| ■ 영문 제목 : Global High Electron Mobility Transistors (HEMT) Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1314 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 93 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (GaN (질화 갈륨), GaN/SiC (질화 갈륨/탄화 규소), GaAs (갈륨 비소)) 시장규모와 용도별 (에너지 및 전력, 가전, 인버터 및 UPS, 공업) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장분석 - 종류별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 (GaN (질화 갈륨), GaN/SiC (질화 갈륨/탄화 규소), GaAs (갈륨 비소)) - 용도별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 (에너지 및 전력, 가전, 인버터 및 UPS, 공업) 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장분석 - 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매량 - 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 매출액 - 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매가격 - 주요기업의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 미주의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 미국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 캐나다 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 멕시코 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 브라질 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 중국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 일본 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 한국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 동남아시아 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 인도 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 독일 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 프랑스 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 영국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 이집트 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 남아프리카 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 중동GCC 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 제조원가 구조 분석 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 제조 프로세스 분석 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 유통업체 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 주요 고객 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장 예측 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 종류별 시장예측 (GaN (질화 갈륨), GaN/SiC (질화 갈륨/탄화 규소), GaAs (갈륨 비소)) - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 용도별 시장예측 (에너지 및 전력, 가전, 인버터 및 UPS, 공업) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Fujitsu, Mitsubishi Electric, Ampleon, Qorvo, Oki Electric, Lake Shore Cryotronics, Cree, TOSHIBA, Microchip Technology 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “High Electron Mobility Transistors (HEMT) Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world High Electron Mobility Transistors (HEMT) sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected High Electron Mobility Transistors (HEMT) sales for 2025 through 2031. With High Electron Mobility Transistors (HEMT) sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world High Electron Mobility Transistors (HEMT) industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global High Electron Mobility Transistors (HEMT) landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on High Electron Mobility Transistors (HEMT) portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global High Electron Mobility Transistors (HEMT) market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global High Electron Mobility Transistors (HEMT).
The global High Electron Mobility Transistors (HEMT) market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for High Electron Mobility Transistors (HEMT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for High Electron Mobility Transistors (HEMT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for High Electron Mobility Transistors (HEMT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key High Electron Mobility Transistors (HEMT) players cover Fujitsu, Mitsubishi Electric, Ampleon, Qorvo, Oki Electric, Lake Shore Cryotronics, Cree, TOSHIBA and Microchip Technology, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of High Electron Mobility Transistors (HEMT) market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
GaN
GaN/SiC
GaAs
Segmentation by application
Energy & Power
Consumer Electronics
Inverter & UPS
Industrial
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Fujitsu
Mitsubishi Electric
Ampleon
Qorvo
Oki Electric
Lake Shore Cryotronics
Cree
TOSHIBA
Microchip Technology
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global High Electron Mobility Transistors (HEMT) market?
What factors are driving High Electron Mobility Transistors (HEMT) market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do High Electron Mobility Transistors (HEMT) market opportunities vary by end market size?
