. SCR은 세 개의 단자(애노드, 캐소드, 게이트)를 가지며, 애노드에서 캐소드 방향으로만 전류를 제어할 수 있습니다. SCR 외에도 **GTO(Gate Turn-Off Thyristor)**는 게이트 신호로 턴오프가 가능한 사이리스터로, 복잡한 강제 전압/전류 소거 회로 없이도 제어가 가능하여 고전력 스위칭 응용에 유리합니다. **트라이악(TRIAC)**은 두 개의 SCR을 역병렬로 연결한 것과 유사한 구조로, 양방향으로 교류 전력을 제어하는 데 사용됩니다. 이 외에도 **다이악(DIAC)**, **UJT(Unijunction Transistor)** 등은 사이리스터의 트리거 소자로 활용되기도 합니다. 사이리스터의 주요 용도로는 **전력 조절기(Power Regulator)**, **전기 난방 제어**, **전동차 제어**, **산업용 모터 속도 제어**, **인버터 및 컨버터**, **조광기(Dimmer)** 등이 있습니다. 특히 고전압, 대전류 환경에서 신뢰성이 높고 가격이 저렴하여 산업 현장에서 널리 사용되어 왔습니다. 사이리스터 관련 기술로는 **게이트 구동 회로(Gate Drive Circuit)**, **턴오프 회로(Turn-off Circuit)**, **방열 설계(Thermal Design)** 등이 중요합니다. 사이리스터의 안정적인 스위칭 동작을 위해서는 적절한 게이트 전류 및 전압 공급이 필수적이며, GTO와 같이 게이트로 턴오프되는 소자의 경우 복잡한 게이트 제어 회로가 요구됩니다. 또한, 고전력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위한 방열 설계는 소자의 수명과 신뢰성을 결정하는 중요한 요소입니다. **IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor): 현대 전력 전자의 신뢰주자** IGBT는 모스펫(MOSFET)의 장점과 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)의 장점을 결합한 하이브리드 소자입니다. 즉, 모스펫과 같이 게이트 전압으로 스위칭을 제어할 수 있어 구동이 용이하면서도, 바이폴라 트랜지스터와 같이 콜렉터-이미터 간 전압 강하가 낮아 고전류, 고전력 스위칭에 적합합니다. IGBT의 가장 큰 특징은 **높은 입력 임피던스**와 **낮은 온-상태 전압 강하(low on-state voltage drop)**입니다. 게이트가 절연되어 있어 전압 제어 방식이므로, 전류 제어 방식인 바이폴라 트랜지스터에 비해 입력 임피던스가 매우 높아 구동 회로의 부하가 적습니다. 또한, 콜렉터-이미터 간 전압 강하가 낮아 스위칭 시 발생하는 전력 손실이 작다는 장점이 있습니다. 이러한 특성 덕분에 IGBT는 기존의 사이리스터나 바이폴라 트랜지스터로는 구현하기 어려웠던 고주파 스위칭 및 고효율 전력 변환 시스템에 널리 활용될 수 있게 되었습니다. IGBT 역시 구조에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 일반적인 IGBT 외에도 **FGT(Field-effect Gate Transistor)** 또는 **GCT(Gate Commutated Thyristor)**와 같이 게이트 제어로 턴온 및 턴오프가 모두 가능한 소자들이 개발되어 왔습니다. 또한, 소자의 스위칭 속도와 전력 손실을 개선하기 위한 다양한 구조적 설계(예: Trench Gate 구조, Punch-Through 구조 등)가 적용되고 있습니다. IGBT의 주요 용도는 매우 광범위합니다. **전동차 및 하이브리드/전기 자동차의 구동 시스템**, **산업용 고주파 유도 가열 장치**, **무정전 전원 장치(UPS)**, **태양광 및 풍력 발전 시스템의 인버터**, **전기 용접기**, **고전력 스위칭 모드 파워 서플라이(SMPS)** 등 고효율, 고성능이 요구되는 다양한 분야에서 핵심 부품으로 사용됩니다. 특히, 전력 변환 효율이 중요한 시스템에서 IGBT는 에너지 절감에 크게 기여합니다. IGBT 관련 기술로는 **게이트 드라이버 회로 설계**, **방열 설계**, **고속 스위칭 기술**, **보호 회로 설계** 등이 있습니다. IGBT의 빠른 스위칭 속도를 활용하기 위해서는 게이트 드라이버 회로의 성능이 매우 중요하며, 스위칭 시 발생하는 과도 현상을 효과적으로 제어해야 합니다. 또한, IGBT는 모스펫보다 온-상태 전압 강하가 낮지만, 고전력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 관리하기 위한 방열 설계 및 방열판 기술 또한 매우 중요합니다. 최근에는 캐패시터와 인덕터를 활용하여 스위칭 시 발생하는 전압 및 전류 스트레스를 줄이는 **공진 스위칭 기술(Resonant Switching)**과 함께 IGBT를 사용하여 스위칭 손실을 더욱 최소화하는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 또한, 과전압, 과전류, 과열로부터 IGBT를 보호하기 위한 정교한 보호 회로 설계 또한 시스템의 안정성과 신뢰성을 보장하는 데 필수적입니다. **IGBT와 사이리스터의 비교 및 미래 전망** IGBT와 사이리스터는 각각의 고유한 특성으로 인해 상호 보완적인 관계를 가지며 전력 전자 산업 발전에 기여해왔습니다. 사이리스터는 고전압, 대전류 환경에서 높은 신뢰성과 경제성을 제공하며, 비교적 느린 스위칭 속도를 요구하는 응용 분야에 적합합니다. 반면, IGBT는 빠른 스위칭 속도, 낮은 전력 손실, 용이한 구동 특성을 바탕으로 고효율, 고성능, 고주파 응용 분야에서 압도적인 우위를 보입니다. 최근에는 전력 전자 기술의 발전과 함께 더욱 고성능화된 소자들이 개발되고 있으며, 두 소자의 경계가 모호해지는 경향도 보입니다. 예를 들어, GTO와 같은 게이트 제어 사이리스터는 IGBT와 유사한 제어 특성을 가지면서도 더 높은 전압 정격을 가질 수 있습니다. 또한, SiC (Silicon Carbide) 또는 GaN (Gallium Nitride)과 같은 차세대 반도체 소재를 기반으로 하는 IGBT 또는 스위칭 소자들은 기존 실리콘(Si) 기반 소자보다 훨씬 높은 스위칭 주파수, 더 낮은 전력 손실, 더 높은 온도에서의 동작을 가능하게 할 것으로 기대됩니다. 이러한 차세대 소재 기반의 전력 전자 소자들은 전기 자동차, 재생 에너지 시스템, 고효율 전력 공급 장치 등 미래 사회의 핵심 기술에 적용되어 에너지 효율을 극대화하고 시스템의 성능을 한 단계 끌어올릴 것으로 전망됩니다. 따라서 IGBT와 사이리스터에 대한 깊이 있는 이해는 물론, 이를 기반으로 하는 새로운 기술 동향을 지속적으로 파악하는 것이 중요합니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 IGBT/사이리스터 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F26379) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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