| ■ 영문 제목 : GaN on SiC RF Device Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22037 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,250 ⇒환산￦4,387,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD4,225 ⇒환산￦5,703,750 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Enterprise User (동일기업내 공유가능) | USD4,875 ⇒환산￦6,581,250 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC RF 장치 GaN 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC RF 장치 GaN 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC RF 장치 GaN의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC RF 장치 GaN 시장은 통신, 군사/방위, 가전 제품, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC RF 장치 GaN 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC RF 장치 GaN 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC RF 장치 GaN 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC RF 장치 GaN 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 저전력, 고전력), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC RF 장치 GaN 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC RF 장치 GaN 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC RF 장치 GaN 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC RF 장치 GaN 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC RF 장치 GaN 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC RF 장치 GaN 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC RF 장치 GaN에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC RF 장치 GaN 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC RF 장치 GaN 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 저전력, 고전력
■ 용도별 시장 세그먼트
– 통신, 군사/방위, 가전 제품, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– WOLFSPEED, INC, MACOM, Infineon Technologies, NXP Semiconductors, GAN Systems, Qorvo Inc., Ampleon Netherlands B.V., SICC, CETC, Dynax, Huawei, Empower RF Systems, Microchip Technology, RFHIC, Arralis Ltd, Altum RF
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC RF 장치 GaN의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장 규모
3 장 : SiC RF 장치 GaN 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC RF 장치 GaN 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC RF 장치 GaN 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 WOLFSPEED, INC, MACOM, Infineon Technologies, NXP Semiconductors, GAN Systems, Qorvo Inc., Ampleon Netherlands B.V., SICC, CETC, Dynax, Huawei, Empower RF Systems, Microchip Technology, RFHIC, Arralis Ltd, Altum RF WOLFSPEED MACOM Infineon Technologies 8. 글로벌 SiC RF 장치 GaN 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC RF 장치 GaN 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC RF 장치 GaN 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC RF 장치 GaN 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC RF 장치 GaN 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC RF 장치 GaN 판매량: 2019-2030 - SiC RF 장치 GaN 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC RF 장치 GaN 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC RF 장치 GaN 가격 - 글로벌 용도별 SiC RF 장치 GaN 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC RF 장치 GaN 가격 - 지역별 SiC RF 장치 GaN 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 캐나다 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 멕시코 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 유럽 국가별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 프랑스 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 영국 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 이탈리아 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 러시아 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 아시아 지역별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 일본 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 한국 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 동남아시아 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 인도 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 남미 국가별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 아르헨티나 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 이스라엘 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 아랍에미리트 SiC RF 장치 GaN 시장규모 - 글로벌 SiC RF 장치 GaN 생산 능력 - 지역별 SiC RF 장치 GaN 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC RF 장치 GaN 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 SiC(실리콘 카바이드) 웨이퍼 기반의 GaN(질화 갈륨) 고주파(RF) 소자는 차세대 무선 통신, 레이더 시스템, 위성 통신 등 고성능 RF 응용 분야에서 핵심적인 역할을 수행하는 첨단 반도체 기술입니다. 