| ■ 영문 제목 : Global Planar High Voltage MOSFET Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E40208 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 평면 고전압 MOSFET 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 평면 고전압 MOSFET 산업 체인 동향 개요, 자동차, 가전 제품, 전기, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 평면 고전압 MOSFET의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 평면 고전압 MOSFET 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 평면 고전압 MOSFET 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 평면 고전압 MOSFET 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 평면 고전압 MOSFET 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : P 유형, N 유형)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 평면 고전압 MOSFET 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 평면 고전압 MOSFET 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 평면 고전압 MOSFET 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 평면 고전압 MOSFET에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 평면 고전압 MOSFET 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 평면 고전압 MOSFET에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (자동차, 가전 제품, 전기, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 평면 고전압 MOSFET과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 평면 고전압 MOSFET 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 평면 고전압 MOSFET 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
평면 고전압 MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– P 유형, N 유형
용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 가전 제품, 전기, 기타
주요 대상 기업
– Infineon Technologies,ON Semiconductor,Vishay Intertechnology,Toshiba,STMicroelectronics,Renesas Electronics,Alpha & Omega Semiconductor,Wingtech Technology,China Resources Microelectronics,Hangzhou Silan Microelectronics,VBsemi,Yangzhou Yangjie Electronic Technology,JiLin Sino-Microelectronics
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 평면 고전압 MOSFET 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 평면 고전압 MOSFET의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 평면 고전압 MOSFET의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 평면 고전압 MOSFET 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 평면 고전압 MOSFET 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 평면 고전압 MOSFET 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 평면 고전압 MOSFET의 산업 체인.
– 평면 고전압 MOSFET 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon Technologies ON Semiconductor Vishay Intertechnology ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 평면 고전압 MOSFET 이미지 - 종류별 세계의 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 평면 고전압 MOSFET 판매량 (2019-2030) - 세계의 평면 고전압 MOSFET 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 평면 고전압 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 평면 고전압 MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 평면 고전압 MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 평면 고전압 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 지역별 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 북미 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 - 유럽 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 - 아시아 태평양 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 - 남미 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 - 중동 및 아프리카 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 - 세계의 종류별 평면 고전압 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 평면 고전압 MOSFET 평균 가격 - 세계의 용도별 평면 고전압 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 평면 고전압 MOSFET 평균 가격 - 북미 평면 고전압 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 평면 고전압 MOSFET 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 평면 고전압 MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 평면 고전압 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 유럽 평면 고전압 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 평면 고전압 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 평면 고전압 MOSFET 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 평면 고전압 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 영국 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 러시아 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 평면 고전압 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 평면 고전압 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 평면 고전압 MOSFET 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 평면 고전압 MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 일본 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 한국 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 인도 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 호주 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남미 평면 고전압 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 평면 고전압 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 평면 고전압 MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 평면 고전압 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 평면 고전압 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 평면 고전압 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 평면 고전압 MOSFET 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 평면 고전압 MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이집트 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 평면 고전압 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 평면 고전압 MOSFET 시장 성장 요인 - 평면 고전압 MOSFET 시장 제약 요인 - 평면 고전압 MOSFET 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 평면 고전압 MOSFET의 제조 비용 구조 분석 - 평면 고전압 MOSFET의 제조 공정 분석 - 평면 고전압 MOSFET 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 평면 고전압 MOSFET(Planar High Voltage MOSFET)은 반도체 소자 기술의 발전과 함께 등장한 중요한 부품으로, 높은 전압을 효율적으로 제어하는 데 특화된 수직형(Vertical) MOSFET과는 차별화되는 독특한 구조와 특징을 지닙니다. 본 글에서는 평면 고전압 MOSFET의 기본적인 개념을 이해하고, 그 주요 특징, 다양한 종류, 그리고 핵심적인 응용 분야 및 관련 기술들에 대해 심도 있게 논하고자 합니다. 평면 고전압 MOSFET의 근본적인 개념은 소자의 활성 영역을 웨이퍼 표면 상에 구현함으로써 고전압 내구성을 확보하는 데 있습니다. 이는 기존의 일반적인 MOSFET들이 주로 수직적인 전류 흐름을 통해 전압을 처리하는 것과 대비됩니다. 평면 구조는 소자의 제조 공정이 상대적으로 용이하고, 특정 애플리케이션에 최적화된 특성을 구현하기에 유리한 측면이 있습니다. 높은 전압을 견딜 수 있도록 설계되기 때문에, 절연 파괴 없이 안전하게 작동할 수 있는 능력이 무엇보다 중요합니다. 이를 위해 소자 내부에 고농도 도핑된 드리프트(drift) 영역이나 다층의 절연 구조 등이 도입되며, 이러한 구조 설계는 소자의 전압 차단 능력(breakdown voltage)을 결정짓는 핵심 요소가 됩니다. 평면 고전압 MOSFET의 주요 특징을 살펴보면, 다음과 같은 점들을 들 수 있습니다. 첫째, 앞서 언급했듯이 **높은 항복 전압(High Breakdown Voltage)**을 갖는다는 점입니다. 이는 수백 볼트에서 수 킬로볼트에 이르는 넓은 전압 범위에서 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다. 둘째, **평면적인 구조**로 인해 제조 공정의 유연성이 높고, 비교적 낮은 비용으로 생산될 수 있는 가능성을 내포하고 있습니다. 