| ■ 영문 제목 : Global InGaAs PIN Receivers Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1300 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 103 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 InGaAs PIN 수신기의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 InGaAs PIN 수신기 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 InGaAs PIN 수신기 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 InGaAs PIN 수신기 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 InGaAs PIN 수신기 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (전면 수신기, 채널 수신기) 시장규모와 용도별 (광통신, 광 LAN, OE 컨버터, 도플러 측정, 군사 통신) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 InGaAs PIN 수신기 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 InGaAs PIN 수신기 시장분석 - 종류별 InGaAs PIN 수신기 시장규모 2020년-2025년 (전면 수신기, 채널 수신기) - 용도별 InGaAs PIN 수신기 시장규모 2020년-2025년 (광통신, 광 LAN, OE 컨버터, 도플러 측정, 군사 통신) 기업별 InGaAs PIN 수신기 시장분석 - 기업별 InGaAs PIN 수신기 판매량 - 기업별 InGaAs PIN 수신기 매출액 - 기업별 InGaAs PIN 수신기 판매가격 - 주요기업의 InGaAs PIN 수신기 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 InGaAs PIN 수신기 판매량 2020년-2025년 - 지역별 InGaAs PIN 수신기 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 종류별 - 미주의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 용도별 - 미국 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 캐나다 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 멕시코 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 브라질 InGaAs PIN 수신기 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 용도별 - 중국 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 일본 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 한국 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 동남아시아 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 인도 InGaAs PIN 수신기 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 종류별 - 유럽의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 용도별 - 독일 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 프랑스 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 영국 InGaAs PIN 수신기 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 InGaAs PIN 수신기 시장규모 : 용도별 - 이집트 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 남아프리카 InGaAs PIN 수신기 시장규모 - 중동GCC InGaAs PIN 수신기 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - InGaAs PIN 수신기의 제조원가 구조 분석 - InGaAs PIN 수신기의 제조 프로세스 분석 - InGaAs PIN 수신기의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - InGaAs PIN 수신기의 유통업체 - InGaAs PIN 수신기의 주요 고객 지역별 InGaAs PIN 수신기 시장 예측 - 지역별 InGaAs PIN 수신기 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - InGaAs PIN 수신기의 종류별 시장예측 (전면 수신기, 채널 수신기) - InGaAs PIN 수신기의 용도별 시장예측 (광통신, 광 LAN, OE 컨버터, 도플러 측정, 군사 통신) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Kyoto Semiconductor, Laser Components GmbH, Excelitas Technologies Corp, Ushio Inc, Lasermate Group Inc, Discovery Semiconductors Inc, XL Photonics, OEQuest, Voxtel Inc, Arrow Electronics, Optocom 조사의 결과/결론 |
The Semiconductor Element, Which Converts Optical Signal Into Electrical Signal, Has The Optical Receiving Ability Of High-Speed Communication Detector And High-Sensitivity Sensor.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “InGaAs PIN Receivers Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world InGaAs PIN Receivers sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected InGaAs PIN Receivers sales for 2025 through 2031. With InGaAs PIN Receivers sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world InGaAs PIN Receivers industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global InGaAs PIN Receivers landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on InGaAs PIN Receivers portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global InGaAs PIN Receivers market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for InGaAs PIN Receivers and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global InGaAs PIN Receivers.
The global InGaAs PIN Receivers market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for InGaAs PIN Receivers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for InGaAs PIN Receivers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for InGaAs PIN Receivers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key InGaAs PIN Receivers players cover Kyoto Semiconductor, Laser Components GmbH, Excelitas Technologies Corp, Ushio Inc, Lasermate Group Inc, Discovery Semiconductors Inc, XL Photonics, OEQuest and Voxtel Inc, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of InGaAs PIN Receivers market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Front Receiver
Channel Receiver
Segmentation by application
Optical Communication
Optical LAN
OE Converters
Doppler Measurement
Military Communications
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Kyoto Semiconductor
Laser Components GmbH
Excelitas Technologies Corp
Ushio Inc
Lasermate Group Inc
Discovery Semiconductors Inc
XL Photonics
OEQuest
Voxtel Inc
Arrow Electronics
Optocom
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global InGaAs PIN Receivers market?
What factors are driving InGaAs PIN Receivers market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do InGaAs PIN Receivers market opportunities vary by end market size?
How does InGaAs PIN Receivers break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 **InGaAs PIN 수신기: 광통신 시대의 핵심 부품** 현대 정보화 사회의 근간을 이루는 광통신 기술은 빛의 속도로 데이터를 전송하며 이전과는 비교할 수 없는 빠르고 효율적인 정보 교환을 가능하게 합니다. 이러한 광통신 시스템에서 빛 신호를 전기 신호로 변환하는 핵심적인 역할을 수행하는 것이 바로 광수신기이며, 그중에서도 InGaAs PIN 수신기는 뛰어난 성능과 넓은 파장 대역으로 인해 광범위하게 사용되는 중요한 부품입니다. 본고에서는 InGaAs PIN 수신기의 개념과 특징, 종류, 그리고 관련 기술에 대해 심도 있게 논하고자 합니다. **InGaAs PIN 수신기의 기본 개념 및 작동 원리** InGaAs PIN 수신기는 광섬유를 통해 전송되어 온 약한 빛 신호를 감지하여 이를 유용한 전기 신호로 변환하는 광전자 소자입니다. 여기서 'PIN'은 자체적으로 반도체 구조를 지칭하는 용어로, Positive-Intrinsic-Negative의 약자입니다. 이는 소자를 구성하는 세 가지 주요 반도체 층의 전기적 특성을 나타냅니다. 구체적으로, p형 반도체(Positive), 고유한 (Intrinsic) 불순물 농도를 가진 반도체 층, 그리고 n형 반도체(Negative) 층으로 구성됩니다. 이러한 PIN 구조는 빛이 조사되었을 때 효율적인 광전 변환을 이루도록 설계되었습니다. 수신기에 빛이 입사되면, InGaAs 반도체 내에서 광자가 흡수되면서 전자-정공 쌍(electron-hole pairs)이 생성됩니다. 이때, PIN 구조의 특징인 고유 반도체 층(Intrinsic layer)은 상대적으로 넓은 영역을 차지하며, 여기에 높은 전기장이 인가됩니다. 이 전기장은 생성된 전자와 정공을 각각 반대 방향으로 빠르게 분리시켜 이동시킵니다. 즉, 음전하를 띤 전자는 양극(+) 방향으로, 양전하를 띤 정공은 음극(-) 방향으로 이동하게 됩니다. 이러한 전하 운반자들의 이동은 수신기의 외부 회로에 전류 또는 전압 변화를 유발하며, 이것이 바로 우리가 원하는 전기 신호가 되는 것입니다. InGaAs (인듐갈륨비소)라는 물질이 사용되는 이유는 해당 물질이 광통신에서 주로 사용되는 1.3마이크로미터(µm) 및 1.55마이크로미터(µm)의 파장 대역에서 높은 광흡수율을 가지기 때문입니다. 이 파장 대역은 광섬유를 통한 빛의 손실이 가장 적은 '광창(optical window)'에 해당하므로, 장거리 통신에 매우 유리합니다. 따라서 InGaAs PIN 수신기는 이러한 장점을 바탕으로 고성능 광통신 시스템의 필수적인 구성 요소로 자리매김하고 있습니다. **InGaAs PIN 수신기의 주요 특징** InGaAs PIN 수신기가 광통신 분야에서 널리 사용되는 데에는 몇 가지 중요한 특징들이 있습니다. 첫째, **넓은 파장 대역에서의 우수한 응답 특성**을 들 수 있습니다. 앞서 언급했듯이 InGaAs는 1300nm와 1550nm 파장 대역에서 높은 흡수율을 보여줍니다. 이는 광섬유에서 가장 손실이 적은 이 파장 대역을 효율적으로 활용할 수 있음을 의미하며, 장거리 고속 광통신 시스템 구현에 필수적입니다. 둘째, **빠른 응답 속도**입니다. PIN 구조는 넓은 공핍층(depletion region)과 높은 내부 전기장으로 인해 생성된 전자-정공 쌍이 빠르게 분리되고 이동합니다. 이로 인해 수신기는 매우 빠른 속도로 빛 신호의 변화를 감지하고 전기 신호로 변환할 수 있습니다. 이는 고속 데이터 전송률을 요구하는 현대 광통신 시스템에 매우 중요한 특성입니다. 셋째, **낮은 잡음 특성**입니다. 효율적인 광전 변환 과정과 함께 적절한 설계 및 제조 공정을 통해 InGaAs PIN 수신기는 상대적으로 낮은 잡음을 가지도록 제작될 수 있습니다. 잡음은 수신되는 신호의 품질을 저하시키는 요인이므로, 낮은 잡음 특성은 낮은 광 파워에서도 정확한 신호 복조를 가능하게 합니다. 넷째, **높은 양자 효율**입니다. 양자 효율은 수신기에 입사된 광자 수 대비 실제로 생성되어 전기 신호로 변환된 전자-정공 쌍의 비율을 나타냅니다. InGaAs PIN 수신기는 높은 양자 효율을 제공하여 적은 양의 빛 신호로도 충분한 전기 신호를 얻을 수 있도록 합니다. 마지막으로, **구조의 단순성 및 신뢰성**입니다. PIN 구조는 상대적으로 단순한 구조를 가지고 있어 제조가 용이하며, 이는 생산 단가를 낮추고 안정적인 성능을 보장하는 데 기여합니다. 또한, 견고한 반도체 특성으로 인해 비교적 높은 신뢰성을 제공합니다. **InGaAs PIN 수신기의 종류** InGaAs PIN 수신기는 그 구조와 기능에 따라 다양한 형태로 발전해 왔으며, 크게 두 가지로 분류할 수 있습니다. 