| ■ 영문 제목 : Global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1468 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 93 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (모듈 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 디스크리트 절연 게이트 양극성 트랜지스터) 시장규모와 용도별 (EV/HEV, 산업용 모터 드라이브, 교통, 운송, HVAC, 재생 에너지, UPS, 직렬 보상, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장분석 - 종류별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 (모듈 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 디스크리트 절연 게이트 양극성 트랜지스터) - 용도별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 (EV/HEV, 산업용 모터 드라이브, 교통, 운송, HVAC, 재생 에너지, UPS, 직렬 보상, 기타) 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장분석 - 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매량 - 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 매출액 - 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매가격 - 주요기업의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 미주의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 미국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 캐나다 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 멕시코 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 브라질 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 중국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 일본 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 한국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 동남아시아 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 인도 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 독일 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 프랑스 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 영국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 이집트 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 남아프리카 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 중동GCC 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 제조원가 구조 분석 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 제조 프로세스 분석 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 유통업체 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 주요 고객 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장 예측 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 종류별 시장예측 (모듈 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 디스크리트 절연 게이트 양극성 트랜지스터) - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 용도별 시장예측 (EV/HEV, 산업용 모터 드라이브, 교통, 운송, HVAC, 재생 에너지, UPS, 직렬 보상, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - ABB, Fairchild Semiconductor International, Fuji Electric, Hitachi, Infineon Technologies 조사의 결과/결론 |
An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) sales for 2025 through 2031. With Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).
The global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) players cover ABB, Fairchild Semiconductor International, Fuji Electric, Hitachi and Infineon Technologies, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Modular Insulated Gate Bipolar Transistor
Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor
Segmentation by application
EV/HEV
Industrial Motor Drives
Traction
Transportation
Hvac
Renewable Energy
UPS
Series Compensation
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
ABB
Fairchild Semiconductor International
Fuji Electric
Hitachi
Infineon Technologies
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market?
What factors are driving Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market opportunities vary by end market size?
