| ■ 영문 제목 : IGBT Power Module Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F26382 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, IGBT 전원 모듈 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 IGBT 전원 모듈 시장을 대상으로 합니다. 또한 IGBT 전원 모듈의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 IGBT 전원 모듈 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. IGBT 전원 모듈 시장은 서보 모터, 주파수 변환기, 주파수 변환 기기를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 IGBT 전원 모듈 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 IGBT 전원 모듈 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
IGBT 전원 모듈 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 IGBT 전원 모듈 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 IGBT 전원 모듈 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: <400V, 600–650V, 1, 200–1, 700V, 2, 500–3, 300V, > 4, 500V), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 IGBT 전원 모듈 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 IGBT 전원 모듈 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 IGBT 전원 모듈 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 IGBT 전원 모듈 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 IGBT 전원 모듈 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 IGBT 전원 모듈 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 IGBT 전원 모듈에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 IGBT 전원 모듈 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
IGBT 전원 모듈 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– <400V, 600–650V, 1, 200–1, 700V, 2, 500–3, 300V, > 4, 500V
■ 용도별 시장 세그먼트
– 서보 모터, 주파수 변환기, 주파수 변환 기기
■ 지역별 및 국가별 글로벌 IGBT 전원 모듈 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, ON Semiconductor, SEMIKRON, Hitachi, Danfoss, Renesas Electronics, Microsemi, ABB, Littelfuse, Mouser Electronics
[주요 챕터의 개요]
1 장 : IGBT 전원 모듈의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 IGBT 전원 모듈 시장 규모
3 장 : IGBT 전원 모듈 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 IGBT 전원 모듈 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 IGBT 전원 모듈 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 IGBT 전원 모듈 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, ON Semiconductor, SEMIKRON, Hitachi, Danfoss, Renesas Electronics, Microsemi, ABB, Littelfuse, Mouser Electronics Infineon Technologies Mitsubishi Electric Fuji Electric 8. 글로벌 IGBT 전원 모듈 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. IGBT 전원 모듈 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 IGBT 전원 모듈 세그먼트, 2023년 - 용도별 IGBT 전원 모듈 세그먼트, 2023년 - 글로벌 IGBT 전원 모듈 시장 개요, 2023년 - 글로벌 IGBT 전원 모듈 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 IGBT 전원 모듈 매출, 2019-2030 - 글로벌 IGBT 전원 모듈 판매량: 2019-2030 - IGBT 전원 모듈 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 IGBT 전원 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 IGBT 전원 모듈 가격 - 글로벌 용도별 IGBT 전원 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 IGBT 전원 모듈 가격 - 지역별 IGBT 전원 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 지역별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 지역별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 미국 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 캐나다 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 멕시코 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 유럽 국가별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 독일 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 프랑스 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 영국 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 이탈리아 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 러시아 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 아시아 지역별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 중국 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 일본 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 한국 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 동남아시아 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 인도 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 남미 국가별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 브라질 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 아르헨티나 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 IGBT 전원 모듈 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 IGBT 전원 모듈 판매량 시장 점유율 - 터키 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 이스라엘 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 사우디 아라비아 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 아랍에미리트 IGBT 전원 모듈 시장규모 - 글로벌 IGBT 전원 모듈 생산 능력 - 지역별 IGBT 전원 모듈 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - IGBT 전원 모듈 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## IGBT 전원 모듈의 이해 전력전자 기술의 발전은 다양한 반도체 소자의 등장과 함께 급격한 변화를 겪어왔습니다. 