| ■ 영문 제목 : GaN Semiconductor Power Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22044 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN 반도체 전력 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN 반도체 전력 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN 반도체 전력 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN 반도체 전력 장치 시장은 서버/기타 IT 장비, 고효율/안정적인 전원 공급 장치, HEV/EV 장치의 급속한 확장를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN 반도체 전력 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN 반도체 전력 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 600V, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN 반도체 전력 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN 반도체 전력 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN 반도체 전력 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN 반도체 전력 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN 반도체 전력 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN 반도체 전력 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN 반도체 전력 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 600V, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– 서버/기타 IT 장비, 고효율/안정적인 전원 공급 장치, HEV/EV 장치의 급속한 확장
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Fujitsu,Toshiba,Koninklijke Philips,Texas Instruments,EPIGAN,NTT Advanced Technology,RF Micro Devices,Cree Incorporated,Aixtron,International Quantum Epitaxy (IQE),Mitsubishi Chemical,AZZURO Semiconductors,Efficient Power Conversion (EPC),GaN Systems,Infineon
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN 반도체 전력 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장 규모
3 장 : GaN 반도체 전력 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN 반도체 전력 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Fujitsu,Toshiba,Koninklijke Philips,Texas Instruments,EPIGAN,NTT Advanced Technology,RF Micro Devices,Cree Incorporated,Aixtron,International Quantum Epitaxy (IQE),Mitsubishi Chemical,AZZURO Semiconductors,Efficient Power Conversion (EPC),GaN Systems,Infineon Fujitsu Toshiba Koninklijke Philips 8. 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN 반도체 전력 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN 반도체 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN 반도체 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 판매량: 2019-2030 - GaN 반도체 전력 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 가격 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 가격 - 지역별 GaN 반도체 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 캐나다 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 멕시코 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 유럽 국가별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 