| ■ 영문 제목 : Global Silicon-on-Insulators Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E47442 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 7월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 실리콘 온 절연체 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 실리콘 온 절연체 산업 체인 동향 개요, 자동차, 가전 제품, 데이터 통신 및 통신, 항공 우주 및 방위, 공업 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 실리콘 온 절연체의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 실리콘 온 절연체 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 실리콘 온 절연체 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 실리콘 온 절연체 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 실리콘 온 절연체 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 200mm ~ 200mm 이하, 300mm)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 실리콘 온 절연체 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 실리콘 온 절연체 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 실리콘 온 절연체 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 실리콘 온 절연체에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 실리콘 온 절연체 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 실리콘 온 절연체에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (자동차, 가전 제품, 데이터 통신 및 통신, 항공 우주 및 방위, 공업)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 실리콘 온 절연체과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 실리콘 온 절연체 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 실리콘 온 절연체 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
실리콘 온 절연체 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 200mm ~ 200mm 이하, 300mm
용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 가전 제품, 데이터 통신 및 통신, 항공 우주 및 방위, 공업
주요 대상 기업
– Soietc, Shin-Etsu Chemical, GlobalWafers, SUMCO, Simgui, GlobalFoundries, STMicroelectronics, TowerJazz, NXP Semiconductor, Murata Manufacturing
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 실리콘 온 절연체 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 실리콘 온 절연체의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 실리콘 온 절연체의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 실리콘 온 절연체 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 실리콘 온 절연체 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 실리콘 온 절연체 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 실리콘 온 절연체의 산업 체인.
– 실리콘 온 절연체 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Soietc Shin-Etsu Chemical GlobalWafers ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 실리콘 온 절연체 이미지 - 종류별 세계의 실리콘 온 절연체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 실리콘 온 절연체 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 실리콘 온 절연체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 실리콘 온 절연체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 실리콘 온 절연체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 실리콘 온 절연체 판매량 (2019-2030) - 세계의 실리콘 온 절연체 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 실리콘 온 절연체 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 실리콘 온 절연체 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 실리콘 온 절연체 