| ■ 영문 제목 : Global GaAs Devices Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1245 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 99 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 GaAs 기기의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 GaAs 기기 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 GaAs 기기 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 GaAs 기기 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 GaAs 기기 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (파워 앰프, RF 스위치, 필터, 저잡음 앰프, 기타) 시장규모와 용도별 (무선 통신, 모바일 장치, 자동차 전자, 군사, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 GaAs 기기 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 GaAs 기기 시장분석 - 종류별 GaAs 기기 시장규모 2020년-2025년 (파워 앰프, RF 스위치, 필터, 저잡음 앰프, 기타) - 용도별 GaAs 기기 시장규모 2020년-2025년 (무선 통신, 모바일 장치, 자동차 전자, 군사, 기타) 기업별 GaAs 기기 시장분석 - 기업별 GaAs 기기 판매량 - 기업별 GaAs 기기 매출액 - 기업별 GaAs 기기 판매가격 - 주요기업의 GaAs 기기 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 GaAs 기기 판매량 2020년-2025년 - 지역별 GaAs 기기 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 GaAs 기기 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 GaAs 기기 시장규모 : 종류별 - 미주의 GaAs 기기 시장규모 : 용도별 - 미국 GaAs 기기 시장규모 - 캐나다 GaAs 기기 시장규모 - 멕시코 GaAs 기기 시장규모 - 브라질 GaAs 기기 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 GaAs 기기 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 GaAs 기기 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 GaAs 기기 시장규모 : 용도별 - 중국 GaAs 기기 시장규모 - 일본 GaAs 기기 시장규모 - 한국 GaAs 기기 시장규모 - 동남아시아 GaAs 기기 시장규모 - 인도 GaAs 기기 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 GaAs 기기 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 GaAs 기기 시장규모 : 종류별 - 유럽의 GaAs 기기 시장규모 : 용도별 - 독일 GaAs 기기 시장규모 - 프랑스 GaAs 기기 시장규모 - 영국 GaAs 기기 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 GaAs 기기 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 GaAs 기기 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 GaAs 기기 시장규모 : 용도별 - 이집트 GaAs 기기 시장규모 - 남아프리카 GaAs 기기 시장규모 - 중동GCC GaAs 기기 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - GaAs 기기의 제조원가 구조 분석 - GaAs 기기의 제조 프로세스 분석 - GaAs 기기의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - GaAs 기기의 유통업체 - GaAs 기기의 주요 고객 지역별 GaAs 기기 시장 예측 - 지역별 GaAs 기기 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - GaAs 기기의 종류별 시장예측 (파워 앰프, RF 스위치, 필터, 저잡음 앰프, 기타) - GaAs 기기의 용도별 시장예측 (무선 통신, 모바일 장치, 자동차 전자, 군사, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Skyworks, Qorvo, Broadcom, WIN Semi, Sumitomo Electric Industries, Murata, Analog Devices, M/A-COM, Mitsubishi Electric 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “GaAs Devices Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world GaAs Devices sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected GaAs Devices sales for 2025 through 2031. With GaAs Devices sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world GaAs Devices industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global GaAs Devices landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on GaAs Devices portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global GaAs Devices market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for GaAs Devices and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global GaAs Devices.
The global GaAs Devices market size is projected to grow from US$ 10560 million in 2024 to US$ 18820 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 18820 from 2025 to 2031.
Global key players of GaAs devices include Skyworks, Qorvo, Broadcom, WIN Semi, etc. Global top five manufacturers hold a share over 76%. North America is the largest producer of GaAs devices holds a share over 72%. In terms of product, power amplifier is the largest segment, with a share over 52%. And in terms of application, the largest application is mobile devices, with a share over 53%.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of GaAs Devices market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Power Amplifiers
RF Switches
Filters
Low Noise Amplifiers
Others
Segmentation by application
Wireless Communication
Mobile Devices
Vehicle Electronics
Military
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Skyworks
Qorvo
Broadcom
WIN Semi
Sumitomo Electric Industries
Murata
Analog Devices
M/A-COM
Mitsubishi Electric
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global GaAs Devices market?
What factors are driving GaAs Devices market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do GaAs Devices market opportunities vary by end market size?