이러한 소자는 기존의 실리콘(Si) 기반 소자와는 비교할 수 없는 우수한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 고출력, 고효율, 고주파 동작을 가능하게 하며, 이는 더욱 빠르고 안정적인 무선 통신 환경을 구축하는 데 필수적입니다. SiC RF 장치의 근간을 이루는 GaN은 3족과 5족 원소로 이루어진 화합물 반도체로서, 높은 전자 이동도, 높은 항복 전압, 넓은 밴드갭 등의 우수한 물성을 지니고 있습니다. 특히, GaN은 실리콘에 비해 전자 이동도가 약 2배 가량 높아 고주파에서 더욱 빠른 응답 속도를 제공할 수 있습니다. 또한, 높은 항복 전압은 더 높은 전압에서 동작할 수 있게 하여 결과적으로 높은 전력을 처리할 수 있게 합니다. 넓은 밴드갭 특성은 GaN 소자가 높은 온도에서도 안정적으로 동작할 수 있도록 하며, 이는 고출력 RF 장치에서 발생하는 열 문제를 효과적으로 해결하는 데 중요한 역할을 합니다. 이러한 GaN의 장점을 극대화하기 위해 기판으로는 SiC 웨이퍼가 주로 사용됩니다. SiC 웨이퍼는 높은 열 전도성을 가지고 있어 GaN 층에서 발생하는 열을 효율적으로 외부로 방출하는 데 탁월한 성능을 보입니다. GaN은 결정 격자 구조가 실리콘과는 다르기 때문에 SiC 기판 위에 직접 GaN을 성장시키면 높은 품질의 결정 성장이 어렵다는 문제가 있었습니다. 하지만 GaN on SiC 기술은 이러한 문제를 극복하고 고품질 GaN 박막을 SiC 기판 위에 성공적으로 성장시키는 방법을 개발함으로써, GaN의 우수한 특성을 그대로 활용할 수 있도록 하였습니다. SiC 기판은 GaN보다 열 전도성이 훨씬 뛰어나므로, GaN에서 발생하는 열을 효과적으로 냉각시켜 고출력 시에도 소자의 안정성과 수명을 보장합니다. 또한, SiC 기판은 높은 기계적 강도를 가지고 있어 대구경 웨이퍼 제작이 용이하며, 이는 대량 생산과 비용 효율성 측면에서도 장점을 가집니다. SiC RF 장치에서 가장 대표적인 소자 구조로는 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터)가 있습니다. HEMT는 GaN과 AlGaN(질화 알루미늄 갈륨)이라는 두 개의 서로 다른 반도체 물질을 계층적으로 쌓아 올린 구조를 가집니다. 이 두 물질 사이의 격자 불일치와 결정 구조의 차이로 인해 계면에서 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)라고 불리는 높은 농도의 전도성 채널이 형성됩니다. 이 2DEG 채널은 일반적인 GaN 결정 내의 전자보다 훨씬 높은 이동도를 가지기 때문에, HEMT는 극히 빠른 스위칭 속도와 높은 주파수에서의 동작을 가능하게 합니다. 특히, GaN/AlGaN HEMT는 기존의 GaAs(비화 갈륨) 기반 HEMT에 비해 더 높은 항복 전압과 더 큰 출력 전력을 제공할 수 있습니다. GaN RF 장치는 주로 두 가지 유형의 HEMT로 분류될 수 있는데, 첫 번째는 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터(MESFET)의 발전된 형태인 MODFET(Modulation Doped Field-Effect Transistor)이며, 두 번째는 HEMT의 일종으로 슈피츠키(Schottky) 접합을 활용한 HEMT입니다. SiC RF 장치의 주요 특징은 앞서 언급한 높은 전자 이동도와 넓은 밴드갭에서 비롯되는 여러 장점들을 포함합니다. 첫째, 고출력 성능입니다. SiC 기판의 우수한 열 방출 능력과 GaN의 높은 항복 전압 덕분에 SiC RF 장치는 수십 와트에서 수백 와트 이상의 높은 출력 전력을 안정적으로 제공할 수 있습니다. 이는 고출력이 요구되는 기지국 송신 장비나 레이더 시스템에 매우 적합합니다. 둘째, 고효율입니다. GaN 소자는 낮은 직렬 저항과 높은 이동도를 통해 에너지 손실을 최소화하여 높은 전력 변환 효율을 달성합니다. 이는 소비 전력을 줄이고 발열을 감소시키는 효과로 이어져 시스템의 전반적인 효율성을 향상시킵니다. 셋째, 고주파 동작입니다. 높은 전자 이동도는 높은 주파수에서의 신호 처리 속도를 향상시켜 수십 GHz 이상의 매우 높은 주파수 대역에서도 뛰어난 성능을 발휘합니다. 이는 5G 및 차세대 이동 통신, 고성능 레이더 등에 필수적인 요소입니다. 넷째, 고온 및 고전압 내성입니다. 넓은 밴드갭 특성 덕분에 SiC RF 장치는 일반적인 실리콘 소자보다 훨씬 높은 온도와 높은 전압 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있습니다. 이러한 내열성과 내전압성은 극한 환경이나 고출력 동작 시에도 신뢰성을 높여줍니다. SiC RF 장치의 용도는 매우 다양하며, 현재 급격히 성장하고 있는 분야들을 중심으로 활용되고 있습니다. 가장 대표적인 용도는 바로 이동통신 기지국입니다. 5G 및 이후 세대의 이동 통신 시스템은 더 넓은 대역폭과 더 빠른 속도를 지원하기 위해 고출력, 고효율의 RF 증폭기가 필수적이며, SiC RF 장치는 이러한 요구 사항을 충족시키는 핵심 부품입니다. 또한, 국방 및 항공우주 분야에서도 SiC RF 장치의 활용이 두드러집니다. 고성능 레이더 시스템, 전자전 장비, 위성 통신 시스템 등은 고출력, 광대역폭, 그리고 극한 환경에서의 신뢰성을 요구하는데, SiC RF 장치는 이러한 까다로운 조건을 만족시킬 수 있습니다. 이 외에도 산업용 고주파 장치, 의료용 영상 장비, 고성능 무선 통신 시스템 등 광범위한 분야에서 SiC RF 장치의 적용이 확대되고 있습니다. SiC RF 장치와 관련된 주요 기술로는 크게 재료 성장 기술, 소자 설계 및 제작 기술, 패키징 기술 등이 있습니다. 재료 성장 기술은 고품질의 GaN 박막을 SiC 기판 위에 성장시키는 기술로, 에피 성장(Epitaxial Growth) 공정의 정밀도가 매우 중요합니다. MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, 유기금속화학기상증착법)가 주로 사용되며, 성장 온도, 압력, 가스 유량 등을 정밀하게 제어하여 GaN의 결정 품질과 전하 농도를 최적화하는 기술이 핵심입니다. 소자 설계 및 제작 기술은 HEMT와 같은 트랜지스터 구조를 효율적으로 설계하고, 미세 공정을 통해 고성능을 구현하는 기술입니다. 게이트 길이 최소화, 접촉 저항 감소, 채널 특성 최적화 등은 소자의 주파수 특성과 전력 성능을 결정짓는 중요한 요소입니다. 특히, 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 관리하기 위한 설계 기술도 필수적입니다. 패키징 기술은 제작된 반도체 칩을 외부와 전기적으로 연결하고 물리적으로 보호하는 과정으로, 고주파 신호 손실을 최소화하고, 효율적인 열 방출 경로를 확보하는 것이 중요합니다. 또한, 자동차와 같은 극한 환경에서도 안정적으로 작동하기 위한 고신뢰성 패키징 기술도 중요한 연구 분야입니다. 결론적으로 SiC RF 장치 GaN on SiC RF Device는 차세대 무선 통신 및 첨단 전자 시스템의 발전을 이끄는 핵심 기술입니다. SiC 기판의 우수한 열 특성과 GaN 반도체의 뛰어난 전기적 특성이 결합된 이 소자들은 고출력, 고효율, 고주파 동작을 가능하게 하며, 이동통신, 국방, 항공우주 등 다양한 첨단 산업 분야에서 혁신적인 성능 향상을 가져오고 있습니다. 이러한 SiC RF 장치 기술은 앞으로도 지속적인 연구 개발을 통해 더욱 발전하여 미래 기술의 발전에 중요한 기여를 할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F22037) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC RF 장치 GaN 시장예측 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |