| ■ 영문 제목 : Gallium Nitride (GaN) Power Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F21970 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장은 가전 제품, IT/통신, 자동차, 항공 우주/국방, 군사, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: GaN 전력 이산 소자, GaN 전력 IC, GaN 전력 모듈), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– GaN 전력 이산 소자, GaN 전력 IC, GaN 전력 모듈
■ 용도별 시장 세그먼트
– 가전 제품, IT/통신, 자동차, 항공 우주/국방, 군사, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Transphorm, Fujitsu, NXP Semiconductors, GaN Systems, Texas Instruments, Infineon Technologies, Cree (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors, Qorvo
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장 규모
3 장 : 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Transphorm, Fujitsu, NXP Semiconductors, GaN Systems, Texas Instruments, Infineon Technologies, Cree (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors, Qorvo Transphorm Fujitsu NXP Semiconductors 8. 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량: 2019-2030 - 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 가격 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 가격 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 캐나다 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 멕시코 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 유럽 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 프랑스 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 영국 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 이탈리아 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 러시아 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 아시아 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 일본 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 한국 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 동남아시아 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 인도 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 남미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 아르헨티나 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 이스라엘 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 아랍에미리트 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장규모 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 생산 능력 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨(GaN) 전력 장치는 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체 기술의 한계를 극복하고 에너지 효율성과 성능을 혁신적으로 향상시킬 수 있는 차세대 기술로 주목받고 있습니다. 이는 기존 전력 변환 시스템의 성능을 크게 향상시키고, 더 작고 가벼우며 효율적인 전력 솔루션을 가능하게 합니다. 질화 갈륨(GaN)은 직접 밴드갭을 가지는 III-V족 화합물 반도체로서, 실리콘에 비해 훨씬 뛰어난 전기적 및 열적 특성을 지니고 있어 고주파, 고전력, 고효율을 요구하는 다양한 전력 응용 분야에 이상적인 소재입니다. 질화 갈륨(GaN) 전력 장치의 핵심적인 특징은 우수한 전자 이동도입니다. 질화 갈륨은 실리콘에 비해 약 2~3배 높은 전자 이동도를 가지고 있어, 고속 스위칭이 가능합니다. 이는 전력 변환 과정에서 발생하는 스위칭 손실을 줄여 전체적인 시스템 효율을 높이는 데 결정적인 역할을 합니다. 또한, 질화 갈륨은 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 견딜 수 있어, 더 높은 전력을 처리할 수 있습니다. 이는 동일한 성능을 달성하기 위해 더 큰 크기의 실리콘 소자가 필요한 경우를 줄여, 전력 밀도를 높이고 장치의 소형화를 가능하게 합니다. 