| ■ 영문 제목 : Global Third Generation Semiconductor GaN Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E52440 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 7월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 3세대 반도체 GaN 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 3세대 반도체 GaN 산업 체인 동향 개요, LED, 레이저, 무선 주파수 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 3세대 반도체 GaN의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 3세대 반도체 GaN 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 3세대 반도체 GaN 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 3세대 반도체 GaN 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 3세대 반도체 GaN 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 통합 갈륨 질화물 반도체, 이산 갈륨 질화물 반도체)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 3세대 반도체 GaN 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 3세대 반도체 GaN 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 3세대 반도체 GaN 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 3세대 반도체 GaN에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 3세대 반도체 GaN 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 3세대 반도체 GaN에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (LED, 레이저, 무선 주파수)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 3세대 반도체 GaN과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 3세대 반도체 GaN 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 3세대 반도체 GaN 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
3세대 반도체 GaN 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 통합 갈륨 질화물 반도체, 이산 갈륨 질화물 반도체
용도별 시장 세그먼트
– LED, 레이저, 무선 주파수
주요 대상 기업
– Wolfspeed, Infineon Technologies, IQE, Sumitomo Chemical, Soitec, SweGaN, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Kyma Technologies, Inc., Mitsubishi Chemical Corporation, Powdec K.K., DOWA Electronics Materials Co., Ltd., Suzhou Nanowin Science and Technology, Dynax Semiconductor, Sanan Optoelectronics, Latticepower Corporation
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 3세대 반도체 GaN 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 3세대 반도체 GaN의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 3세대 반도체 GaN의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 3세대 반도체 GaN 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 3세대 반도체 GaN 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 3세대 반도체 GaN 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 3세대 반도체 GaN의 산업 체인.
– 3세대 반도체 GaN 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Wolfspeed Infineon Technologies IQE ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 3세대 반도체 GaN 이미지 - 종류별 세계의 3세대 반도체 GaN 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 3세대 반도체 GaN 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 3세대 반도체 GaN 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 3세대 반도체 GaN 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 3세대 반도체 GaN 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 3세대 반도체 GaN 판매량 (2019-2030) - 세계의 3세대 반도체 GaN 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 3세대 반도체 GaN 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 3세대 반도체 GaN 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 3세대 반도체 GaN 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 지역별 3세대 반도체 GaN 소비 금액 시장 점유율 - 북미 3세대 반도체 GaN 소비 금액 - 유럽 3세대 반도체 GaN 소비 금액 - 아시아 태평양 3세대 반도체 GaN 소비 금액 - 남미 3세대 반도체 GaN 소비 금액 - 중동 및 아프리카 3세대 반도체 GaN 소비 금액 - 세계의 종류별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 3세대 반도체 GaN 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 3세대 반도체 GaN 평균 가격 - 세계의 용도별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 3세대 반도체 GaN 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 3세대 반도체 GaN 평균 가격 - 북미 3세대 반도체 GaN 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 3세대 반도체 GaN 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 3세대 반도체 GaN 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 3세대 반도체 GaN 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 유럽 3세대 반도체 GaN 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 3세대 반도체 GaN 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 3세대 반도체 GaN 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 3세대 반도체 GaN 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 영국 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 러시아 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 3세대 반도체 GaN 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 3세대 반도체 GaN 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 3세대 반도체 GaN 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 3세대 반도체 GaN 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 일본 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 한국 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 인도 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 호주 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 남미 3세대 반도체 GaN 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 3세대 반도체 GaN 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 3세대 반도체 GaN 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 3세대 반도체 GaN 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 3세대 반도체 GaN 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 3세대 반도체 GaN 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 3세대 반도체 GaN 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 3세대 반도체 GaN 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 이집트 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 3세대 반도체 GaN 소비 금액 및 성장률 - 3세대 반도체 GaN 시장 성장 요인 - 3세대 반도체 GaN 시장 제약 요인 - 3세대 반도체 GaN 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 3세대 반도체 GaN의 제조 비용 구조 분석 - 3세대 반도체 GaN의 제조 공정 분석 - 3세대 반도체 GaN 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 3세대 반도체 질화갈륨(GaN)에 대한 심층적인 이해 현대 전자 산업의 발전은 소재 기술의 진보에 크게 의존하고 있으며, 그중에서도 반도체 소재는 혁신을 이끌어가는 핵심 동력입니다. 실리콘(Si) 기반의 기존 반도체가 오랜 기간 우리 삶의 편리함을 증진시키는 데 크게 기여해왔지만, 에너지 효율 증대 및 고성능 요구에 대한 한계에 직면하면서 새로운 소재에 대한 필요성이 대두되었습니다. 이러한 배경 속에서 차세대 반도체 소재로 각광받고 있는 것이 바로 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)입니다. 질화갈륨은 3세대 반도체라 불리며 기존 실리콘 반도체가 가지는 한계를 뛰어넘는 탁월한 물리적, 전기적 특성을 바탕으로 다양한 첨단 분야에서 그 활용 범위를 넓혀가고 있습니다. 질화갈륨은 갈륨(Ga) 원자와 질소(N) 원자가 결합된 화합물 반도체입니다. 이러한 원자 결합은 고유한 결정 구조를 형성하며, 이 구조는 질화갈륨에게 특별한 능력들을 부여합니다. 특히, 넓은 띠 간격(wide bandgap)을 가지고 있다는 점이 질화갈륨의 가장 중요한 특징 중 하나입니다. 띠 간격이란 반도체 내에서 전자가 자유롭게 이동할 수 있는 에너지 영역(전도대)과 전자가 속박되어 있는 에너지 영역(가전자대) 사이의 에너지 차이를 의미합니다. 질화갈륨의 띠 간격은 약 3.4eV로 실리콘(약 1.1eV)에 비해 훨씬 넓습니다. 이 넓은 띠 간격은 질화갈륨 소재가 더 높은 온도와 더 높은 전압에서도 안정적으로 작동할 수 있게 하는 핵심적인 이유가 됩니다. 또한, 질화갈륨은 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가지는데, 이는 소자가 파괴되지 않고 견딜 수 있는 최대 전압을 의미합니다. 