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 실리콘 온 절연체 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 실리콘 온 절연체 판매량 시장 점유율 - 지역별 실리콘 온 절연체 소비 금액 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 소비 금액 - 유럽 실리콘 온 절연체 소비 금액 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 소비 금액 - 남미 실리콘 온 절연체 소비 금액 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 소비 금액 - 세계의 종류별 실리콘 온 절연체 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 실리콘 온 절연체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 실리콘 온 절연체 평균 가격 - 세계의 용도별 실리콘 온 절연체 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 실리콘 온 절연체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 실리콘 온 절연체 평균 가격 - 북미 실리콘 온 절연체 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 유럽 실리콘 온 절연체 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 온 절연체 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 온 절연체 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 온 절연체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 영국 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 러시아 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 일본 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 한국 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 인도 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 호주 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 남미 실리콘 온 절연체 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 실리콘 온 절연체 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 실리콘 온 절연체 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 실리콘 온 절연체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 이집트 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 실리콘 온 절연체 소비 금액 및 성장률 - 실리콘 온 절연체 시장 성장 요인 - 실리콘 온 절연체 시장 제약 요인 - 실리콘 온 절연체 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 실리콘 온 절연체의 제조 비용 구조 분석 - 실리콘 온 절연체의 제조 공정 분석 - 실리콘 온 절연체 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 온 절연체(Silicon-on-Insulators, SOI)는 절연체 위에 실리콘을 형성한 독특한 반도체 기판 기술입니다. 전통적인 벌크 실리콘 기판과 달리, SOI 기판은 절연층을 통해 웨이퍼의 활성 실리콘층과 기판의 나머지 부분을 분리하는 구조를 가지고 있습니다. 이 구조적 특징은 SOI 기술에 여러 가지 장점을 부여하며, 고성능 및 저전력 반도체 소자 구현에 핵심적인 역할을 합니다. SOI 기술의 가장 기본적인 개념은 절연층의 존재입니다. 일반적으로 이 절연층은 이산화규소(SiO₂)로 이루어지며, 이를 박막 산화물(Buried Oxide, BOX)이라고 부릅니다. 이 BOX층 위에 얇은 단결정 실리콘층이 존재하며, 이 실리콘층이 실제 트랜지스터와 같은 반도체 소자가 제작되는 활성 영역이 됩니다. 기판 하부에는 또 다른 실리콘 기판이 존재하지만, BOX층은 이 하부 기판과의 전기적 연결을 차단하는 역할을 합니다. 이러한 분리 구조는 소자 특성에 지대한 영향을 미칩니다. SOI 기판의 핵심적인 특징 중 하나는 누설 전류 감소입니다. 벌크 실리콘에서는 소자 주변의 기판으로 누설 전류가 흐르기 쉽지만, SOI에서는 BOX층이 전기적 절연체 역할을 하므로 누설 전류 경로가 현저히 줄어듭니다. 이는 특히 고밀도 집적 회로에서 전력 소모를 줄이는 데 매우 중요합니다. 또한, 이러한 절연 효과는 기생 정전 용량(parasitic capacitance)을 감소시켜 소자 동작 속도를 향상시키는 효과도 가져옵니다. 다른 중요한 특징은 뛰어난 전자 이동도(electron mobility)입니다. SOI의 얇은 활성 실리콘층에서는 캐리어(전자 또는 정공)가 소자 채널 내에 국한되어 움직입니다. 이로 인해 벌크 실리콘에 비해 캐리어의 산란이 줄어들고, 결과적으로 더 높은 이동도를 얻을 수 있습니다. 향상된 이동도는 트랜지스터의 스위칭 속도를 높이고 전류 구동 능력을 향상시켜 고성능 애플리케이션에 유리합니다. 또한, SOI는 래치업(latch-up) 현상을 효과적으로 억제합니다. 래치업은 CMOS 집적회로에서 발생하는 치명적인 문제로, 기생 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 구조가 활성화되어 오작동을 일으키거나 소자를 손상시킬 수 있습니다. SOI의 절연 구조는 이러한 기생 SCR 경로를 제거하거나 크게 약화시켜 래치업 문제를 근본적으로 해결합니다. 