| ■ 영문 제목 : Global Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL0815 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 106 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 화학&재료 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 심자외선 (DUV) 포토레지스트 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (248nm 포토레지스트, 193nm 포토레지스트, 193nm 침지형 포토레지스트) 시장규모와 용도별 (인쇄 회로, 반도체 리소그래피) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장분석 - 종류별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 2020년-2025년 (248nm 포토레지스트, 193nm 포토레지스트, 193nm 침지형 포토레지스트) - 용도별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 2020년-2025년 (인쇄 회로, 반도체 리소그래피) 기업별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장분석 - 기업별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 판매량 - 기업별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 매출액 - 기업별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 판매가격 - 주요기업의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 판매량 2020년-2025년 - 지역별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 종류별 - 미주의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 용도별 - 미국 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 캐나다 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 멕시코 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 브라질 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 용도별 - 중국 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 일본 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 한국 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 동남아시아 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 인도 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 종류별 - 유럽의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 용도별 - 독일 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 프랑스 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 영국 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 : 용도별 - 이집트 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 남아프리카 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 - 중동GCC 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 제조원가 구조 분석 - 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 제조 프로세스 분석 - 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 유통업체 - 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 주요 고객 지역별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장 예측 - 지역별 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 종류별 시장예측 (248nm 포토레지스트, 193nm 포토레지스트, 193nm 침지형 포토레지스트) - 심자외선 (DUV) 포토레지스트의 용도별 시장예측 (인쇄 회로, 반도체 리소그래피) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Dongjin Semichem, JSR, Sumitomo Chemical, Fujifilm, TOK, Shin-Etsu, DuPont, Inpria, Lam Research, Beijing Kehua Microelectronics Material Co Ltd, Shenzhen RongDa Photosensitive 조사의 결과/결론 |