How does High Electron Mobility Transistors (HEMT) break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 고전자 이동성 트랜지스터(HEMT: High Electron Mobility Transistor)는 기존의 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)와는 다른 독특한 구조와 작동 원리를 통해 매우 높은 주파수와 낮은 잡음 특성을 구현하는 반도체 소자입니다. 이러한 특성은 고속 통신, 레이더, 위성 통신 등 다양한 첨단 응용 분야에서 필수적인 역할을 수행합니다. HEMT의 핵심 개념은 바로 '고전자 이동성'입니다. 이는 반도체 내에서 전자들이 이동할 때 받는 저항, 즉 산란(scattering)을 최소화하여 더 빠르고 효율적으로 움직일 수 있도록 하는 것을 의미합니다. 일반적인 반도체 소자에서는 전자들이 결정 격자의 불순물, 격자 진동, 계면 결함 등 다양한 요인에 의해 산란되어 이동 속도가 제한됩니다. 그러나 HEMT는 이 문제를 해결하기 위해 두 가지 서로 다른 반도체 물질을 접합하여 형성되는 **이종 접합(heterojunction)** 구조를 활용합니다. 이종 접합은 에너지 밴드 구조에 불연속적인 변화를 유발하며, 이 변화를 통해 전자가 특정 영역으로 집중되고 이동 경로상의 장애물을 피할 수 있게 됩니다. 구체적으로 HEMT는 주로 n형 도핑된 넓은 밴드갭 반도체(예: AlGaAs)와 비도핑된 좁은 밴드갭 반도체(예: GaAs)를 접합하여 만듭니다. 넓은 밴드갭 반도체는 상대적으로 높은 전자 농도를 가지지만 전자 이동성이 낮고, 좁은 밴드갭 반도체는 전자 이동성은 높지만 도핑이 어렵습니다. 이 두 물질을 접합하면, 넓은 밴드갭 반도체에서 좁은 밴드갭 반도체로 전자가 이동하면서 **2차원 전자 기체(2DEG: Two-Dimensional Electron Gas)**라는 특별한 전자 가스층이 형성됩니다. 2차원 전자 기체는 이름에서 알 수 있듯이 매우 얇은 평면(약 몇 나노미터 두께)에 국한된 전자들의 집합입니다. 이 2차원 전자 기체층은 두 반도체 물질의 에너지 밴드 불연속성으로 인해 결정 격자의 불순물로부터 멀리 떨어져 위치하게 됩니다. 결과적으로 전자들은 결정 격자 진동이나 불순물과의 산란이 현저히 줄어들어 매우 높은 이동성을 갖게 됩니다. 즉, 전자가 더 적은 저항으로 더 빠르게 움직일 수 있게 되는 것입니다. 이러한 고전자 이동성은 HEMT가 고주파 신호를 처리하고 낮은 잡음을 발생시키는 핵심적인 원리입니다. HEMT의 구조적인 특징은 크게 세 부분으로 나눌 수 있습니다. 첫째, **계면층(Interface Layer)**입니다. 이는 주로 n형 AlGaAs와 같은 넓은 밴드갭 반도체층으로, 여기에 도핑된 불순물로부터 전자가 공급됩니다. 둘째, **2차원 전자 기체(2DEG) 채널(Channel)**입니다. 이는 비도핑된 GaAs와 같은 좁은 밴드갭 반도체층 내에 형성되며, 위에서 설명한 대로 전자가 집중되어 고이동성을 나타내는 영역입니다. 셋째, **기판(Substrate)**입니다. 이는 HEMT 소자를 지지하는 반도체 재료로, 일반적으로 GaAs나 SiC 등이 사용됩니다. 동작 원리는 기존의 FET와 유사하게 게이트 전압을 이용하여 2차원 전자 기체 채널의 전도도를 조절하는 방식입니다. 게이트 전극에 음의 전압을 가하면 2차원 전자 기체층의 전자들이 반발력을 받아 채널의 전도도가 감소하고, 양의 전압을 가하면 전도도가 증가하여 전류가 더 잘 흐르게 됩니다. 이러한 게이트 전압에 따른 채널의 전도도 변화를 통해 스위칭 또는 증폭 기능을 수행하게 됩니다. HEMT는 다양한 종류로 분류될 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 위에서 설명한 **알루미늄 갈륨 비소/갈륨 비소(AlGaAs/GaAs) HEMT**입니다. 이는 가장 먼저 개발되었고 고주파 성능이 뛰어나 초기 HEMT 응용 분야를 이끌었습니다. 하지만 GaAs 기판은 기계적 강도가 약하고 고온에서 작동하기 어렵다는 단점이 있습니다. 이러한 단점을 극복하기 위해 **질화물 기반 HEMT(Nitride-based HEMT)**가 개발되었습니다. 이는 주로 **질화 갈륨/질화 알루미늄 갈륨(GaN/AlGaN)** 또는 **질화 갈륨/인듐 질화 갈륨(GaN/InGaN)** 조합을 사용합니다. 