이는 특히 높은 집적도와 신뢰성이 요구되는 디지털 회로 설계에 큰 이점을 제공합니다. SOI 기판은 크게 완전 공핍형 SOI(Fully Depleted SOI, FD-SOI)와 부분 공핍형 SOI(Partially Depleted SOI, PD-SOI)로 구분될 수 있습니다. 이 구분은 활성 실리콘층의 두께와 관련이 있습니다. FD-SOI는 활성 실리콘층이 매우 얇아(일반적으로 10 나노미터 이하), 트랜지스터 게이트 전압에 의해 채널 전체가 완전히 공핍되거나 채널 내의 모든 캐리어가 제어될 수 있는 구조입니다. 이는 뛰어난 문턱 전압(threshold voltage) 제어 능력과 낮은 서브스레시홀드 스윙(subthreshold swing)을 가능하게 하여 저전압 동작 및 저전력 설계를 용이하게 합니다. 특히, 백게이팅(back-gating)이라는 기술을 통해 기판 쪽 게이트를 이용하여 트랜지스터의 문턱 전압을 동적으로 조절할 수 있으며, 이는 성능과 전력 효율을 최적화하는 데 기여합니다. PD-SOI는 활성 실리콘층이 FD-SOI보다 두꺼워 채널의 일부만 공핍되는 구조입니다. 이 구조에서는 채널 아래의 실리콘 영역에 잔류 캐리어가 존재할 수 있으며, 이는 벌크 실리콘과 유사한 2차 효과(second-order effects)를 유발할 수 있습니다. 그러나 PD-SOI는 공정의 복잡성이 상대적으로 낮고 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있습니다. 또한, 더 높은 소스-드레인 전류를 제공할 수 있어 특정 고성능 애플리케이션에는 여전히 유용합니다. SOI 기술의 제조 공정으로는 SIMOX(Separation by IMplanted OXygen), Wafer Bonding, 그리고 Epitaxial Layer Transfer(ELT) 등이 있습니다. SIMOX 공정은 실리콘 웨이퍼에 산소 이온을 고에너지로 주입하여 절연체층을 형성하는 방식입니다. 이 방식은 비교적 간단하지만, 이온 주입 과정에서 발생하는 결정 결함으로 인해 활성 실리콘층의 품질에 영향을 줄 수 있습니다. Wafer Bonding은 두 개의 독립적인 웨이퍼를 접합하는 기술입니다. 하나는 산화막이 형성된 실리콘 웨이퍼이고, 다른 하나는 원하는 두께의 실리콘층을 가진 웨이퍼입니다. 두 웨이퍼를 정밀하게 정렬하여 표면을 접합시킨 후, 원치 않는 실리콘층을 제거(예: grinding, etching 등)하여 SOI 구조를 만듭니다. 이 기술은 고품질의 얇은 실리콘층을 얻는 데 유리하며, 특히 FD-SOI 구현에 널리 사용됩니다. ELT는 이미 형성된 실리콘 결정층을 박리하여 다른 웨이퍼에 전사하는 기술입니다. 복잡한 공정이 필요하지만, 매우 얇고 균일한 실리콘층을 얻을 수 있다는 장점이 있습니다. SOI 기술은 다양한 분야에서 폭넓게 응용되고 있습니다. 첫째, 고성능 및 저전력 디지털 회로에 널리 사용됩니다. 특히 스마트폰, 노트북, 서버 등에서 사용되는 CPU, GPU와 같은 고성능 프로세서들은 높은 클럭 속도와 낮은 전력 소모를 동시에 요구하는데, SOI 기술은 이러한 요구사항을 충족시키는 데 이상적입니다. 래치업 방지 능력과 감소된 기생 정전 용량은 고밀도 집적 회로의 성능과 신뢰성을 향상시키며, 향상된 전자 이동도는 빠른 연산을 가능하게 합니다. 둘째, 무선 주파수(RF) 집적회로(IC) 분야에서도 SOI의 장점이 두드러집니다. RF 회로는 높은 주파수에서 작동하며, 높은 신호 무결성과 낮은 손실이 필수적입니다. SOI의 절연체층은 기생 용량을 효과적으로 줄여 신호 무결성을 높이고, 소자 간의 상호 커플링을 감소시킵니다. 또한, 실리콘 기반의 RF CMOS 공정과의 호환성이 높아 고성능 RF 프론트엔드 모듈(FEM) 등에도 널리 적용됩니다. 셋째, 전력 반도체 분야에서도 SOI 기술의 적용이 확대되고 있습니다. 특히 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)나 MOSFET과 같은 고전력 스위칭 소자를 SOI 기판 위에 구현할 때, 절연층은 전력 소자의 절연 특성을 향상시키고 높은 전압 내량을 확보하는 데 도움을 줍니다. 또한, 고전압 환경에서도 래치업이나 기생 전류 문제를 효과적으로 억제할 수 있습니다. 최근에는 차세대 메모리 소자나 첨단 센서 기술에서도 SOI 기판의 활용이 연구되고 있습니다. 예를 들어, 3D NAND 플래시 메모리나 강유전체 랜덤 액세스 메모리(FeRAM)와 같은 첨단 메모리 구조에서 SOI 기판의 장점을 활용하려는 시도가 이루어지고 있습니다. SOI 기술과 관련된 주요 기술로는 게이트 올 어라운드(Gate-All-Around, GAA) 트랜지스터 구조, FinFET 기술의 발전과 연계된 SOI 활용 등이 있습니다. GAA 구조는 트랜지스터의 채널을 게이트가 3차원적으로 둘러싸는 구조로, 기존의 FinFET보다 더 우수한 문턱 전압 제어와 누설 전류 억제 성능을 제공합니다. SOI 기판은 이러한 GAA 구조를 구현할 때 더 얇고 균일한 채널을 제공하여 성능을 극대화하는 데 기여합니다. 또한, FinFET 기술 자체가 SOI 기판 위에서 시작되었으며, 지속적인 발전과 함께 SOI 기반의 고성능 트랜지스터 구현이 이루어지고 있습니다. 결론적으로, 실리콘 온 절연체(SOI) 기술은 절연체 위에 실리콘을 형성하는 독특한 기판 구조를 기반으로 하며, 누설 전류 감소, 향상된 전자 이동도, 래치업 억제 등 다양한 이점을 제공합니다. FD-SOI와 PD-SOI로 구분되는 SOI 기판 종류는 각각의 장단점을 가지며 다양한 애플리케이션에 맞게 선택됩니다. 고성능 디지털 회로, RF 집적회로, 전력 반도체 등 광범위한 분야에서 SOI 기술의 중요성은 점차 커지고 있으며, GAA와 같은 첨단 트랜지스터 기술과의 결합을 통해 미래 반도체 기술 발전에 핵심적인 역할을 할 것으로 기대됩니다. |
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