It Refers To The Corrosion-Resistant Etching Film Material Whose Solubility Changes Through Ultraviolet, Deep Ultraviolet, Electron Beam, Ion Beam, X-Ray And Other Light Or Radiation
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist sales for 2025 through 2031. With Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist.
The global Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist players cover Dongjin Semichem, JSR, Sumitomo Chemical, Fujifilm, TOK, Shin-Etsu, DuPont, Inpria and Lam Research, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
248nm Photoresist
193nm Photoresist
193nm Immersion Photoresist
Segmentation by application
Printed Circuit
Semiconductor Lithography
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Dongjin Semichem
JSR
Sumitomo Chemical
Fujifilm
TOK
Shin-Etsu
DuPont
Inpria
Lam Research
Beijing Kehua Microelectronics Material Co Ltd
Shenzhen RongDa Photosensitive
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist market?
What factors are driving Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist market opportunities vary by end market size?
How does Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 심자외선 (DUV) 포토레지스트: 반도체 미세 패턴 구현의 핵심 현대 반도체 기술의 눈부신 발전은 집적 회로의 미세화와 고성능화를 통해 이루어졌으며, 이러한 미세 패턴 구현의 핵심에는 포토레지스트(Photoresist)라는 감광성 물질이 자리하고 있습니다. 그중에서도 심자외선(Deep Ultraviolet, DUV) 포토레지스트는 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 기술이 상용화되기 이전, 그리고 EUV 기술과 함께 여전히 반도체 제조 공정에서 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 본 글에서는 DUV 포토레지스트의 개념, 특징, 종류, 그리고 관련 기술에 대해 상세히 설명하고자 합니다. 포토레지스트는 빛에 반응하여 화학적 성질이 변하는 유기 화합물로서, 반도체 웨이퍼 위에 코팅된 후, 반도체 회로 설계 패턴이 그려진 마스크(Mask)를 통해 특정 파장의 자외선에 노출됩니다. 노출된 부분과 노출되지 않은 부분의 화학적 성질 변화를 이용해 현상액(Developer)으로 원하는 패턴을 웨이퍼 위에 선택적으로 남기거나 제거하는 방식으로 공정이 진행됩니다. DUV 포토레지스트는 주로 248nm (KrF 엑시머 레이저 사용) 또는 193nm (ArF 엑시머 레이저 사용)의 심자외선 영역의 빛을 감광 파장으로 사용하는 포토레지스트를 의미합니다. 이전 세대의 수은 램프(g-line: 436nm, i-line: 365nm)를 사용하던 포토레지스트에 비해 훨씬 짧은 파장의 빛을 사용함으로써, 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있게 되었습니다. 이는 빛의 회절 현상으로 인해 패턴의 정밀도가 제한되는 광학적 원리 때문입니다. 파장이 짧을수록 회절 현상이 줄어들어 더욱 선명하고 미세한 패턴을 형성할 수 있습니다. DUV 포토레지스트의 주요 특징으로는 다음과 같은 것들을 들 수 있습니다. 첫째, **높은 해상도(Resolution)**입니다. 앞서 언급했듯이 짧은 파장의 DUV 광원을 사용함으로써 기존의 i-line 포토레지스트로는 구현하기 어려웠던 수십 나노미터(nm) 수준의 미세 패턴을 구현할 수 있습니다. 이는 반도체 칩의 집적도를 비약적으로 향상시키는 데 결정적인 역할을 했습니다. 둘째, **우수한 감도(Sensitivity)**입니다. 포토레지스트가 빛에 반응하는 정도를 나타내는 감도가 높아, 적은 양의 빛으로도 효과적인 패턴 형성이 가능합니다. 이는 생산성 향상과 노광 시간 단축에 기여합니다. 셋째, **높은 화학적 안정성 및 현상액 선택성**입니다. 노광 후에도 패턴이 안정적으로 유지되어야 하며, 현상액에 의해 선택적으로 제거되어야 합니다. DUV 포토레지스트는 이러한 요구 사항을 만족시키도록 설계되었습니다. 넷째, **우수한 박막 특성 및 균일도**입니다. 웨이퍼 위에 균일한 두께로 코팅되어야 하며, 박막의 물리적, 화학적 특성이 일정해야 고품질의 패턴을 얻을 수 있습니다. 다섯째, **내플라즈마 식각성(Plasma Etch Resistance)**입니다. 