| ■ 영문 제목 : GaN Semiconductor Device Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22043 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN 반도체 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN 반도체 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN 반도체 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN 반도체 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN 반도체 장치 시장은 자동차, 가전, 항공 우주/방위, 의료, 정보/통신 기술, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN 반도체 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN 반도체 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN 반도체 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN 반도체 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN 반도체 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 전력 반도체, 광 반도체, RF 반도체), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN 반도체 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN 반도체 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN 반도체 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN 반도체 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN 반도체 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN 반도체 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN 반도체 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN 반도체 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN 반도체 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 전력 반도체, 광 반도체, RF 반도체
■ 용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 가전, 항공 우주/방위, 의료, 정보/통신 기술, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 반도체 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Toshiba, Panasonic, Cree, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM, Efficient Power Conversion, NXP Semiconductors, Texas Instruments, NTT Advanced Technology
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN 반도체 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN 반도체 장치 시장 규모
3 장 : GaN 반도체 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN 반도체 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 반도체 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN 반도체 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Toshiba, Panasonic, Cree, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM, Efficient Power Conversion, NXP Semiconductors, Texas Instruments, NTT Advanced Technology Toshiba Panasonic Cree 8. 글로벌 GaN 반도체 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN 반도체 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN 반도체 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN 반도체 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN 반도체 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN 반도체 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN 반도체 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN 반도체 장치 판매량: 2019-2030 - GaN 반도체 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 가격 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 가격 - 지역별 GaN 반도체 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN 반도체 장치 시장규모 - 캐나다 GaN 반도체 장치 시장규모 - 멕시코 GaN 반도체 장치 시장규모 - 유럽 국가별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN 반도체 장치 시장규모 - 프랑스 GaN 반도체 장치 시장규모 - 영국 GaN 반도체 장치 시장규모 - 이탈리아 GaN 반도체 장치 시장규모 - 러시아 GaN 반도체 장치 시장규모 - 아시아 지역별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN 반도체 장치 시장규모 - 일본 GaN 반도체 장치 시장규모 - 한국 GaN 반도체 장치 시장규모 - 동남아시아 GaN 반도체 장치 시장규모 - 인도 GaN 반도체 장치 시장규모 - 남미 국가별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN 반도체 장치 시장규모 - 아르헨티나 GaN 반도체 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN 반도체 장치 시장규모 - 이스라엘 GaN 반도체 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN 반도체 장치 시장규모 - 아랍에미리트 GaN 반도체 장치 시장규모 - 글로벌 GaN 반도체 장치 생산 능력 - 지역별 GaN 반도체 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN 반도체 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 갈륨 질화물(GaN) 반도체 장치는 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체와는 차별화되는 우수한 물성을 바탕으로 차세대 전력 반도체 및 고주파 통신 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있는 첨단 소재입니다. GaN은 3족 원소인 갈륨(Ga)과 15족 원소인 질소(N)가 결합된 화합물 반도체로, 특히 웨이퍼 기판 위에 안정적으로 성장시키기 위해 주로 사파이어(Sapphire), 탄화규소(SiC) 또는 GaN 자체를 기판으로 사용합니다. 