How does GaAs Devices break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 갈륨비소(GaAs) 기기의 이해 갈륨비소(GaAs)는 주기율표 상에서 주기율표의 13족 원소인 갈륨(Ga)과 15족 원소인 비소(As)가 결합하여 만들어진 화합물 반도체입니다. 이러한 갈륨비소는 실리콘(Si)과 같은 단원소 반도체와는 차별화되는 독특한 전기적, 광학적 특성을 지니고 있어, 고속, 고주파, 저잡음 및 고효율이 요구되는 다양한 첨단 전자 및 광전자 기기에 핵심 소재로 활용되고 있습니다. 본 글에서는 갈륨비소 기기의 개념을 중심으로 그 정의, 특징, 주요 종류, 응용 분야 및 관련 기술에 대해 심도 있게 다루고자 합니다. **갈륨비소 기기의 정의와 특징** 갈륨비소 기기는 앞서 언급한 갈륨비소 화합물 반도체 소재를 기반으로 제작된 전자 소자를 총칭합니다. 갈륨비소는 실리콘에 비해 전자 이동도가 훨씬 높아 동일한 전압 하에서 훨씬 빠른 속도로 전자를 이동시킬 수 있습니다. 이러한 높은 전자 이동도는 고속 신호 처리를 가능하게 하는 핵심적인 장점입니다. 또한, 갈륨비소는 밴드갭 에너지가 직접 천이(direct bandgap) 형태를 띠고 있어 빛을 효율적으로 흡수하거나 방출하는 특성이 뛰어납니다. 이는 광통신, 레이저 등 광전자 분야에서의 활용 가능성을 높이는 중요한 특징입니다. 더불어, 갈륨비소는 실리콘보다 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가지고 있어 높은 전력에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 낮은 비유전율(low dielectric constant)로 인해 고주파 동작 시 발생하는 기생 용량(parasitic capacitance)을 줄여 신호 손실을 최소화하는 데 기여합니다. 하지만 실리콘에 비해 가격이 비싸고 가공이 까다롭다는 단점도 존재합니다. 이러한 특징들을 종합해 볼 때, 갈륨비소 기기는 높은 성능이 요구되는 특정 응용 분야에 특화되어 활용되는 경향이 있습니다. **갈륨비소 기기의 주요 종류** 갈륨비소 기기는 그 기능과 구조에 따라 매우 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 대표적인 몇 가지를 살펴보겠습니다. * **금속-반도체 전계효과 트랜지스터 (MESFET: Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor):** 갈륨비소 기반 고주파 트랜지스터의 가장 기본적인 형태로, 높은 전자 이동도를 바탕으로 고주파 증폭기에 널리 사용됩니다. 빠른 스위칭 속도를 제공하여 통신 장비의 수신부 및 송신부 회로에 중요한 역할을 합니다. * **고이동도 트랜지스터 (HEMT: High Electron Mobility Transistor):** 두 가지 다른 화합물 반도체(예: AlGaAs/GaAs 계면)의 이종 접합(heterojunction)을 이용하여 전자 가스(2-dimensional electron gas, 2DEG)를 형성하고, 이 전자가 이동하는 경로에서의 산란을 최소화하여 실리콘 트랜지스터나 일반적인 MESFET보다 훨씬 높은 전자 이동도를 구현한 트랜지스터입니다. HEMT는 저잡음 특성이 매우 뛰어나 위성 통신, 레이더, 무선 통신 시스템의 저잡음 증폭기(LNA: Low Noise Amplifier)에 필수적으로 사용됩니다. * **고속 트랜지스터 (HBT: Heterojunction Bipolar Transistor):** AlGaAs/GaAs와 같은 이종 접합 구조를 사용하여 바이폴라 트랜지스터의 성능을 향상시킨 소자입니다. HBT는 HEMT와 마찬가지로 높은 전자 이동도를 활용하면서도 높은 전류 구동 능력과 우수한 선형성을 제공하여, 고출력 증폭기(PA: Power Amplifier) 및 고속 스위칭 회로에 적합합니다. 특히 휴대폰, 기지국 등에서 RF 신호를 증폭하는 데 중요한 역할을 합니다. * **GaAs 포토다이오드 및 광검출기 (Photodiodes and Photodetectors):** 갈륨비소의 직접 천이 밴드갭 특성을 활용하여 빛을 전기 신호로 변환하는 소자입니다. 광통신 시스템에서 수신되는 광신호를 전기 신호로 변환하는 데 사용되며, 높은 감도와 빠른 응답 속도를 자랑합니다. * **GaAs 레이저 다이오드 및 발광 다이오드 (Laser Diodes and Light-Emitting Diodes):** 빛을 효율적으로 방출하는 특성을 이용한 소자입니다. 