How does Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)는 현대 전력 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 수행하는 반도체 소자입니다. 여러 가지 장점을 복합적으로 가지고 있어 다양한 전력 제어 및 변환 애플리케이션에 널리 사용되고 있습니다. IGBT는 크게 두 가지 구조를 통합한 형태로 이해할 수 있습니다. 첫째, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 게이트 구동 방식을 채택하여 낮은 게이트 전압으로도 쉽게 제어할 수 있다는 장점을 가집니다. 둘째, 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)의 고전력 스위칭 능력을 결합하여 높은 전류와 높은 전압을 효율적으로 제어할 수 있습니다. 이러한 두 소자의 장점을 결합함으로써 IGBT는 기존의 전력 스위칭 소자인 바이폴라 트랜지스터와 MOSFET의 한계를 극복하고 더욱 뛰어난 성능을 발휘할 수 있게 되었습니다. IGBT의 가장 큰 특징 중 하나는 낮은 온 저항(On-state resistance)입니다. 이는 스위칭 시 발생하는 전력 손실을 최소화하여 소자의 효율을 높이는 데 크게 기여합니다. 또한, MOSFET과 유사하게 전압 제어 방식으로 작동하므로 게이트 전류가 매우 적어 구동 회로를 단순화하고 전력 소비를 줄일 수 있습니다. 반면, 바이폴라 트랜지스터의 특성을 일부 계승하여 높은 전류 밀도에서도 안정적으로 작동하며, 높은 전력 처리 능력을 가집니다. 더불어, 빠른 스위칭 속도 또한 IGBT의 중요한 특징입니다. 이는 고주파수 스위칭이 필요한 애플리케이션, 예를 들어 인버터나 컨버터에서 전력 변환 효율을 높이는 데 결정적인 역할을 합니다. 이러한 특성 덕분에 IGBT는 고전압, 고전류 환경에서도 낮은 전력 손실과 높은 효율로 동작할 수 있습니다. IGBT의 구조는 크게 세 가지의 반도체 영역으로 이루어져 있습니다. 컬렉터(Collector) 영역은 P형 반도체로, 에미터(Emitter) 영역은 N형 반도체로 구성되며, 이 사이에는 P-N 접합으로 이루어진 두 개의 영역과 N형 반도체 영역, 그리고 P형 반도체 영역이 순차적으로 적층되어 있습니다. 게이트는 산화막(Oxide layer)을 통해 이들 반도체 영역과 절연되어 있습니다. 일반적으로 IGBT는 평면형(Planar) 또는 셀 구조(Cellular structure)로 제작됩니다. 셀 구조는 단위 면적당 더 많은 스위칭 소자를 집적할 수 있어 높은 전류 밀도를 구현하는 데 유리합니다. 최근에는 칩의 집적도를 높이고 스위칭 성능을 향상시키기 위해 trench gate 방식과 같은 다양한 게이트 구조를 도입한 IGBT도 개발되고 있습니다. IGBT는 구조 및 특성에 따라 다양한 종류로 분류될 수 있습니다. 일반적인 IGBT(IGBT)는 앞에서 설명한 기본적인 구조를 가지며, 다양한 전력 변환 회로에 적용됩니다. 또한, 빠른 스위칭 속도를 요구하는 애플리케이션을 위해 스위칭 특성을 개선한 고속 IGBT(Fast IGBT)도 존재합니다. 이는 내부 구조의 최적화 또는 새로운 소자 기술을 통해 구현됩니다. 더불어, 전기 자동차의 구동 시스템과 같이 높은 전압 및 전류를 다루면서도 효율성과 견고성을 동시에 요구하는 애플리케이션을 위해 특수 설계된 IGBT도 있습니다. 예를 들어, 고온 환경에서도 안정적인 성능을 발휘하도록 설계된 고온 IGBT나, 더 높은 항복 전압을 견딜 수 있는 고내압 IGBT 등이 있습니다. 이러한 다양한 종류의 IGBT는 각기 다른 애플리케이션의 요구 사항을 충족시키기 위해 지속적으로 발전하고 있습니다. IGBT의 용도는 매우 광범위하며, 전력 전자 분야 전반에 걸쳐 핵심적인 부품으로 사용됩니다. 가장 대표적인 용도로는 전력 변환 장치가 있습니다. 가정용 전원과 같이 교류(AC) 전력을 직류(DC) 전력으로 변환하는 컨버터, 또는 직류 전력을 다른 전압의 직류 전력으로 변환하는 DC-DC 컨버터 등에서 스위칭 소자로 활용됩니다. 특히, 가변 전압 및 주파수를 갖는 교류 전력을 생산하는 인버터 회로에서는 필수적인 소자입니다. 이러한 인버터는 태양광 발전 시스템, 무정전 전원 장치(UPS), 전기 자동차의 모터 드라이브 등 다양한 곳에 적용됩니다. 또한, 전동기 제어 장치에서도 IGBT는 중요한 역할을 수행합니다. 전동기의 속도와 토크를 정밀하게 제어하기 위해 사용되는 인버터 및 컨버터 회로에 IGBT가 탑재되어 효율적이고 부드러운 운전을 가능하게 합니다. 이 외에도, 산업용 전원 공급 장치, 용접기, 유도 가열 장치, 전력 품질 개선 장치 등 높은 전력을 효율적으로 제어해야 하는 다양한 분야에서 IGBT를 찾아볼 수 있습니다. IGBT와 관련된 기술은 계속해서 발전하고 있으며, 이는 더욱 높은 효율, 더 빠른 스위칭 속도, 그리고 더 높은 전력 밀도를 가진 소자의 개발로 이어지고 있습니다. 한 가지 중요한 발전 방향은 **차세대 IGBT 기술**입니다. 이는 기존의 바이폴라 트랜지스터와 MOSFET의 장점을 결합한 구조를 넘어, 더 낮은 전력 손실과 더 빠른 스위칭 시간을 달성하기 위한 새로운 구조 및 제조 공정을 연구하는 것을 포함합니다. 예를 들어, Trench Gate IGBT는 기존의 Planar Gate IGBT보다 더 높은 전류 밀도를 구현하고 스위칭 손실을 줄이는 데 효과적입니다. 또한, Field Stop Layer(FSL)를 도입하여 캐리어 농도를 조절함으로써 스위칭 특성과 온 저항을 개선하기도 합니다. 더 나아가, **실리콘 카바이드(SiC) 또는 질화갈륨(GaN)과 같은 차세대 반도체 소재를 기반으로 하는 IGBT 또는 MOSFET의 발전**도 주목할 만합니다. 이러한 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 소재는 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압, 더 빠른 스위칭 속도, 그리고 더 높은 온도에서 안정적으로 작동할 수 있는 장점을 가지고 있습니다. 이로 인해 에너지 효율을 극대화하고 소자 크기를 줄일 수 있어 전기 자동차, 고효율 전력 변환 시스템 등 다양한 분야에서 혁신을 가져올 것으로 기대됩니다. IGBT의 **구동 회로 기술** 또한 중요한 관련 기술입니다. IGBT는 전압 제어 소자이지만, 높은 전압 및 전류에서 안정적으로 스위칭하기 위해서는 게이트 드라이버 회로의 설계가 매우 중요합니다. 이 회로는 IGBT를 정확하고 빠르게 켜고 끄는 역할을 하며, 과전압이나 과전류로부터 IGBT를 보호하는 기능도 포함합니다. 최근에는 게이트 드라이버 IC의 집적도가 높아지고 다양한 보호 기능을 내장한 스마트 게이트 드라이버 기술이 개발되고 있습니다. 마지막으로, **열 관리 기술** 또한 IGBT의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. IGBT는 스위칭 과정에서 열이 발생하므로, 이 열을 효율적으로 방출하기 위한 방열판 설계 및 냉각 시스템은 매우 중요합니다. 또한, IGBT의 수명을 연장하고 과열로 인한 고장을 방지하기 위한 온도 감지 및 제어 기술도 함께 발전하고 있습니다. 이러한 다양한 관련 기술들의 발전은 IGBT의 적용 범위를 더욱 확장하고 전력 전자 시스템의 전반적인 성능을 향상시키는 데 크게 기여하고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1468) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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