특히, 다수의 소자를 집적화해야 하는 경우 평면 구조는 유리한 측면이 있습니다. 셋째, **낮은 온저항(Low On-Resistance)**을 구현함으로써 전력 손실을 최소화하고 에너지 효율을 높이는 데 기여합니다. 이는 고전압 스위칭 애플리케이션에서 매우 중요한 요소입니다. 넷째, **우수한 스위칭 특성(Fast Switching Speed)**을 제공하여 빠른 속도로 켜지고 꺼질 수 있어 전력 변환 효율을 높이는 데 유리합니다. 다섯째, **비교적 넓은 동작 온도 범위**를 가지도록 설계되어 다양한 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있습니다. 평면 고전압 MOSFET은 그 구조와 설계 방식에 따라 다양한 종류로 분류될 수 있습니다. 가장 일반적인 형태 중 하나는 **DMOS(Double-diffused MOSFET)** 구조를 기반으로 하는 평면 고전압 MOSFET입니다. DMOS 구조는 소스(Source)와 드리프트 영역 사이에 확산(diffusion) 공정을 통해 두 개의 서로 다른 도핑 농도를 가진 채널 영역을 형성하여, 높은 전압을 견딜 수 있도록 합니다. 이 구조는 일반적으로 더 높은 항복 전압을 제공하지만, 온저항이 다소 높아질 수 있는 단점이 있습니다. 또 다른 형태로는 **LDMOS(Laterally Diffused MOSFET)** 구조가 있습니다. LDMOS는 드리프트 영역을 측면으로 확장하여 고전압 내구성을 확보하며, 특히 RF(Radio Frequency) 전력 증폭기와 같은 고주파 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. 이는 높은 출력 전력과 효율성을 동시에 만족시키는 데 유리합니다. 최근에는 **슈퍼 정션(Super Junction)** 기술을 평면 구조에 적용하려는 시도도 이루어지고 있으며, 이는 P형 및 N형 고농도 기둥을 교차 배열하여 드리프트 영역의 전하 균형을 맞춤으로써 항복 전압을 크게 향상시키는 기술입니다. 이러한 슈퍼 정션 평면 MOSFET은 기존 DMOS나 LDMOS 대비 월등히 낮은 온저항을 제공하면서도 높은 항복 전압을 유지할 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 평면 고전압 MOSFET의 주요 용도는 다음과 같습니다. 첫째, **전력 변환기(Power Converters)** 분야입니다. 고전압 AC를 DC로 변환하는 정류기(Rectifier), DC를 고전압 DC로 승압하는 승압기(Boost Converter), 또는 DC를 저전압 DC로 강압하는 강압기(Buck Converter) 등 다양한 전력 변환 회로의 스위칭 소자로 활용됩니다. 특히, 고전압 전원 공급 장치(High Voltage Power Supply), LED 드라이버(LED Driver), 전기차 충전기(Electric Vehicle Charger) 등에서 핵심적인 역할을 수행합니다. 둘째, **고주파 애플리케이션**입니다. 앞서 언급한 LDMOS는 특히 RF 전력 증폭기, 위성 통신 장비, 레이더 시스템 등에서 높은 주파수 대역에서 효율적인 전력 증폭 기능을 제공하는 데 사용됩니다. 셋째, **산업용 전력 제어**입니다. 고전압 모터 드라이브, 산업용 자동화 장비, 에너지 저장 시스템(ESS) 등에서도 전력 제어 및 스위칭 용도로 활용됩니다. 넷째, **라이트닝 서지 보호(Lightning Surge Protection)** 회로에도 일부 적용되어 과도한 고전압으로부터 민감한 전자 장치를 보호하는 역할을 하기도 합니다. 평면 고전압 MOSFET의 성능 향상과 새로운 응용 분야 개척을 위해 다양한 관련 기술들이 연구되고 적용되고 있습니다. 첫째, **와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG)** 반도체 소재의 적용입니다. 실리콘(Si)을 넘어 질화갈륨(GaN)이나 탄화규소(SiC)와 같은 소재는 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압, 낮은 온저항, 그리고 더 높은 동작 온도를 가능하게 하여 평면 고전압 MOSFET의 성능을 혁신적으로 향상시킬 수 있습니다. 특히, GaN 기반 평면 MOSFET은 높은 전력 밀도와 효율성을 동시에 달성하여 차세대 전력 반도체로 주목받고 있습니다. 둘째, **신뢰성 향상 기술**입니다. 고전압 환경에서는 소자의 스트레스가 커지므로, 표면 전하 제어, 절연 물질 최적화, 패키징 기술 개선 등을 통해 소자의 장기적인 신뢰성을 확보하는 것이 중요합니다. 셋째, **미세 공정 기술**의 발전입니다. 소자의 채널 길이를 줄이고 활성 영역의 밀도를 높여 온저항을 낮추고 스위칭 속도를 향상시키는 데 기여합니다. 넷째, **시뮬레이션 및 설계 도구**의 발전입니다. 복잡한 고전압 물리 현상을 정확하게 예측하고 최적의 소자 구조를 설계하기 위한 CAE(Computer-Aided Engineering) 도구들의 발전 역시 평면 고전압 MOSFET 기술 발전에 중요한 역할을 합니다. 마지막으로, **고집적화 기술**입니다. 여러 개의 MOSFET을 하나의 칩에 집적하여 더 높은 전력 처리 능력과 더 작은 크기를 구현하려는 노력도 계속되고 있으며, 이는 특히 고밀도 전력 전자 모듈 개발에 필수적입니다. 결론적으로, 평면 고전압 MOSFET은 높은 전압을 효과적으로 제어해야 하는 다양한 현대 전자 기기에 필수적인 부품입니다. 그 평면 구조의 장점과 더불어, DMOS, LDMOS와 같은 구조적 특징, 그리고 와이드 밴드갭 소재의 적용 등 관련 기술의 발전은 앞으로도 평면 고전압 MOSFET의 성능을 더욱 향상시키고 새로운 응용 분야를 개척하는 데 크게 기여할 것입니다. 이는 곧 더욱 효율적이고 컴팩트하며 신뢰성 높은 전력 전자 시스템의 구현으로 이어질 것이며, 에너지 효율 향상 및 다양한 산업 분야의 발전에 중요한 동력이 될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 평면 고전압 MOSFET 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2407E40208) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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