특히 GaAs 기반의 레이저 다이오드는 특정 파장의 빛을 고집적하여 방출할 수 있어 광통신, 광학 센서, 바코드 스캐너 등 다양한 분야에 응용됩니다. **갈륨비소 기기의 용도** 갈륨비소 기기의 탁월한 성능은 현대의 첨단 기술 분야에서 필수적인 요소로 자리매김하게 하였습니다. 주요 응용 분야는 다음과 같습니다. * **무선 통신:** 휴대폰, Wi-Fi, 블루투스 등 각종 무선 통신 기기의 핵심 부품으로 사용됩니다. 특히 고주파 대역에서의 우수한 성능과 저잡음 특성은 끊김 없는 통신과 고속 데이터 전송을 가능하게 합니다. HEMT와 HBT는 스마트폰, 기지국, 위성 통신 장비의 RF 프론트엔드에서 중요한 역할을 합니다. * **광통신:** 광섬유를 통해 데이터를 전송하는 광통신 시스템에서 빛 신호를 전기 신호로 변환하는 광검출기나, 전기 신호를 빛 신호로 변환하는 레이저 다이오드로 사용됩니다. 이는 인터넷 속도 향상과 글로벌 통신망 구축에 지대한 공헌을 하고 있습니다. * **레이더 시스템:** 군용 및 민간용 레이더 시스템은 높은 주파수 대역에서 정밀한 탐지와 추적을 수행해야 하므로, 고속, 고출력 특성을 가진 갈륨비소 기반 트랜지스터가 필수적으로 사용됩니다. 항공기, 선박, 차량용 레이더 등 광범위한 분야에서 활용됩니다. * **위성 통신 및 우주 항공:** 극한의 온도 변화와 방사선 환경에서도 안정적으로 작동해야 하는 위성 통신 장비 및 우주 항공 분야에서는 갈륨비소의 우수한 신뢰성과 성능이 매우 중요하게 작용합니다. 저잡음 증폭기 및 고출력 증폭기에 주로 사용됩니다. * **고성능 컴퓨팅:** 일부 고속 디지털 회로 및 특수 목적의 프로세서에서도 갈륨비소 기기가 사용되어 극히 짧은 시간 내에 복잡한 연산을 수행하는 데 기여합니다. * **광전자 소자:** LED, 레이저 다이오드 등은 조명, 디스플레이, 광학 센서 등 다양한 산업 분야에서 활용됩니다. 갈륨비소 기반의 발광 소자는 특정 파장의 빛을 효율적으로 생성할 수 있어 특수 응용 분야에 적합합니다. **갈륨비소 기기 관련 기술** 갈륨비소 기기의 성능을 극대화하고 새로운 응용 분야를 개척하기 위한 다양한 관련 기술들이 지속적으로 발전하고 있습니다. * **소자 설계 및 공정 기술:** 갈륨비소 웨이퍼 위에 미세한 패턴을 형성하고 각기 다른 물질을 적층하는 과정은 고도의 기술력을 요구합니다. 특히 고밀도 집적화, 누설 전류 감소, 성능 균일성 확보를 위한 공정 기술 개발이 중요합니다. MBE(분자빔 에피탁시), MOCVD(유기금속 화학 기상 증착)와 같은 고품질 박막 증착 기술이 핵심입니다. * **재료 과학 및 신소재 개발:** 갈륨비소 자체뿐만 아니라, 다른 화합물 반도체와의 조합(예: AlGaAs, InGaAs, GaN 등)을 통해 성능을 더욱 향상시키는 연구가 활발히 진행 중입니다. 예를 들어, InP(인듐인)와 같은 다른 III-V족 화합물 반도체와의 혼합 결정(혼합물 반도체)을 통해 특정 파장의 빛을 방출하거나 특정 주파수 대역에서 성능을 최적화할 수 있습니다. * **패키징 및 테스트 기술:** 제작된 갈륨비소 소자를 실제 시스템에 통합하고, 그 성능을 정확하게 검증하는 패키징 및 테스트 기술 또한 매우 중요합니다. 고주파 신호의 손실을 최소화하고 안정적인 동작을 보장하는 패키징 설계 및 고속 테스트 장비 개발이 필수적입니다. * **집적회로 기술:** 여러 갈륨비소 소자를 하나의 칩에 집적하는 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 기술은 기기의 소형화, 고성능화, 저전력화를 가능하게 합니다. 수백 개에서 수천 개의 트랜지스터와 수동 소자가 하나의 칩에 집적되어 복잡한 RF 시스템을 구현할 수 있습니다. 결론적으로, 갈륨비소 기기는 실리콘 반도체가 제공하기 어려운 고속, 고주파, 저잡음 및 우수한 광학적 특성을 바탕으로 첨단 통신, 정보, 방위 산업 등 현대 기술 발전에 없어서는 안 될 중요한 역할을 수행하고 있습니다. 지속적인 연구 개발을 통해 갈륨비소 기기는 앞으로도 더욱 발전하여 우리 삶을 더욱 풍요롭게 만드는 데 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaAs 기기 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1245) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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