포토레지스트 패턴은 후속 공정인 식각(Etching) 공정에서 마스크 역할을 하게 됩니다. 식각 공정 시 사용되는 플라즈마 환경에 대한 내성이 뛰어나야 패턴이 손상되지 않고 정확하게 유지될 수 있습니다. DUV 포토레지스트는 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 하나는 **화학 증폭형 포토레지스트(Chemically Amplified Photoresist, CAPR)**입니다. CAPR은 빛에 노출되면 산(Acid)을 생성하는 광산 발생제(Photoacid Generator, PAG)를 포함하고 있습니다. 노광 후 열처리(Post-exposure Bake, PEB) 과정에서 이 산이 촉매 역할을 하여 포토레지스트 고분자 사슬의 화학적 변환을 촉진합니다. 이로 인해 적은 양의 빛 에너지로도 큰 화학적 변화를 유도할 수 있어 높은 감도를 얻을 수 있으며, 이는 미세 패턴 구현에 필수적인 요소입니다. CAPR은 다시 **양성 레지스트(Positive Resist)**와 **음성 레지스트(Negative Resist)**로 나눌 수 있습니다. 양성 레지스트는 빛에 노출된 부분이 현상액에 녹아 제거되는 방식이며, 음성 레지스트는 빛에 노출되지 않은 부분이 현상액에 녹아 제거되는 방식입니다. 현재 대부분의 고해상도 공정에서는 양성 레지스트가 주로 사용됩니다. 다른 하나는 **비화학 증폭형 포토레지스트(Non-Chemically Amplified Photoresist, NCAPR)**입니다. CAPR과 달리 PEB 과정 없이 직접적으로 빛에 의해 포토레지스트의 용해도 변화가 일어나는 방식입니다. 하지만 CAPR에 비해 감도가 낮아 미세 패턴 구현에는 한계가 있어, 특수한 용도로만 사용되거나 과거 기술에서 주로 활용되었습니다. DUV 포토레지스트의 용도는 반도체 제조 공정 전반에 걸쳐 매우 다양합니다. 가장 대표적인 용도는 **포토리소그래피(Photolithography)** 공정입니다. 회로 설계 데이터를 기반으로 마스크를 제작하고, 이 마스크를 통해 DUV 광원을 웨이퍼 상의 포토레지스트에 조사하여 트랜지스터, 배선 등 반도체 회로의 기본 패턴을 형성하는 데 사용됩니다. 칩의 게이트, 소스/드레인 영역, 금속 배선 등의 미세 패턴을 정밀하게 형성하는 데 필수적입니다. 또한, DUV 포토레지스트는 **식각(Etching)** 공정의 마스크 역할뿐만 아니라, **이온 주입(Ion Implantation)** 공정에서도 보호막 역할을 수행합니다. 식각 공정에서 불필요한 부분을 제거할 때 포토레지스트 패턴이 식각될 부분을 막아주는 가이드라인이 됩니다. 이온 주입 공정에서는 의도하지 않은 영역에 이온이 주입되는 것을 막아 반도체 특성을 제어하는 데 기여합니다. DUV 포토레지스트와 관련된 핵심 기술들도 지속적으로 발전해왔습니다. 첫째, **DUV 광원의 발전**입니다. 248nm (KrF)에서 193nm (ArF)로 파장이 단축됨에 따라 더 미세한 패턴 구현이 가능해졌습니다. 특히 ArF 엑시머 레이저 기술의 발전은 반도체 미세화의 중요한 동력이 되었습니다. 둘째, **액침 리소그래피(Immersion Lithography)** 기술입니다. 193nm ArF 광원을 사용하는 경우, 포토레지스트와 렌즈 사이에 물과 같은 고굴절률의 액체를 주입함으로써 유효 광 파장을 단축시키는 효과를 얻습니다. 이는 회절 한계를 극복하고 해상도를 더욱 향상시키는 데 결정적인 역할을 했습니다. 현재 7nm 이하의 미세 공정에 필수적으로 적용되는 기술입니다. 셋째, **다중 패터닝(Multi-patterning)** 기술입니다. 단일 노광으로는 구현하기 어려운 초미세 패턴을 여러 번의 노광 및 패터닝 공정을 통해 나누어 형성하는 기술입니다. 더블 패터닝(Double Patterning), 트리플 패터닝(Triple Patterning) 등이 있으며, 포토레지스트의 정밀한 패턴 제어 능력과 함께 구현됩니다. 넷째, **새로운 포토레지스트 재료 개발**입니다. 더 높은 해상도, 더 나은 감도, 향상된 내플라즈마 식각성, 그리고 액침 리소그래피 환경에서의 안정성을 갖춘 차세대 포토레지스트 재료에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있습니다. 특히, 극자외선(EUV) 리소그래피 기술의 등장으로 인해 EUV 포토레지스트 개발이 가속화되었지만, 여전히 DUV 포토레지스트는 많은 반도체 공정에서 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 결론적으로, DUV 포토레지스트는 반도체 기술의 발전에 있어 핵심적인 역할을 수행해 온 물질입니다. 248nm 및 193nm의 심자외선 광원을 활용하여 수십 나노미터 수준의 미세 패턴을 구현할 수 있게 했으며, 화학 증폭형 포토레지스트와 액침 리소그래피 등의 기술 발전과 함께 그 성능을 더욱 향상시켜 왔습니다. EUV 기술이 차세대 기술로 부상하고 있지만, DUV 포토레지스트는 여전히 현재 및 미래 반도체 제조 공정에서 중요한 부분을 차지하며, 지속적인 연구 개발을 통해 반도체 산업의 발전에 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 심자외선 (DUV) 포토레지스트 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL0815) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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