| ■ 영문 제목 : Global GaAs RF Devices Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1401 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 94 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 GaAs RF 기기의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 GaAs RF 기기 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 GaAs RF 기기 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 GaAs RF 기기 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 GaAs RF 기기의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (파워 앰프, RF 스위치, 고주파 필터, 저잡음 앰프, 기타)와 용도별 시장규모 (가전, 무선 통신) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 GaAs RF 기기 시장분석 - 종류별 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 (파워 앰프, RF 스위치, 고주파 필터, 저잡음 앰프, 기타) - 용도별 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 (가전, 무선 통신) 기업별 GaAs RF 기기 시장분석 - 기업별 GaAs RF 기기 판매량 - 기업별 GaAs RF 기기 매출액 - 기업별 GaAs RF 기기 판매가격 - 주요기업의 GaAs RF 기기 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 GaAs RF 기기 판매량 2020년-2025년 - 지역별 GaAs RF 기기 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 미주의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 미국 GaAs RF 기기 시장규모 - 캐나다 GaAs RF 기기 시장규모 - 멕시코 GaAs RF 기기 시장규모 - 브라질 GaAs RF 기기 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 아시아의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 중국 GaAs RF 기기 시장규모 - 일본 GaAs RF 기기 시장규모 - 한국 GaAs RF 기기 시장규모 - 동남아시아 GaAs RF 기기 시장규모 - 인도 GaAs RF 기기 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 유럽의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 독일 GaAs RF 기기 시장규모 - 프랑스 GaAs RF 기기 시장규모 - 영국 GaAs RF 기기 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 이집트 GaAs RF 기기 시장규모 - 남아프리카 GaAs RF 기기 시장규모 - 중동GCC GaAs RF 기기 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - GaAs RF 기기의 제조원가 구조 분석 - GaAs RF 기기의 제조 프로세스 분석 - GaAs RF 기기의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - GaAs RF 기기의 유통업체 - GaAs RF 기기의 주요 고객 지역별 GaAs RF 기기 시장 예측 - 지역별 GaAs RF 기기 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - GaAs RF 기기의 종류별 시장예측 (파워 앰프, RF 스위치, 고주파 필터, 저잡음 앰프, 기타) - GaAs RF 기기의 용도별 시장예측 (가전, 무선 통신) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Skyworks, Qorvo, Broadcom, Sumitomo Electric Industries, Murata Manufacturing, MACOM, Analog Devices, Mitsubishi Electric 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “GaAs RF Devices Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world GaAs RF Devices sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected GaAs RF Devices sales for 2025 through 2031. With GaAs RF Devices sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world GaAs RF Devices industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global GaAs RF Devices landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on GaAs RF Devices portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global GaAs RF Devices market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for GaAs RF Devices and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global GaAs RF Devices.
The global GaAs RF Devices market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for GaAs RF Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for GaAs RF Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for GaAs RF Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key GaAs RF Devices players cover Skyworks, Qorvo, Broadcom, Sumitomo Electric Industries, Murata Manufacturing, MACOM, Analog Devices and Mitsubishi Electric, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of GaAs RF Devices market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Power Amplifier
RF Switch
Radio Frequency Filter
Low Noise Amplifier
Others
Segmentation by application
Consumer Electronics
Wireless Communication
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Skyworks
Qorvo
Broadcom
Sumitomo Electric Industries
Murata Manufacturing
MACOM
Analog Devices
Mitsubishi Electric
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global GaAs RF Devices market?
What factors are driving GaAs RF Devices market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do GaAs RF Devices market opportunities vary by end market size?
