| ■ 영문 제목 : GaN FET Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22034 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN FET 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN FET 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN FET의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN FET 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN FET 시장은 자동차, 전력전자, 국방, 항공 우주, LED, 태양광, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN FET 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN FET 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN FET 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN FET 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN FET 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 고갈 모드, 강화 모드), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN FET 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN FET 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN FET 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN FET 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN FET 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN FET 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN FET에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN FET 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN FET 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 고갈 모드, 강화 모드
■ 용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 전력전자, 국방, 항공 우주, LED, 태양광, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN FET 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Nexperia, Transphorm, Panasonic, Texas Instruments, Infineon, Renesas Electronics, Toshiba, Cree, Qorvo, EPC, GaN Systems
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN FET의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN FET 시장 규모
3 장 : GaN FET 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN FET 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN FET 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN FET 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Nexperia, Transphorm, Panasonic, Texas Instruments, Infineon, Renesas Electronics, Toshiba, Cree, Qorvo, EPC, GaN Systems Nexperia Transphorm Panasonic 8. 글로벌 GaN FET 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN FET 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN FET 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN FET 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN FET 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN FET 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN FET 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN FET 판매량: 2019-2030 - GaN FET 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN FET 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN FET 가격 - 글로벌 용도별 GaN FET 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN FET 가격 - 지역별 GaN FET 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN FET 시장규모 - 캐나다 GaN FET 시장규모 - 멕시코 GaN FET 시장규모 - 유럽 국가별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN FET 시장규모 - 프랑스 GaN FET 시장규모 - 영국 GaN FET 시장규모 - 이탈리아 GaN FET 시장규모 - 러시아 GaN FET 시장규모 - 아시아 지역별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN FET 시장규모 - 일본 GaN FET 시장규모 - 한국 GaN FET 시장규모 - 동남아시아 GaN FET 시장규모 - 인도 GaN FET 시장규모 - 남미 국가별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN FET 시장규모 - 아르헨티나 GaN FET 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN FET 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN FET 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN FET 시장규모 - 이스라엘 GaN FET 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN FET 시장규모 - 아랍에미리트 GaN FET 시장규모 - 글로벌 GaN FET 생산 능력 - 지역별 GaN FET 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN FET 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 전계효과 트랜지스터(FET)는 차세대 전력 반도체 소자로서 기존의 실리콘(Si) 기반 MOSFET을 대체하며 주목받고 있습니다. GaN FET는 질화갈륨이라는 화합물 반도체를 기반으로 제작되어 독보적인 성능을 자랑합니다. 