| ■ 영문 제목 : Global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1274 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 90 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦4,941,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,411,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (기업 열람용) | USD7,320 ⇒환산￦9,882,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (1100-1700nm, 1000-1600nm)와 용도별 시장규모 (공업, 의료, 전자, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장분석 - 종류별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 (1100-1700nm, 1000-1600nm) - 용도별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 (공업, 의료, 전자, 기타) 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장분석 - 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매량 - 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 매출액 - 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매가격 - 주요기업의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 미주의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 미국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 캐나다 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 멕시코 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 브라질 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 아시아의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 중국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 일본 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 한국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 동남아시아 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 인도 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 독일 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 프랑스 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 영국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 이집트 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 남아프리카 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 중동GCC InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 제조원가 구조 분석 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 제조 프로세스 분석 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 유통업체 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 주요 고객 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장 예측 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 종류별 시장예측 (1100-1700nm, 1000-1600nm) - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 용도별 시장예측 (공업, 의료, 전자, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Hamamatsu Photonics, OSI Optoelectronics, Albis Optoelectronics AG (Enablence), First Sensor, AMS Technologies AG, Luna Optoelectronics, Excelitas Technologies, Laser Components DG, Inc., Kyosemi Corporation 조사의 결론 |
APD Avalanche Photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor electronic device that exploits the photoelectric effect to convert light to electricity. APDs can be thought of as photodetectors that provide a built-in first stage of gain through avalanche multiplication. From a functional standpoint, they can be regarded as the semiconductor analog to photomultipliers. By applying a high reverse bias voltage, APDs show an internal current gain effect due to impact ionization. However, some silicon APDs employ alternative doping and beveling techniques compared to traditional APDs that allow greater voltage to be applied before breakdown is reached and hence a greater operating gain. In general, the higher the reverse voltage, the higher the gain.
APD Avalanche Photodiode (APD) applicability and usefulness depends on many parameters. Two of the larger factors are: quantum efficiency, which indicates how well incident optical photons are absorbed and then used to generate primary charge carriers; and total leakage current, which is the sum of the dark current and photocurrent and noise. Electronic dark noise components are series and parallel noise. Series noise, which is the effect of shot noise, is basically proportional to the APD capacitance while the parallel noise is associated with the fluctuations of the APD bulk and surface dark currents. Another noise source is the excess noise factor, ENF. It describes the statistical noise that is inherent with the stochastic APD multiplication process. This is not to be confused with the fano noise (F), which describes the fluctuation of the total electric charge collected in the APD.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) sales for 2025 through 2031. With InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs).
The global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market size is projected to grow from US$ 87 million in 2024 to US$ 148.1 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 148.1 from 2025 to 2031.