프랑스 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 영국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 이탈리아 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 러시아 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 아시아 지역별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 일본 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 한국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 동남아시아 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 인도 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 남미 국가별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 아르헨티나 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 이스라엘 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 아랍에미리트 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 - 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 생산 능력 - 지역별 GaN 반도체 전력 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN 반도체 전력 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨(GaN) 반도체 전력 장치는 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체에 비해 월등히 뛰어난 성능을 제공하는 차세대 전력 전자 기술입니다. 이러한 GaN 전력 장치는 고속 스위칭, 저온 저항, 고온 작동 능력 등 탁월한 특성을 바탕으로 다양한 전력 변환 시스템의 효율과 성능을 혁신적으로 향상시키고 있습니다. 본 글에서는 GaN 반도체 전력 장치의 개념, 주요 특징, 종류, 적용 분야 및 관련 기술 동향에 대해 상세히 설명드리겠습니다. GaN 반도체 전력 장치의 핵심은 질화 갈륨이라는 화합물 반도체 소재 자체의 고유한 물성에 있습니다. GaN은 실리콘에 비해 약 3배 높은 항복 전압, 2배 높은 전자 이동도, 3배 높은 열전도율을 가지고 있습니다. 이러한 물성은 GaN 소자가 동일한 성능을 구현할 때 실리콘 소자보다 훨씬 작고 얇게 제작될 수 있음을 의미합니다. 또한, 더 높은 전압과 전류를 더 빠르게 제어할 수 있어 전력 변환 과정에서 발생하는 전력 손실을 획기적으로 줄일 수 있습니다. 즉, GaN 전력 장치는 더 높은 효율로 더 많은 전력을 처리할 수 있으며, 이는 곧 에너지 절감 및 소형화라는 두 가지 중요한 목표를 달성하는 데 기여합니다. GaN 전력 장치의 가장 두드러진 특징 중 하나는 **고속 스위칭 능력**입니다. GaN은 높은 전자 이동도를 바탕으로 실리콘 MOSFET이나 IGBT에 비해 훨씬 짧은 스위칭 시간을 가집니다. 이는 스위칭 과정에서 발생하는 에너지 손실을 최소화하는 데 결정적인 역할을 합니다. 기존의 실리콘 소자는 높은 주파수로 스위칭할 때 상당한 손실이 발생하여 효율이 떨어지고 발열이 심해지는 문제가 있었습니다. 하지만 GaN 소자는 수백 kHz에서 수 MHz에 이르는 높은 주파수로도 효율 저하 없이 스위칭이 가능하므로, 전력 변환 시스템의 작동 주파수를 높여 전체 시스템의 크기를 줄이고 더 높은 전력 밀도를 달성할 수 있습니다. 이러한 고속 스위칭 특성은 전력 밀도 향상과 부품 집적도를 높이는 데 매우 유리합니다. 또한, GaN은 **낮은 온 저항(Low On-Resistance)**을 가집니다. 온 저항은 소자가 켜져 있을 때 전류가 흐르는 동안 발생하는 저항으로, 이 값이 낮을수록 전력 손실이 줄어듭니다. GaN은 실리콘 대비 훨씬 낮은 온 저항을 가지므로, 동일한 전류를 흘릴 때 발생하는 열 발생이 훨씬 적습니다. 이는 전력 변환 시스템의 효율을 높이는 데 직접적으로 기여하며, 별도의 대형 방열기 없이도 높은 전력 처리가 가능하게 하여 시스템의 소형화 및 경량화에 도움을 줍니다. 특히 전력 밀도가 중요한 모바일 기기, 전기 자동차 등에서는 이러한 낮은 온 저항 특성이 매우 중요하게 작용합니다. **고온 작동 능력** 또한 GaN 전력 장치의 중요한 특징입니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압과 열 전도율을 가지므로, 높은 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 일반적으로 실리콘 소자는 150°C 이상에서 성능이 저하되거나 파손될 위험이 있지만, GaN 소자는 200°C 이상의 고온에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있습니다. 이는 열악한 환경에서 작동하는 산업용 장비, 자동차의 엔진룸 내부, 우주 항공 분야 등에서 GaN 전력 장치가 가진 강력한 경쟁력이 됩니다. 