질화갈륨은 실리콘보다 약 10배 높은 전자 이동도를 가지며, 넓은 밴드갭과 높은 항복 전압 특성을 나타냅니다. 이러한 특성 덕분에 GaN FET는 고주파, 고출력, 고효율의 전력 변환 및 고속 스위칭 애플리케이션에 매우 적합합니다. GaN FET의 핵심적인 정의는 전계 효과를 이용하여 도체 채널 내의 전하 캐리어 농도를 조절함으로써 전류를 제어하는 반도체 소자라는 것입니다. 특히 GaN FET는 금속-반도체 장벽을 이용하거나, 고체 전해질 게이트를 사용하는 등 다양한 구조로 구현될 수 있습니다. 현재 가장 널리 사용되는 형태는 주로 수직형 구조 또는 수평형 구조의 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 방식입니다. HEMT 방식에서는 서로 다른 밴드갭 에너지와 격자 상수를 가진 두 개의 반도체 물질, 예를 들어 AlGaN과 GaN을 접합하여 2차원 전자 가스(2DEG)를 형성하고, 이 2DEG 채널을 통해 전류가 흐르게 됩니다. 게이트 전압을 인가하면 이 2DEG 채널의 전도도가 조절되어 스위칭 작용을 하게 됩니다. GaN FET의 가장 두드러진 특징으로는 탁월한 전력 효율, 고속 스위칭 능력, 높은 동작 주파수, 그리고 우수한 열 방출 특성을 들 수 있습니다. 기존 실리콘 MOSFET에 비해 GaN FET는 훨씬 낮은 온저항(R_on)을 가지므로 전력 손실이 현저히 줄어듭니다. 이는 동일한 전력 변환 효율을 달성하면서도 소자 크기를 더욱 작게 만들 수 있음을 의미하며, 결과적으로 시스템 전체의 에너지 효율을 높이는 데 기여합니다. 또한, GaN FET는 매우 빠른 스위칭 속도를 자랑합니다. 이는 스위칭 시 발생하는 에너지 손실을 최소화하고, 고주파 동작을 가능하게 하여 전력 변환기의 크기를 줄이고 더 높은 주파수에서 작동할 수 있도록 합니다. GaN의 높은 밴드갭 에너지는 더 높은 항복 전압을 가능하게 하여 고전압 애플리케이션에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 마지막으로, GaN은 실리콘보다 높은 열 전도성을 가지고 있어 발생하는 열을 더 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고밀도, 고출력 애플리케이션에서 소자의 신뢰성과 수명을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. GaN FET는 그 특성에 따라 다양한 종류로 분류될 수 있습니다. 대표적으로는 질화갈륨 자체의 전하 이동도에 의존하는 정공 수송 방식의 FET와, 서로 다른 반도체를 접합하여 2차원 전자 가스(2DEG)를 형성하는 HEMT 방식이 있습니다. HEMT 방식 내에서도 게이트 전압 인가 방식에 따라 종단형(normally-off) 모드와 상시전도형(normally-on) 모드로 나눌 수 있으며, 최근에는 상시전도형 GaN FET의 게이트 전극에 전하 저장층을 도입하여 종단형 동작을 구현하는 기술도 발전하고 있습니다. 또한, 소자의 기본 구조에 따라 수평형 GaN FET와 수직형 GaN FET로 구분될 수 있습니다. 수평형 GaN FET는 주로 고주파 통신 분야에서 사용되며, 수직형 GaN FET는 고출력 전력 변환 분야에서 널리 활용됩니다. 최근에는 소자의 성능을 더욱 향상시키기 위해 와이드 밴드갭 반도체인 산화갈륨(Ga2O3)을 GaN과 함께 사용하는 기술도 연구되고 있습니다. GaN FET의 광범위한 용도는 그 뛰어난 성능을 입증합니다. 첫째, 데이터 센터, 서버, 충전기 등 범용 전원 공급 장치(SMPS)에서 기존 실리콘 MOSFET을 대체하여 전력 효율을 크게 향상시키고 제품의 크기를 줄이는 데 기여하고 있습니다. 둘째, 전기자동차(EV)의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등 전력 구동 시스템에 적용되어 에너지 효율을 높이고 주행 거리를 늘리는 데 중요한 역할을 합니다. 셋째, 태양광 발전 시스템, 풍력 발전 시스템 등 재생 에너지 분야의 전력 변환기에서 효율적인 에너지 수확 및 변환을 가능하게 합니다. 넷째, 5G 통신 기지국, 레이더 시스템, 위성 통신 등 고주파 고출력 증폭기(HPA) 분야에서도 GaN FET는 우수한 성능을 발휘하며 차세대 통신 기술 발전에 기여하고 있습니다. 또한, 스마트폰, 노트북 등 휴대용 전자기기의 고속 충전기, 전기 자전거, 산업용 모터 드라이브 등 다양한 분야에서 GaN FET의 채택이 빠르게 증가하고 있습니다. GaN FET의 성능을 더욱 극대화하고 상용화를 가속하기 위한 관련 기술들도 활발히 연구 및 개발되고 있습니다. 첫째, 기판 기술의 발전이 중요합니다. 전통적으로 사파이어(Sapphire) 기판이 많이 사용되었지만, 열 방출 특성과 격자 정합성을 개선하기 위해 실리콘(Si) 기판, 탄화규소(SiC) 기판 등이 적극적으로 활용되고 있습니다. 특히 실리콘 기판은 대면적화 및 저비용화에 유리하여 GaN FET의 대중화에 기여할 것으로 기대됩니다. 둘째, 소자 구조 최적화 기술입니다. 종단형 GaN FET 구현을 위한 다양한 게이트 구조(예: 슈미트 트리거 게이트, 캐패시턴스-종단형 게이트) 연구와 함께, 고집적화 및 고성능화를 위한 3차원 적층 기술, 수직형 소자 기술 등도 발전하고 있습니다. 셋째, 패키징 기술입니다. GaN FET는 고속 스위칭 특성으로 인해 기생 인덕턴스를 최소화하는 것이 중요합니다. 따라서 와이어 본딩 대신 플립칩(flip-chip) 본딩, 몰딩 기술 등 저인덕턴스 패키징 기술이 개발되고 있습니다. 또한, GaN 자체의 우수한 열 전도성을 활용하기 위한 직접 접합 기술, 열 방출 능력이 뛰어난 패키지 설계 등도 중요한 연구 분야입니다. 넷째, 드라이버 IC와의 통합 기술입니다. GaN FET를 효율적으로 구동하기 위한 고성능 드라이버 IC와의 통합은 시스템의 성능 향상 및 공간 절감에 기여합니다. 마지막으로, 신뢰성 향상을 위한 연구도 필수적입니다. GaN 소재의 특성상 소자 제작 과정에서 발생하는 결함, 열 스트레스, 고전압 스트레스 등에 대한 신뢰성 평가 및 개선 방안 마련이 지속적으로 이루어지고 있습니다. 이러한 다양한 관련 기술들의 발전은 GaN FET가 차세대 전력 반도체 시장을 선도하는 핵심 기술로 자리매김하는 데 중요한 역할을 할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN FET 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F22034) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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