Global APD Avalanche Photodiode key players include First-sensor, Luna, Hamamatsu, etc. Global top three manufacturers hold a share over 45%.
Europe is the largest market, with a share about 35%, followed by Japan, and North America, both have a share over 45 percent.
In terms of product, Si APD is the largest segment, with a share over 50%. And in terms of application, the largest application is Mobility, followed by Industrial, etc.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
1100 To 1700 nm
1000 To 1600 nm
Segmentation by application
Industrial
Medical
Electronic
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Hamamatsu Photonics
OSI Optoelectronics
Albis Optoelectronics AG (Enablence)
First Sensor
AMS Technologies AG
Luna Optoelectronics
Excelitas Technologies
Laser Components DG, Inc.
Kyosemi Corporation
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market?
What factors are driving InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market opportunities vary by end market size?
How does InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)에 대한 이해 InGaAs 애벌란시 포토다이오드(InGaAs-APD)는 특정 파장 대역에서 매우 높은 감도를 자랑하는 광전자 소자로, 빛 신호를 전기 신호로 변환하는 과정에서 내부에 존재하는 '애벌란시 효과'를 통해 신호의 증폭 기능을 수행합니다. 이는 일반적인 광다이오드보다 훨씬 작은 빛 신호도 효과적으로 검출할 수 있게 하여, 다양한 첨단 기술 분야에서 필수적인 부품으로 자리매김하고 있습니다. InGaAs는 인듐(In), 갈륨(Ga), 비소(As)의 세 가지 원소가 결합된 화합물 반도체로, 이 재료의 고유한 특성이 InGaAs-APD의 우수한 성능을 가능하게 합니다. InGaAs-APD의 핵심적인 작동 원리는 반도체 내에서의 광전 효과와 애벌란시 효과의 결합에 있습니다. 먼저, InGaAs 반도체에 빛이 입사하면, 빛 에너지가 반도체 내의 전자와 정공을 생성합니다. 이 생성된 전자와 정공은 외부에서 인가된 강한 전기장에 의해 가속됩니다. 충분한 에너지를 얻은 전자나 정공은 반도체 결정 내의 다른 원자들과 충돌하며 더 많은 전자-정공 쌍을 추가적으로 생성시킵니다. 이 과정이 연쇄적으로 반복되면서 신호가 기하급수적으로 증폭되는 현상을 '애벌란시 효과'라고 합니다. 이러한 내부 증폭 기능을 통해 InGaAs-APD는 외부적인 추가 증폭 회로 없이도 낮은 광량에서도 높은 신호 대 잡음비(SNR)를 유지하며 민감하게 광 신호를 검출할 수 있습니다. InGaAs-APD는 그 재료적 특성 덕분에 특정 파장 대역, 특히 1.3 마이크로미터(µm) 및 1.55 마이크로미터(µm) 대역에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 이 파장 대역은 광섬유 통신에서 신호 손실이 가장 적은 '광 창(optical window)'에 해당하기 때문에, InGaAs-APD는 광통신 시스템에서 핵심적인 역할을 수행합니다. 또한, 이 파장 대역은 인체에 무해한 수준의 레이저가 사용되는 산업용 센서, 의료 기기 등에서도 중요한 의미를 가집니다. InGaAs-APD의 구조는 크게 빛이 입사되는 표면, 광학적으로 활성인 InGaAs 흡수층, 그리고 애벌란시 효과를 일으키는 다른 반도체 재료 층으로 구성됩니다. 일반적으로 실리콘(Si) 기반의 APD는 근적외선 영역에서의 감도가 낮지만, InGaAs-APD는 이를 극복하고 더 긴 파장 대역에서의 높은 감도를 제공합니다. InGaAs 자체만으로는 효과적인 애벌란시 효과를 얻기 어렵기 때문에, 실리콘이나 다른 반도체 재료를 InGaAs 층과 적절히 접합하여 애벌란시 효과를 담당하는 층을 별도로 구성하는 경우가 많습니다. 이러한 복합적인 구조 설계를 통해 최적의 광 검출 및 신호 증폭 성능을 구현합니다. InGaAs-APD는 그 응용 분야가 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 분야는 다음과 같습니다. * **광섬유 통신 시스템:** 장거리 광통신에서 약해진 광 신호를 수신하고 증폭하는 데 필수적입니다. 1.3µm 및 1.55µm 파장에서 낮은 삽입 손실과 높은 감도를 제공하여 초고속, 장거리 데이터 전송을 가능하게 합니다. * **라이다(LiDAR, Light Detection and Ranging):** 자율 주행 자동차, 로봇 공학, 지형 탐사 등에서 대상과의 거리를 측정하는 데 사용됩니다. 특히 1550nm 파장의 레이저를 사용하는 시스템에서는 InGaAs-APD가 높은 성능을 발휘합니다. * **광학 센서:** 다양한 산업 분야에서 빛을 감지하고 측정하는 데 사용됩니다. 예를 들어, 고정밀 측정이 필요한 제조 공정, 환경 모니터링, 보안 시스템 등에서 활용될 수 있습니다. * **의료 진단:** 안과 진단 장비, 생체 신호 측정 장비 등에서 특정 파장의 빛을 정밀하게 감지하는 데 사용됩니다. * **과학 연구:** 천문학, 물리학 등 다양한 연구 분야에서 극미량의 빛을 검출하고 분석하는 데 활용됩니다. InGaAs-APD의 성능을 좌우하는 중요한 요소로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **광 민감도 (Quantum Efficiency, QE):** 입사된 광자 중 실제로 전기 신호로 변환되는 비율을 나타냅니다. 높을수록 더 적은 빛으로도 더 큰 신호를 얻을 수 있습니다. InGaAs-APD는 일반적으로 1.3µm 및 1.55µm 대역에서 80% 이상의 높은 QE를 가집니다. * **응답 시간 (Response Time):** 빛 신호가 전기 신호로 변환되고 출력되는 데 걸리는 시간입니다. 빠를수록 고속 신호 처리가 가능합니다. 이는 주로 전자 이동도 및 캐패시턴스에 의해 결정됩니다. * **잡음 등가 전력 (Noise Equivalent Power, NEP):** 신호의 검출 한계를 나타내는 지표로, 낮을수록 더 약한 신호를 검출할 수 있습니다. InGaAs-APD는 낮은 내부 잡음 특성을 가지므로 NEP가 낮습니다. * **애벌란시 이득 (Avalanche Gain):** 애벌란시 효과에 의해 신호가 얼마나 증폭되는지를 나타냅니다. 높을수록 더 작은 입력 신호에 대해 더 큰 출력 신호를 얻을 수 있습니다. * **하한 잡음 (Dark Current):** 빛이 없을 때도 소자 자체적으로 발생하는 전류입니다. 낮을수록 감도가 높아집니다. InGaAs-APD는 그 자체로도 뛰어난 성능을 제공하지만, 관련 기술과의 융합을 통해 더욱 발전하고 있습니다. * **실리콘 포토닉스 (Silicon Photonics):** 실리콘 기반 집적 회로와 광학 소자를 결합하는 기술로, InGaAs-APD를 실리콘 웨이퍼 상에 집적하여 소형화, 고성능화, 저비용화를 추구합니다. 이를 통해 광통신 및 센싱 분야에서 혁신을 가져올 수 있습니다. * **단일 광자 검출기 (Single Photon Detector, SPD):** 극히 적은 수의 광자, 심지어 단일 광자 수준까지 검출할 수 있는 기술입니다. InGaAs-APD는 이러한 단일 광자 검출기로서의 성능을 향상시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 양자 통신, 양자 컴퓨팅 등 첨단 분야에서 중요하게 사용됩니다. * **고감도 저잡음 회로 설계:** InGaAs-APD의 뛰어난 감도를 최대한 활용하기 위해, 소자 자체의 잡음뿐만 아니라 연결되는 전자 회로의 잡음 또한 최소화하는 저잡음 증폭기(Low-Noise Amplifier, LNA) 등의 회로 설계 기술이 함께 발전하고 있습니다. InGaAs-APD는 1.3µm 및 1.55µm 대역에서의 우수한 감도와 빠른 응답 속도를 바탕으로 현대 정보통신 기술의 발전, 자율주행 기술의 확산, 그리고 다양한 첨단 센싱 분야의 핵심 부품으로서 그 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 지속적인 기술 개발을 통해 더 높은 감도, 더 빠른 속도, 더 낮은 잡음을 갖춘 InGaAs-APD가 개발될 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1274) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |