| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride (GaN) on Silicon (Si) Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C4132 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자＆반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 산업 체인 동향 개요, 가전, 자동차 전자, 5G, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : GaN-on-실리콘 파워 디바이스, GaN-on-실리콘 RF 칩, GaN-on-실리콘 LED 칩)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (가전, 자동차 전자, 5G, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– GaN-on-실리콘 파워 디바이스, GaN-on-실리콘 RF 칩, GaN-on-실리콘 LED 칩
용도별 시장 세그먼트
– 가전, 자동차 전자, 5G, 기타
주요 대상 기업
– Navitas, Transphorm, Innoscience, Infineon Technologies, TI, China Resources Microelectronics, STMicroelectronics/MACOM
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 산업 체인.
– 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Navitas Transphorm Innoscience ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 이미지 - 종류별 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 (2019-2030) - 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 - 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 시장 점유율 - 북미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 - 유럽 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 - 아시아 태평양 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 - 남미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 - 중동 및 아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 - 세계의 종류별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 평균 가격 - 세계의 용도별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 평균 가격 - 북미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 유럽 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 영국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 러시아 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 일본 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 한국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 인도 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 호주 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 남미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 이집트 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 소비 금액 및 성장률 - 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 성장 요인 - 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 제약 요인 - 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 제조 비용 구조 분석 - 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 제조 공정 분석 - 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 기판 위에 질화 갈륨 (GaN)을 성장시키는 기술은 첨단 반도체 소재 분야에서 매우 중요한 위치를 차지하고 있습니다. 이는 기존의 실리콘 반도체 기술의 한계를 극복하고 새로운 고성능 전자 및 광전자 소자를 구현할 수 있게 하는 핵심 기술입니다. 이 기술은 크게 두 가지 반도체 소재의 장점을 결합하여 시너지를 창출하는 것을 목표로 합니다. 실리콘 (Si)은 현대 전자 산업의 근간을 이루는 반도체 소재입니다. 풍부한 매장량, 저렴한 가격, 그리고 수십 년간 축적된 성숙한 제조 공정 덕분에 수많은 전자기기에 광범위하게 사용되고 있습니다. 실리콘은 우수한 결정 품질과 대면적 기판 제작이 용이하다는 장점을 가지고 있어, 복잡한 집적회로(IC) 제작에 최적화되어 있습니다. 하지만 실리콘은 밴드갭 에너지가 상대적으로 낮아 고온이나 고전압 환경에서의 동작에 제약이 있으며, 전자 이동도가 질화 갈륨과 같은 화합물 반도체에 비해 낮다는 한계가 있습니다. 질화 갈륨 (GaN)은 실리콘과 비교했을 때 월등히 높은 밴드갭 에너지, 높은 전자 이동도, 그리고 우수한 열전도율을 가지는 차세대 반도체 소재입니다. 이러한 특성 덕분에 GaN은 고온, 고전압, 고주파수 환경에서도 안정적으로 작동하는 고성능 전자 소자 및 고효율 광 소자 구현에 이상적인 소재로 각광받고 있습니다. 특히, GaN은 전계 효과 트랜지스터(FET)와 같은 고출력 스위칭 소자, 고주파 통신용 증폭기, 그리고 밝고 에너지 효율적인 발광 다이오드(LED) 및 레이저 다이오드(LD) 등에 폭넓게 응용될 수 있습니다. 