질화물 반도체는 넓은 밴드갭, 높은 절연 파괴 전압, 높은 열전도율, 그리고 전기장에 대한 우수한 반응성을 가지고 있어 고출력 및 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 특히 GaN HEMT는 고출력, 고효율 RF 파워 증폭기, 전력 변환 소자 등에서 기존 HEMT를 능가하는 성능을 보여주고 있습니다. 그 외에도 다양한 물질 조합을 이용한 HEMT들이 연구 및 개발되고 있습니다. 예를 들어, **실리콘 카바이드(SiC) 기반 HEMT**는 SiC 기판의 우수한 열 특성과 기계적 강도를 활용하여 고온, 고출력 응용 분야에 적합합니다. 또한, **고전자 이동성 기술(HEMT)을 기반으로 하는 장벽-스크리닝 전계 효과 트랜지스터(B-FET: Barrier-Schottky FET)**와 같은 변형된 구조들도 존재하며, 이는 특정 응용에 맞춘 성능 최적화를 목표로 합니다. HEMT의 용도는 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 용도는 **고주파 증폭기(RF Amplifier)**입니다. HEMT의 낮은 잡음 특성과 높은 전자 이동성은 수 GHz 이상의 높은 주파수 대역에서 작동하는 무선 통신 시스템, 위성 통신, 레이더 시스템 등에서 필수적인 역할을 합니다. 특히 **저잡음 증폭기(LNA: Low Noise Amplifier)** 분야에서 HEMT는 다른 반도체 소자에 비해 월등히 뛰어난 성능을 제공하여 약한 신호도 효과적으로 증폭할 수 있게 합니다. 또한, HEMT는 **고출력 증폭기(Power Amplifier)**에도 널리 사용됩니다. 특히 GaN HEMT는 높은 절연 파괴 전압과 넓은 밴드갭 덕분에 고전압에서 높은 전력을 효율적으로 증폭할 수 있어 기지국 송신 안테나, 군용 통신 장비 등에 활용됩니다. 이 외에도, **고속 스위칭 소자**, **혼합 신호 집적 회로(Mixed-Signal IC)**, **밀리미터파(mmWave) 통신**, **고주파 센서** 등 다양한 첨단 전자 시스템에 적용되고 있습니다. HEMT의 발전과 관련된 기술들도 다양합니다. 먼저, **재료 공학 기술**은 HEMT 성능을 결정짓는 중요한 요소입니다. 고품질의 결정 성장, 이종 접합 형성, 불순물 제어 등은 HEMT의 전자 이동성과 잡음 특성을 극대화하는 데 필수적입니다. 특히 GaN HEMT의 경우, 기판과의 격자 불일치 문제를 해결하고 고품질의 질화물 박막을 성장시키는 기술이 중요합니다. **소자 설계 기술** 또한 HEMT의 성능 향상에 기여합니다. 게이트 길이 축소, 채널 폭 최적화, 접촉 저항 감소, 그리고 새로운 소자 구조 개발 등을 통해 스위칭 속도 향상, 잡음 감소, 전력 효율 증대 등을 달성합니다. 예를 들어, **슈퍼 금속화(super-metallization)** 기술이나 **문턱 전압(threshold voltage) 조정 기술** 등은 HEMT의 전기적 특성을 미세하게 조절하는 데 사용됩니다. **패키징 기술**도 HEMT의 성능을 최종적으로 구현하는 데 중요합니다. 고주파 신호 손실을 최소화하고 열을 효과적으로 방출하는 패키징 기술은 고성능 HEMT 소자의 안정적인 작동을 보장합니다. 또한, HEMT를 포함하는 전체 시스템의 성능을 최적화하기 위한 **회로 설계 및 최적화 기술**도 동반되어 발전하고 있습니다. 앞으로 HEMT 기술은 더욱 발전할 것으로 예상됩니다. 5G를 넘어 6G 통신 시대로 나아가면서 더욱 높은 주파수 대역(테라헤르츠(THz) 대역 등)에서의 작동이 요구되고 있으며, 이를 위한 새로운 재료 및 소자 구조 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 또한, 전력 전자 분야에서는 더욱 높은 전압 및 전류를 처리할 수 있는 고출력 GaN HEMT 기술이 지속적으로 발전할 것입니다. 인공지능 및 자율주행 기술 발전과 더불어 센싱 및 통신 관련 HEMT 응용 분야 또한 확대될 것으로 기대됩니다. 이러한 기술 발전은 우리의 삶을 더욱 편리하고 풍요롭게 만드는 데 중요한 역할을 할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1314) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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