첫째, **분리형 PIN 수신기 (Discrete PIN Photodiode)**입니다. 이는 가장 기본적인 형태의 PIN 수신기로, 자체적으로 광감지 기능을 수행합니다. 일반적으로는 렌즈가 부착되어 광섬유로부터 입사되는 빛을 효율적으로 모아서 PIN 소자에 집광시키는 역할을 합니다. 별도의 증폭 회로가 필요하며, 수신기 모듈 형태로 제공되는 경우가 많습니다. 둘째, **광검출기 모듈 (Photodetector Module)**의 일부로서 통합된 형태입니다. 고속 광통신 시스템에서는 PIN 수신기의 성능을 극대화하기 위해 PIN 소자 자체뿐만 아니라, 그 뒤에 연결되는 증폭 회로(예: 트랜스임피던스 증폭기, TIA)와 신호 처리 회로 등을 하나의 모듈로 집적화하는 경우가 많습니다. 이러한 통합형 모듈은 **PIN-TIA 모듈** 등으로 불리며, 더욱 향상된 성능과 편리성을 제공합니다. 최근에는 핀 광수신기와 함께 드라이버 회로, 제한 증폭기(Limiting Amplifier) 등을 집적화한 **광수신기 IC (Optical Receiver IC)** 형태로 발전하여 소형화, 고집적화, 고성능화를 이루고 있습니다. **InGaAs PIN 수신기의 용도** InGaAs PIN 수신기는 그 뛰어난 성능을 바탕으로 매우 다양한 분야에서 활용되고 있습니다. 가장 대표적인 용도는 **광통신 시스템**입니다. 인터넷의 핵심 인프라인 광통신망에서 데이터 센터 간, 기지국 간, 그리고 건물 내 광 회선에서 광 신호를 수신하여 전기 신호로 변환하는 데 사용됩니다. 특히 10Gbps, 40Gbps, 100Gbps 이상의 고속 데이터 전송 시스템에서 필수적인 부품입니다. 또한, **광 센서 및 측정 장비** 분야에서도 활용됩니다. 예를 들어, 광학 거리 측정기, 광학 비파괴 검사 장비, 의료용 광학 기기 등 빛을 감지해야 하는 다양한 장비에 적용될 수 있습니다. 이러한 분야에서는 특정 파장의 빛을 정밀하게 감지하는 능력이 중요하며, InGaAs PIN 수신기는 이러한 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. **관련 기술 및 발전 동향** InGaAs PIN 수신기의 성능 향상을 위한 관련 기술은 끊임없이 발전하고 있습니다. 첫째, **고속화 및 광대역화 기술**입니다. 데이터 전송 속도가 증가함에 따라 수신기 역시 더 빠른 응답 속도를 요구받고 있습니다. 이를 위해 PIN 소자의 두께를 얇게 만들거나, 전하 운반자 이동 거리를 단축시키는 구조 개선, 그리고 TIA 등 후단 회로의 고속화 기술이 연구되고 있습니다. 둘째, **저잡음화 및 고감도화 기술**입니다. 더 약한 광 신호를 정확하게 감지하기 위해서는 수신기 자체의 잡음 수준을 낮추는 것이 중요합니다. 이를 위해 새로운 소자 구조 설계, 저잡음 증폭기 회로 개발, 그리고 효과적인 차폐 기술 등이 적용되고 있습니다. 셋째, **집적화 및 모듈화 기술**입니다. 앞서 언급한 것처럼, PIN 소자뿐만 아니라 TIA, 리미팅 앰프 등의 전자 회로를 하나의 칩 또는 패키지에 집적화하는 기술이 발전하고 있습니다. 이는 제품의 소형화, 전력 소비 감소, 그리고 비용 절감에 기여합니다. 특히 실리콘 포토닉스와 같은 기술과의 융합을 통해 광학 부품과 전자 회로를 통합하는 연구도 활발히 진행 중입니다. 넷째, **새로운 물질 및 소자 구조 연구**입니다. InGaAs 외에도 더 넓은 파장 대역을 커버하거나 더 높은 성능을 제공할 수 있는 새로운 반도체 물질이나 복합적인 소자 구조에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있습니다. 예를 들어, 양자 점(Quantum Dot) 또는 양자 우물(Quantum Well) 구조를 활용한 광수신기는 특정 파장 대역에서 더 높은 효율을 제공할 수 있습니다. 결론적으로, InGaAs PIN 수신기는 광통신 시대를 이끌어가는 핵심 부품으로서, 그 구조적 특징과 우수한 성능을 바탕으로 정보 통신 기술의 발전에 지대한 공헌을 하고 있습니다. 끊임없는 기술 개발을 통해 더욱 빠르고, 더욱 효율적이며, 더욱 소형화된 InGaAs PIN 수신기가 미래 통신 기술의 발전을 견인할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 InGaAs PIN 수신기 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1300) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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