더불어 질화 갈륨은 높은 열 전도성을 가지고 있어, 작동 중에 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고온 환경에서도 안정적인 작동을 보장하며, 복잡한 냉각 시스템에 대한 의존도를 줄여 시스템 설계의 유연성을 높입니다. 이러한 특성 덕분에 질화 갈륨 전력 장치는 기존 실리콘 기반 소자로는 달성하기 어려웠던 높은 전력 밀도, 높은 주파수 작동, 그리고 뛰어난 에너지 효율을 제공합니다. 질화 갈륨(GaN) 전력 장치의 가장 대표적인 형태로는 질화 갈륨 고전자 이동 트랜지스터(GaN High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT)가 있습니다. GaN HEMT는 질화 갈륨과 질화 알루미늄 갈륨(AlGaN)의 이종 접합을 이용하여 만들어집니다. AlGaN과 GaN 사이의 고유한 에너지 밴드 차이(Band Offset)와 격자 불일치(Lattice Mismatch)로 인해 AlGaN/GaN 계면에는 높은 농도의 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)가 형성됩니다. 이 2DEG는 매우 높은 전자 이동도를 가지며, 이를 통해 빠른 스위칭 속도와 낮은 온 저항(On-Resistance)을 구현할 수 있습니다. GaN HEMT는 소스와 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 배치하여 2DEG 채널의 전류 흐름을 제어하는 방식으로 작동합니다. GaN HEMT는 크게 수직형(Vertical)과 수평형(Lateral)으로 나눌 수 있습니다. 현재 상용화된 대부분의 GaN 전력 장치는 수평형 구조를 채택하고 있으며, 이는 마이크로파 및 고주파 응용 분야에서 특히 강점을 보입니다. 최근에는 전력 밀도를 더욱 높이기 위한 수직형 GaN 소자에 대한 연구 개발도 활발히 진행되고 있습니다. 질화 갈륨(GaN) 전력 장치는 다양한 응용 분야에서 그 가치를 증명하고 있습니다. 가장 대표적인 분야는 전원 공급 장치(Power Supply Unit, PSU)입니다. 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 서버 전원 등에서 GaN 기술을 적용하면 기존 실리콘 기반 제품보다 훨씬 작고 가벼우면서도 높은 효율을 제공할 수 있습니다. 이는 휴대성과 에너지 절감 측면에서 큰 이점을 제공합니다. 또한, 자동차 산업에서도 GaN의 중요성이 커지고 있습니다. 전기차(EV)의 온보드 충전기(On-Board Charger, OBC), DC-DC 컨버터 등에서 GaN을 사용하면 전력 변환 효율을 높여 주행 거리를 늘리고, 부품 크기를 줄여 차량 설계의 유연성을 확보할 수 있습니다. GaN은 또한 산업용 전력 변환 장치, 태양광 인버터, 풍력 발전 시스템 등 높은 효율과 신뢰성이 요구되는 분야에서도 널리 활용될 잠재력을 가지고 있습니다. 레이더 및 통신 시스템과 같은 고주파 응용 분야에서도 GaN HEMT는 이미 중요한 위치를 차지하고 있으며, 5G 및 차세대 통신 시스템의 발전에 필수적인 역할을 하고 있습니다. 또한, 데이터 센터의 전력 효율 향상, 산업용 모터 드라이브, 차량용 조명 등에서도 GaN 전력 장치의 적용이 확대되고 있습니다. 질화 갈륨(GaN) 전력 장치의 개발 및 상용화를 뒷받침하는 관련 기술로는 기판 재료, 에피 성장 기술, 소자 구조 설계, 패키징 기술 등이 있습니다. GaN 소자의 성능은 기반이 되는 기판 재료의 영향을 크게 받습니다. 일반적으로 GaN은 자체적으로는 비싸고 다루기 어렵기 때문에, 실리콘 카바이드(SiC)나 사파이어(Sapphire)와 같은 다른 기판 위에 성장됩니다. 하지만 이러한 이종 접합은 격자 불일치로 인한 결함 발생 가능성이 있습니다. 따라서 최근에는 GaN 자체적으로 성장되거나, 실리콘 웨이퍼 위에 GaN을 성장시키는 기술이 연구되고 있으며, 특히 실리콘 기반 GaN(GaN-on-Si) 기술은 대량 생산과 비용 절감 측면에서 매우 중요한 진전입니다. 에피 성장 기술은 고품질의 GaN 및 AlGaN 박막을 정확하게 성장시키는 기술로, 금속유기화학증착법(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)이 주로 사용됩니다. 소자 구조 설계는 GaN HEMT의 성능을 극대화하기 위해 채널 폭, 게이트 길이, 전극 간 간격 등을 최적화하는 것을 포함합니다. 또한, GaN 소자는 높은 작동 온도와 전력 밀도를 가지므로, 열을 효과적으로 방출하고 고전압 및 고전류를 안정적으로 처리할 수 있는 새로운 패키징 기술의 개발도 필수적입니다. 예를 들어, 와이어 본딩이 아닌 직접적인 접촉을 통한 저인덕턴스 패키징 기술이나 고성능 열 관리 솔루션이 요구됩니다. 결론적으로 질화 갈륨(GaN) 전력 장치는 실리콘의 한계를 뛰어넘는 뛰어난 성능과 효율을 제공하며, 에너지 절감, 소형화, 고성능화를 통해 다양한 산업 분야의 혁신을 주도하고 있습니다. 스마트 충전기부터 전기 자동차, 그리고 차세대 통신 시스템에 이르기까지, GaN 기술은 우리 생활과 산업 전반에 걸쳐 더욱 효율적이고 지속 가능한 에너지 솔루션을 구현하는 데 중요한 역할을 할 것입니다. 이러한 추세는 앞으로도 지속될 것이며, GaN 전력 장치 기술의 발전은 에너지 효율 및 성능 요구 사항이 증가함에 따라 더욱 가속화될 것으로 예상됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F21970) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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