그러나 GaN 자체만으로는 경제적이고 대면적 생산에 어려움이 있습니다. GaN은 자체적으로 결정을 성장시키는 데 비용이 많이 들고, 대면적 웨이퍼 생산이 어렵다는 단점이 있습니다. 이러한 제약을 극복하기 위해 실리콘 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술이 개발되었는데, 이를 '실리콘 상 질화 갈륨(GaN on Si)' 또는 'Si 기반 GaN'이라고 부릅니다. 이 기술은 기존의 실리콘 웨이퍼 제조 인프라를 활용하여 경제성을 확보하고, 대면적 GaN 소자를 생산할 수 있다는 점에서 큰 잠재력을 가지고 있습니다. GaN on Si 기술의 핵심적인 과제는 서로 다른 결정 격자 상수와 열팽창 계수를 가진 두 물질을 효과적으로 접합하여 고품질의 GaN 박막을 성장시키는 것입니다. 실리콘과 GaN은 결정 구조와 격자 상수가 일치하지 않기 때문에, GaN을 실리콘 기판 위에 직접 성장시키면 계면에서 많은 결정 결함(dislocation)이 발생합니다. 이러한 결함은 소자의 성능을 저하시키고 신뢰성을 떨어뜨리는 주된 원인이 됩니다. 이러한 결함을 줄이고 고품질의 GaN 박막을 얻기 위해 다양한 완충층(buffer layer) 기술이 개발되었습니다. 대표적인 완충층으로는 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN) 또는 질화 알루미늄 (AlN) 기반의 다층 구조가 사용됩니다. 이러한 완충층은 격자 불일치를 점진적으로 완화시키고, 실리콘 기판의 열팽창 계수 차이로 인한 응력을 효과적으로 흡수하여 GaN 결정의 품질을 향상시키는 역할을 합니다. 예를 들어, AlN, AlGaN/GaN superlattice, AlGaN/GaN strained-layer superlattice (SLS) 등이 사용되어 GaN 층 내의 전위 밀도(dislocation density)를 크게 감소시킬 수 있습니다. GaN on Si 기술의 발전은 수많은 연구와 기술 혁신을 통해 이루어져 왔습니다. 특히, 금속유기화학기상증착법(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)은 GaN on Si 박막을 성장시키는 데 가장 일반적으로 사용되는 방법입니다. MOCVD 공정은 고온에서 가스 상태의 전구체(precursor)를 사용하여 기판 위에 박막을 증착시키는 기술로, GaN의 결정 성장 및 도핑 제어에 매우 효과적입니다. MOCVD 공정의 최적화, 새로운 완충층 구조의 개발, 그리고 성장 온도 및 압력 조건의 정밀한 제어 등을 통해 GaN on Si 소자의 성능은 지속적으로 향상되고 있습니다. GaN on Si 기술의 주요 장점은 다음과 같습니다. 첫째, 경제성입니다. 실리콘 기판은 기존의 실리콘 반도체 산업에서 대량으로 생산되고 있기 때문에, GaN on Si 기술은 사파이어나 탄화규소(SiC)와 같은 다른 기판을 사용하는 것보다 훨씬 저렴하게 GaN 소자를 생산할 수 있습니다. 둘째, 대면적 생산 가능성입니다. 실리콘 웨이퍼는 직경 200mm 또는 300mm와 같이 큰 사이즈로 제작이 가능하며, 이는 단위 면적당 소자 생산량을 크게 늘려 생산 효율성을 높입니다. 셋째, 기존 실리콘 공정과의 호환성입니다. 일부 GaN on Si 소자는 기존 실리콘 공정 라인에서 제작될 수 있어, 투자 비용을 절감하고 상용화 속도를 높일 수 있습니다. 그러나 GaN on Si 기술은 여전히 해결해야 할 과제를 안고 있습니다. 앞서 언급한 격자 불일치 및 열팽창 계수 차이로 인한 결함 문제는 완벽하게 해결되지 않았으며, 이는 GaN 박막의 전자 이동도나 캐리어 농도에 영향을 미칠 수 있습니다. 또한, GaN 박막에 잔류 응력이 발생하여 웨이퍼 휨(bowing) 현상이 나타날 수 있으며, 이는 후속 공정에서 문제를 야기할 수 있습니다. 이러한 문제를 극복하기 위해 다양한 구조적 설계 및 공정 기술이 연구 개발되고 있습니다. GaN on Si 기술은 다양한 분야에서 혁신적인 응용을 가능하게 합니다. 전력 전자 분야에서는 고효율, 고전압 스위칭 소자인 GaN FET가 기존의 실리콘 기반 MOSFET을 대체하며 전력 변환 장치의 효율을 크게 향상시키고 있습니다. 이는 전기 자동차, 태양광 인버터, 전원 공급 장치 등 다양한 분야에서 에너지 절감 효과를 가져옵니다. 통신 분야에서는 고주파수 대역에서 뛰어난 성능을 보이는 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)가 5G 및 차세대 통신 시스템의 기지국 및 휴대용 장치에 사용됩니다. 광전자 분야에서는 GaN 기반 LED 및 레이저 다이오드가 디스플레이, 조명, 및 통신에 널리 사용되며, 특히 청색 및 자외선 영역의 발광 소자 구현에 강점을 보입니다. 최근에는 GaN on Si 기술을 넘어 GaN on GaN (자체 GaN 기판), GaN on SiC, 그리고 GaN on Sapphire와 같은 다양한 기판 기반의 GaN 소자들과의 경쟁도 치열하게 이루어지고 있습니다. 각 기판은 고유의 장단점을 가지고 있으며, 응용 분야에 따라 최적의 기판 선택이 중요합니다. 하지만 장기적으로 보았을 때, 실리콘 기판의 경제성과 대면적 생산 능력은 GaN on Si 기술을 더욱 매력적인 선택지로 만들 것입니다. 결론적으로, 실리콘 기판 위에 질화 갈륨을 성장시키는 GaN on Si 기술은 기존 실리콘 반도체 기술의 기반 위에 GaN의 우수한 성능을 접목시켜 차세대 고성능 전자 및 광전자 소자를 구현하는 핵심 기술입니다. 비록 격자 불일치 및 열팽창 계수 차이로 인한 기술적 과제가 존재하지만, 지속적인 연구 개발을 통해 이러한 문제들이 해결되고 있으며, 그 응용 범위는 더욱 확대될 것으로 기대됩니다. 경제성과 대면적 생산 능력이라는 강력한 장점을 바탕으로 GaN on Si 기술은 앞으로 반도체 산업의 패러다임을 변화시킬 중요한 기술 중 하나로 자리매김할 것입니다. 이 기술은 전자 기기의 성능 향상뿐만 아니라 에너지 효율성 증대, 그리고 새로운 통신 기술의 발전을 이끄는 동력이 될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C4132) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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