이러한 GaN 소재는 탁월한 전기적, 열적, 기계적 특성을 지니고 있어 기존 반도체로는 구현하기 어려웠던 고성능, 고효율, 소형화, 경량화된 전자 장치의 개발을 가능하게 합니다. GaN 반도체 장치의 핵심적인 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 높은 항복 전압입니다. GaN은 넓은 밴드갭(bandgap, 약 3.4 eV)을 가지는데, 이는 실리콘(Si, 약 1.1 eV)에 비해 훨씬 높아 더 높은 전압을 견딜 수 있음을 의미합니다. 이러한 특성 덕분에 GaN 장치는 고전압 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 이는 전기차의 충전 시스템, 고효율 전력 변환 장치, 스마트 그리드 등 높은 전압을 다루는 응용 분야에서 매우 중요한 장점으로 작용합니다. 둘째, 빠른 스위칭 속도입니다. GaN은 높은 전자 이동도(electron mobility)를 가지고 있어 전자가 더 빠르게 이동할 수 있습니다. 이로 인해 GaN 반도체 장치는 매우 빠른 속도로 켜지고 꺼질 수 있으며, 이는 전력 변환 시 발생하는 손실을 최소화하고 에너지 효율을 극대화하는 데 기여합니다. 결과적으로, 고주파 동작이 가능해져 통신 장비의 성능 향상과 소형화에 유리합니다. 셋째, 뛰어난 열전도율입니다. GaN은 실리콘보다 열전도율이 높아 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있습니다. 이는 고출력 동작 시에도 과열로 인한 성능 저하나 고장을 방지하는 데 중요한 역할을 합니다. 이러한 우수한 열 관리 능력은 칩의 집적도를 높이고 전력 밀도를 향상시키는 데 필수적입니다. 넷째, 높은 내열성입니다. 넓은 밴드갭 덕분에 GaN 장치는 높은 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 이는 극한 환경이나 고온 환경에서도 신뢰성 있는 성능을 요구하는 응용 분야에서 큰 장점을 제공합니다. GaN 반도체 장치는 다양한 종류로 분류될 수 있으나, 주로 전력 전자 분야와 고주파 통신 분야에서 사용되는 디바이스들이 주목받고 있습니다. 전력 전자 분야에서는 GaN 기반의 전력 스위칭 소자인 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)와 GaN MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)이 대표적입니다. GaN HEMT는 독특한 2차원 전자 기체(2DEG, two-dimensional electron gas) 현상을 이용하여 높은 전류 밀도와 빠른 스위칭 속도를 구현합니다. 이는 기존 실리콘 MOSFET의 한계를 극복하고 전력 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. GaN MOSFET 또한 GaN HEMT와 유사한 장점을 가지지만, 게이트 구조의 차이로 인해 동작 특성이나 제조 공정에서 약간의 차이를 보입니다. 이러한 GaN 전력 반도체는 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 서버 전원 공급 장치, 전기차의 전력 변환 장치(DC-DC 컨버터, 인버터 등), 태양광 발전 시스템 등 에너지 효율 향상이 중요한 다양한 응용 분야에서 활발하게 적용되고 있습니다. 고주파 통신 분야에서는 GaN HEMT가 주로 사용됩니다. GaN의 높은 전자 이동도와 항복 전압 특성은 높은 주파수에서도 높은 전력 출력을 안정적으로 구현할 수 있도록 합니다. 이는 5G 및 차세대 이동통신 기지국, 레이더 시스템, 위성 통신 장비 등 고성능 고주파 신호 처리가 요구되는 분야에서 핵심적인 역할을 수행합니다. GaN 기반의 고주파 트랜지스터는 기존의 실리콘 또는 비화갈륨(GaAs) 기반 소자에 비해 더 높은 주파수에서 더 높은 출력과 더 낮은 잡음 특성을 제공하여 통신 시스템의 성능과 효율을 크게 향상시킵니다. GaN 반도체 장치와 관련된 기술은 다양하며 지속적으로 발전하고 있습니다. 첫째, **에피택셜 성장 기술**입니다. GaN 물질을 고품질의 결정 구조로 웨이퍼 기판 위에 성장시키는 것은 GaN 장치의 성능을 결정하는 매우 중요한 요소입니다. 사파이어, SiC, GaN 기판 위에 GaN 층을 성장시키는 다양한 에피택셜 성장 방법(MOCVD, MBE 등)이 연구되고 있으며, 결함(defect)을 최소화하고 원하는 특성을 구현하기 위한 노력이 계속되고 있습니다. 특히, GaN 자체를 기판으로 사용하는 기술은 기존 기판과의 격자 불일치로 인한 스트레스 문제를 줄여 더 높은 성능과 신뢰성을 제공할 수 있어 주목받고 있습니다. 둘째, **소자 설계 및 공정 기술**입니다. GaN HEMT의 경우, 2DEG를 효율적으로 형성하고 전극과의 전기적 특성을 최적화하는 것이 중요합니다. 또한, 게이트 전압에 따른 전류 제어를 정밀하게 하고, 고전압 환경에서도 안정적인 동작을 보장하기 위한 다양한 구조(예: 수직형 GaN 장치)와 공정 기술이 개발되고 있습니다. 셋째, **패키징 기술**입니다. GaN 장치는 높은 성능을 발휘하는 만큼 발생하는 열을 효과적으로 관리해야 합니다. 이를 위해 열 방출 성능이 우수한 패키징 기술과 기판 재료의 선택이 중요하며, 소형화 및 고집적화를 위한 기술 또한 발전하고 있습니다. 넷째, **소자 신뢰성 및 안정성 기술**입니다. GaN 장치가 산업 전반에 걸쳐 널리 사용되기 위해서는 장시간 동작에도 불구하고 성능이 저하되지 않는 높은 신뢰성과 안정성이 확보되어야 합니다. 이는 소재 자체의 순도 향상, 공정 최적화, 스트레스 테스트 등 다양한 연구 개발을 통해 달성될 수 있습니다. 마지막으로, **시스템 통합 기술**입니다. GaN 장치의 장점을 극대화하기 위해서는 단순히 개별 소자의 성능 향상을 넘어, 전력 변환 시스템 또는 통신 시스템 전체와의 효율적인 통합을 고려한 설계가 필요합니다. 예를 들어, GaN 장치의 빠른 스위칭 속도를 활용하기 위한 제어 회로 설계 기술 등이 이에 해당합니다. 결론적으로, GaN 반도체 장치는 기존 실리콘 반도체의 한계를 뛰어넘는 우수한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 에너지 효율 향상, 고성능 통신, 소형화 및 경량화라는 현대 전자 산업의 핵심 요구사항을 충족시키는 데 크게 기여하고 있습니다. 앞으로도 지속적인 기술 개발을 통해 GaN 반도체는 전기차, 신재생 에너지, 5G 통신, 인공지능 등 미래 핵심 산업의 발전을 이끌어갈 핵심 동력으로 자리매김할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN 반도체 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F22043) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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