또한, 고온 작동 능력은 냉각 시스템의 복잡성과 비용을 줄여 시스템 전체의 설계 및 유지보수 효율성을 높일 수 있습니다. GaN 전력 장치는 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 **GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)**입니다. HEMT는 GaN과 다른 반도체 물질(예: AlGaN) 사이의 이종 접합을 이용하여 높은 전자 농도와 이동도를 가지는 2차원 전자 가스(2DEG) 채널을 형성하는 구조입니다. 이 2DEG 채널을 통해 높은 전류를 빠르게 스위칭할 수 있습니다. GaN HEMT는 일반적으로 높은 주파수와 높은 효율을 요구하는 애플리케이션에 주로 사용됩니다. 두 번째는 **GaN-on-Si(실리콘 기판 위 GaN)** 기술을 기반으로 하는 소자입니다. 기존의 실리콘 반도체 제조 인프라를 활용할 수 있다는 장점 때문에 폭넓게 연구 및 상용화되고 있습니다. 실리콘은 비용이 저렴하고 대구경 웨이퍼 제조가 용이하다는 장점이 있지만, GaN과의 격자 상수 및 열팽창 계수 차이로 인해 결함 발생 가능성이 있어 이를 제어하는 기술이 중요합니다. 이 외에도 GaN 자체를 기판으로 사용하는 GaN-on-GaN 방식은 최상의 성능을 제공하지만, 기판 비용이 매우 높아 고부가가치 애플리케이션에 주로 적용됩니다. GaN 전력 장치의 용도는 매우 다양하며, 끊임없이 확대되고 있습니다. **스마트폰, 노트북, 태블릿** 등 개인용 전자기기의 충전기 및 전원 공급 장치에 GaN 기술이 적용되면서 기존 어댑터 대비 훨씬 작고 가벼우면서도 빠른 충전 속도를 제공할 수 있게 되었습니다. 이는 소비자들이 휴대하는 전자기기의 편의성을 크게 향상시켰습니다. **서버 및 데이터 센터의 전원 공급 장치(PSU)**에서도 GaN은 높은 효율을 제공하여 전력 소비를 줄이고 발열을 감소시키는 데 기여합니다. 이는 운영 비용 절감과 동시에 환경 문제 해결에도 도움이 됩니다. **전기 자동차(EV)** 분야는 GaN 전력 장치의 가장 큰 잠재 시장 중 하나입니다. 전기 자동차의 핵심 부품인 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등에 GaN 소자가 적용되면 에너지 효율을 높여 주행 거리를 늘리고, 부품의 소형화 및 경량화를 통해 차량 전체의 무게를 줄여 연비를 향상시킬 수 있습니다. 또한, 고속 충전 인프라 구축에도 GaN 기술이 핵심적인 역할을 할 것으로 기대됩니다. **산업용 전력 변환 시스템**에서도 GaN은 그 빛을 발하고 있습니다. 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 전력 변환 장치, 산업용 모터 드라이브, 고출력 LED 조명 등 다양한 분야에서 GaN 소자의 고효율, 고주파 스위칭 능력이 활용되어 시스템의 효율을 높이고 크기를 줄이는 데 기여하고 있습니다. 특히 에너지 절감이 중요한 산업 현장에서 GaN 기술은 큰 주목을 받고 있습니다. GaN 전력 장치의 상용화를 뒷받침하는 관련 기술 역시 빠르게 발전하고 있습니다. **패키징 기술**은 GaN 소자의 우수한 성능을 최대한 이끌어내기 위한 핵심 기술입니다. GaN 소자는 높은 스위칭 속도와 열 발생 특성을 가지므로, 기존 실리콘 소자용으로 개발된 패키징 기술로는 그 성능을 제대로 발휘하기 어렵습니다. 따라서 낮은 기생 인덕턴스 및 커패시턴스를 갖는 고성능 패키징 기술과 함께, GaN 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있는 열 관리 기술이 필수적으로 요구됩니다. 이를 위해 와이어 본딩 대신 표면 실장 기술(SMT)을 사용하거나, 방열 성능이 우수한 재료를 사용한 새로운 패키지 형태들이 개발되고 있습니다. **회로 설계 기술** 또한 중요합니다. GaN 소자의 고속 스위칭 특성을 안전하고 효율적으로 활용하기 위해서는 게이트 드라이버 회로의 설계가 매우 중요합니다. GaN 소자는 일반적으로 실리콘 소자에 비해 더 높은 게이트 전압을 필요로 하며, 스위칭 속도가 빠르기 때문에 신뢰성 있는 드라이빙을 위한 최적화된 회로 설계가 요구됩니다. 또한, GaN 소자를 포함한 전력 변환 회로 시스템 전체의 효율을 극대화하기 위한 디지털 제어 기술 및 전력 밀도를 높이기 위한 집적화 기술도 활발히 연구되고 있습니다. 이처럼 GaN 반도체 전력 장치는 뛰어난 물리적 특성을 바탕으로 다양한 산업 분야에서 혁신을 주도하고 있습니다. 고속 스위칭, 낮은 온 저항, 고온 작동 능력 등 기존 실리콘 반도체가 가진 한계를 극복하며, 에너지 효율 향상, 시스템 소형화 및 경량화라는 현대 전력 전자 기술이 추구하는 목표를 달성하는 데 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 앞으로도 GaN 기술의 발전과 함께 더욱 다양한 분야에서 GaN 전력 장치의 적용이 확대될 것으로 기대되며, 이는 지속 가능한 사회와 첨단 기술 발전에 크게 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F22044) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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