이는 고출력, 고전압 애플리케이션에 매우 유리한 특성입니다. 또한, 질화갈륨은 실리콘에 비해 훨씬 높은 전자 이동도(electron mobility)를 자랑합니다. 전자 이동도는 전기장이 가해졌을 때 전자가 얼마나 빠르게 이동할 수 있는지를 나타내는 지표인데, 질화갈륨은 이 분야에서도 뛰어난 성능을 보여줍니다. 높은 전자 이동도는 더 높은 스위칭 속도와 더 낮은 전력 손실을 가능하게 합니다. 즉, 질화갈륨 소자는 더 빠르고 효율적으로 작동할 수 있습니다. 이러한 특성들은 고주파 동작과 전력 효율 증대에 직접적으로 기여합니다. 더불어, 질화갈륨은 우수한 열 전도성을 가지고 있어 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고온 환경에서도 안정적인 성능을 유지하는 데 도움을 주며, 별도의 복잡한 방열 시스템의 필요성을 줄여 소형화 및 경량화에 유리합니다. 이러한 질화갈륨의 탁월한 특성들은 기존 실리콘 기반 반도체로는 구현하기 어려웠던 많은 기술적 난제들을 해결할 수 있는 가능성을 열어주고 있습니다. 질화갈륨 기반 반도체는 주로 트랜지스터 형태로 구현되며, 이러한 트랜지스터는 다시 다양한 반도체 소자로 만들어집니다. 질화갈륨 트랜지스터의 대표적인 종류로는 질화갈륨/질화알루미늄갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(GaN/AlGaN HEMT, High Electron Mobility Transistor)가 있습니다. 이는 질화갈륨과 질화알루미늄을 접합하여 질화갈륨 위에 2차원 전자 가스(2DEG, two-dimensional electron gas)라는 매우 높은 전자 이동도를 가지는 층을 형성시키는 구조입니다. 이 2DEG 채널을 통해 전자가 빠르게 이동함으로써 고속 및 고출력 동작을 가능하게 합니다. 또한, 질화갈륨 기반의 전계 효과 트랜지스터(FET, Field-Effect Transistor) 역시 널리 사용됩니다. 질화갈륨 반도체의 뛰어난 성능은 다양한 첨단 분야에서 그 응용 가능성을 보여주고 있습니다. 가장 대표적인 용도 중 하나는 전력 변환 장치입니다. 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 전기차 충전 시스템 등에서 질화갈륨 기반 전력 반도체는 기존 실리콘 기반 반도체보다 훨씬 높은 효율로 전력을 변환할 수 있어 에너지 손실을 줄이고 제품의 크기를 줄이는 데 크게 기여합니다. 예를 들어, 같은 성능을 내면서도 기존 어댑터보다 훨씬 작고 가벼운 GaN 충전기가 출시되어 소비자들의 큰 호응을 얻고 있습니다. 이러한 고효율 전력 변환은 에너지 절약 및 탄소 배출 감소에도 긍정적인 영향을 미칩니다. 고주파 통신 분야에서도 질화갈륨의 역할은 매우 중요합니다. 5G 및 향후 6G 이동통신 시스템에서는 기존보다 훨씬 높은 주파수 대역을 사용하게 되는데, 질화갈륨 기반의 고출력 증폭기(HPA, High-Power Amplifier)는 이러한 고주파 신호를 효율적으로 증폭하는 데 필수적입니다. 또한, 레이더 시스템, 위성 통신, 무선 통신 기지국 등에서도 질화갈륨의 높은 주파수 동작 특성이 빛을 발하고 있습니다. 질화갈륨은 더 높은 주파수에서 안정적으로 높은 출력을 낼 수 있어 통신 속도를 높이고 통신 거리를 확장하는 데 기여합니다. 조명 분야에서도 질화갈륨은 중요한 역할을 합니다. 청색 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)의 핵심 소재로 사용되어 백색광을 구현하는 데 필수적이며, 이는 에너지 효율적인 조명 기술의 발전을 이끌었습니다. 또한, 자외선(UV) 영역의 빛을 방출하는 UV-LED 제조에도 질화갈륨이 사용되는데, 이는 살균, 소독, 의료, 산업용 경화 등 다양한 분야에서 활용되고 있습니다. 전기자동차(EV) 시장의 성장 또한 질화갈륨 반도체의 수요를 견인하고 있습니다. 전기차의 모터 드라이브 시스템, 온보드 충전기, DC-DC 컨버터 등에서 질화갈륨 전력 반도체는 에너지 효율을 높여 주행 거리를 늘리고, 충전 시간을 단축하는 데 기여합니다. 또한, 더 높은 효율은 차량의 발열을 줄여 냉각 시스템의 부담을 완화하고 차량의 전반적인 성능 향상에도 도움을 줍니다. 이러한 추세는 앞으로도 더욱 가속화될 것으로 예상됩니다. 질화갈륨 반도체 기술과 관련하여 다양한 기술들이 발전하고 있습니다. 기판 기술은 질화갈륨 소자를 성장시키기 위한 기반 재료의 선택 및 품질 향상에 관한 기술입니다. 주로 사파이어, 탄화규소(SiC), 실리콘(Si) 기판 등이 사용되는데, 각각의 장단점이 있어 애플리케이션에 따라 적합한 기판을 선택하는 것이 중요합니다. 특히, 저렴하고 대구경화가 쉬운 실리콘 기판 위에 질화갈륨을 성장시키는 기술은 생산 단가를 낮추고 대량 생산을 가능하게 하는 데 중요한 역할을 합니다. 에피 성장 기술은 원하는 물성을 가진 질화갈륨 박막을 기판 위에 고품질로 증착하는 기술로, 질화갈륨 소자의 성능을 결정하는 핵심 기술입니다. 메탈로게네이션 유기금속 화학 증착(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 방식이 주로 사용되며, 고품질의 결정 성장과 원하는 전기적 특성을 얻기 위한 다양한 공정 최적화 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 소자 제작 기술은 성장된 질화갈륨 웨이퍼를 실제 반도체 소자로 가공하는 기술입니다. 포토 리소그래피, 식각, 금속 배선 형성 등 다양한 미세 공정 기술이 요구되며, 질화갈륨의 높은 경도와 화학적 안정성을 다루는 데 특화된 기술이 필요합니다. 또한, 질화갈륨 소자의 성능을 극한으로 끌어올리기 위한 소자 구조 설계 기술, 패키징 기술 등도 함께 발전하고 있습니다. 특히, 높은 동작 온도와 전압을 견딜 수 있는 내구성을 확보하기 위한 패키징 기술은 질화갈륨 전력 소자의 신뢰성 확보에 매우 중요합니다. 질화갈륨 반도체는 아직 실리콘 반도체에 비해 생산 단가가 높고 기술적인 난제들이 남아있지만, 그 뛰어난 성능과 에너지 효율성으로 인해 미래 첨단 전자 산업에서 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. 스마트폰부터 전기차, 그리고 차세대 통신 기술에 이르기까지, 질화갈륨은 우리 사회를 더욱 효율적이고 지속 가능하게 만드는 데 크게 기여할 잠재력을 지니고 있습니다. 이러한 질화갈륨 기술의 지속적인 발전은 우리 생활을 더욱 풍요롭고 편리하게 만들어줄 것입니다. |
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