그중에서도 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 전원 모듈은 현대 전력 변환 시스템에서 핵심적인 역할을 수행하며, 고효율, 고밀도, 고신뢰성의 전력 시스템 구현에 필수적인 부품으로 자리 잡았습니다. IGBT 전원 모듈은 개별적인 IGBT 소자를 여러 개 통합하고, 필요한 주변 회로와 패키징 기술을 결합하여 하나의 모듈 형태로 제공되는 반도체 장치입니다. 이러한 모듈 형태는 전력 시스템 설계 및 제작 과정을 단순화하고, 성능 및 신뢰성을 향상시키는 데 크게 기여합니다. IGBT는 이름에서도 알 수 있듯이 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)의 전류 구동 능력과 모스펫(MOSFET)의 전압 제어 용이성을 결합한 하이브리드 소자입니다. 게이트 전압에 의해 전류가 제어되므로, 기존의 사이리스터(Thyristor)나 GTO(Gate Turn-off Thyristor)와 같은 소자에 비해 제어가 용이하며, 높은 스위칭 속도를 구현할 수 있습니다. 또한, 바이폴라 소자의 특성으로 인해 낮은 온-저항(On-resistance)을 가지므로 전력 손실을 줄여 효율을 높이는 데 유리합니다. 이러한 IGBT 소자들은 개별적으로 사용되기도 하지만, 전력 변환 시스템에서는 여러 개의 IGBT 소자를 적절히 조합하고 제어 회로, 보호 회로 등을 통합한 "IGBT 전원 모듈" 형태로 사용되는 것이 일반적입니다. IGBT 전원 모듈은 여러 장점을 가지고 있습니다. 첫째, 높은 스위칭 속도입니다. 기존의 사이리스터 계열 소자에 비해 수십에서 수백 kHz에 이르는 높은 주파수로 스위칭이 가능하여, 전력 변환기의 크기를 줄이고 응답성을 향상시킬 수 있습니다. 둘째, 높은 전류 및 전압 처리 능력입니다. 수백 암페어에서 수천 암페어의 전류를, 수백 볼트에서 수천 볼트의 전압을 견딜 수 있어 다양한 전력 용량의 시스템에 적용 가능합니다. 셋째, 낮은 온-상태 전압 강하(On-state voltage drop)입니다. 이는 전력 효율을 높이는 데 직접적으로 기여하며, 발열을 줄여주는 효과도 있습니다. 넷째, 우수한 열 방출 능력입니다. 모듈 형태는 내부의 열을 효과적으로 외부로 전달하기 위한 방열판 및 냉각 시스템과 통합되기 용이하여, 고출력 동작 시에도 안정성을 유지할 수 있습니다. 다섯째, 집적화 및 모듈화로 인한 설계 및 조립의 용이성입니다. 여러 소자와 회로를 하나의 패키지로 제공함으로써 전체 시스템의 복잡성을 줄이고 조립 시간을 단축할 수 있으며, 이는 생산 비용 절감으로 이어집니다. IGBT 전원 모듈은 그 내부 구성 및 기능에 따라 다양한 형태로 분류될 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 단일 IGBT 소자만을 포함하는 모듈입니다. 그러나 실제 전력 변환 시스템에서는 두 개 이상의 IGBT 소자를 조합하여 사용하는 경우가 많습니다. 예를 들어, 하프-브리지(Half-bridge) 모듈은 두 개의 IGBT와 두 개의 프리휠링 다이오드(Freewheeling diode)를 포함하며, 인버터(Inverter) 구성에 널리 사용됩니다. 풀-브리지(Full-bridge) 또는 위상 모듈(Phase module)은 하프-브리지 모듈 두 개를 조합한 형태로, 삼상 인버터와 같은 더 복잡한 토폴로지에 활용됩니다. 또한, IGBT와 MOSFET을 함께 통합한 IPM(Intelligent Power Module)은 제어 회로와 보호 기능을 내장하여 사용자가 더욱 쉽게 전력 변환 시스템을 설계하고 제어할 수 있도록 합니다. 최근에는 SiC(Silicon Carbide) 또는 GaN(Gallium Nitride)과 같은 차세대 반도체 소재를 활용한 IGBT 또는 MOSFET 기반의 전력 모듈도 등장하여, 기존 실리콘 기반 소자 대비 더욱 향상된 성능을 제공합니다. IGBT 전원 모듈의 용도는 매우 광범위합니다. 산업용 모터 드라이브는 IGBT 모듈의 가장 대표적인 적용 분야 중 하나입니다. 가변 주파수 드라이브(VFD)를 통해 모터의 속도를 정밀하게 제어하여 에너지 효율을 극대화하고, 생산성을 향상시킵니다. 전기 자동차 및 하이브리드 자동차의 파워트레인 시스템에서도 IGBT 모듈은 핵심 부품으로 사용됩니다. 배터리의 직류(DC) 전력을 모터 구동에 필요한 교류(AC) 전력으로 변환하는 인버터, DC-DC 컨버터 등 다양한 전력 변환 장치에 IGBT 모듈이 탑재됩니다. 또한, 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 컨버터, UPS(Uninterruptible Power Supply), 전력망 품질 개선 장치, 고주파 유도가열 장치, 용접기 등 전력을 변환하고 제어하는 거의 모든 분야에서 IGBT 전원 모듈을 찾아볼 수 있습니다. IGBT 전원 모듈의 성능과 신뢰성을 높이기 위한 관련 기술 또한 지속적으로 발전하고 있습니다. 소자 자체의 기술로는 단채널 장벽(Collector-Emitter Breakdown Voltage)을 높이거나, 온-저항을 낮추는 새로운 구조 및 제조 공정이 연구되고 있습니다. 특히, 고온에서도 안정적으로 동작하는 내열성 및 내습성을 갖춘 소자 개발이 중요시되고 있습니다. 패키징 기술은 IGBT 모듈의 성능에 결정적인 영향을 미칩니다. 효율적인 열 방출을 위한 첨단 방열 소재 및 구조 설계, 고속 스위칭 시 발생하는 기생 인덕턴스를 최소화하는 내부 배선 기술, 장기간 사용에도 안정적인 전기적 연결을 보장하는 본딩(Bonding) 기술 등이 중요합니다. 또한, 모듈 내부에 센서 및 제어 IC를 통합하여 과전압, 과전류, 과열 등을 감지하고 신속하게 대처하는 지능형 모듈 기술도 발전을 거듭하고 있습니다. 최근에는 SiC 및 GaN과 같은 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 반도체 소재를 활용한 전력 모듈 기술이 주목받고 있습니다. 이러한 소재는 기존 실리콘 대비 훨씬 높은 항복 전압, 낮은 온-저항, 고온에서의 안정적인 동작, 그리고 매우 빠른 스위칭 속도를 제공하여 전력 변환기의 효율을 극대화하고 크기를 줄이는 데 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 결론적으로, IGBT 전원 모듈은 고효율, 고성능의 전력 변환 시스템을 구현하는 데 필수적인 핵심 부품입니다. 그 독특한 전기적 특성과 모듈화된 설계는 현대 산업 전반에 걸쳐 에너지 효율 향상, 시스템 소형화, 신뢰성 증대에 크게 기여하고 있습니다. 앞으로도 지속적인 소자 기술 및 패키징 기술의 발전과 함께, 차세대 반도체 소재의 적용을 통해 더욱 혁신적인 전력 변환 시스템의 등장을 이끌어낼 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 IGBT 전원 모듈 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F26382) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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