How does GaAs RF Devices break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 갈륨비소(GaAs) RF 기기란 무선 주파수(RF) 신호를 처리하는 데 사용되는 반도체 소자를 의미합니다. 갈륨과 비소를 주성분으로 하는 화합물 반도체인 GaAs는 실리콘(Si) 기반 반도체와 비교했을 때 몇 가지 뛰어난 특성을 지니고 있어 고주파 및 고성능 RF 애플리케이션에 필수적인 소재로 자리 잡고 있습니다. 이러한 특성 때문에 GaAs RF 기기는 이동 통신, 위성 통신, 레이더 시스템 등 첨단 기술 분야에서 광범위하게 활용되고 있습니다. GaAs가 RF 기기에 적합한 주요한 이유는 전자 이동도(electron mobility)가 매우 높다는 점입니다. 이는 전자들이 반도체 내에서 더 빠르고 효율적으로 이동할 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 더 높은 주파수에서 더 빠른 신호 처리가 가능합니다. 또한, GaAs는 실리콘보다 밴드갭(bandgap)이 넓어 높은 전압에서도 고장 없이 작동할 수 있으며, 낮은 전력 소비와 함께 뛰어난 선형성을 제공합니다. 선형성은 RF 신호의 왜곡을 최소화하여 통신 품질을 향상시키는 데 중요한 요소입니다. 낮은 잡음 지수(noise figure) 또한 GaAs 기기의 장점으로, 수신 감도를 높여 미약한 신호도 효과적으로 감지할 수 있게 합니다. GaAs RF 기기의 종류는 매우 다양하며, 주로 신호의 증폭, 스위칭, 혼합 등에 사용되는 다양한 기능별로 분류할 수 있습니다. 가장 대표적인 종류로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **고전자 이동 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor, HEMT)**는 GaAs RF 기기에서 가장 널리 사용되는 소자 중 하나입니다. HEMT는 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electron Gas, 2DEG)라는 특별한 채널을 활용하여 전자 이동도를 극대화합니다. 이 덕분에 매우 높은 주파수에서도 낮은 잡음과 높은 이득을 얻을 수 있어 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier, LNA)나 고출력 증폭기(Power Amplifier, PA)에 주로 사용됩니다. 특히 위성 통신이나 전파 망원경과 같이 극히 미약한 신호를 수신해야 하는 응용 분야에서 HEMT의 저잡음 특성이 매우 중요합니다. 둘째, **장벽 접합 전계 효과 트랜지스터(Barrier Junction Field-Effect Transistor, JFET)** 또는 **메탈-반도체 접합 전계 효과 트랜지스터(Metal-Semiconductor Junction Field-Effect Transistor, MESFET)**도 GaAs 기반의 RF 기기로 사용됩니다. 이들은 실리콘 MOSFET과 유사한 구조를 가지지만, GaAs의 높은 전자 이동도를 활용하여 더 높은 주파수에서 작동합니다. 주로 스위칭 소자나 일부 증폭 회로에 사용됩니다. MESFET는 간단한 구조로 비교적 저렴하게 제작될 수 있다는 장점도 있습니다. 셋째, **증폭기(Amplifier)**는 RF 신호의 세기를 증폭하는 핵심적인 역할을 합니다. GaAs를 이용한 증폭기는 낮은 잡음 지수와 높은 이득, 그리고 우수한 선형성을 제공하여 이동 통신의 기지국, 휴대폰, 무선 통신 장비 등에 폭넓게 사용됩니다. 특히 증폭기는 RF 시스템의 전체 성능을 좌우하는 중요한 부품으로, GaAs의 특성은 모바일 기기의 배터리 수명 연장과 통신 품질 향상에 크게 기여합니다. 넷째, **혼합기(Mixer)**와 **고주파 스위치(RF Switch)** 등도 GaAs RF 기기의 중요한 구성 요소입니다. 혼합기는 서로 다른 주파수의 신호를 곱하여 새로운 주파수 성분을 만들어내는 역할을 하며, 이는 수퍼헤테로다인(superheterodyne) 수신기와 같은 다양한 RF 시스템에서 필수적입니다. GaAs 기반의 혼합기는 높은 동작 주파수와 우수한 변환 손실(conversion loss)을 제공합니다. 고주파 스위치는 RF 신호의 경로를 선택적으로 전환하는 데 사용되며, GaAs 스위치는 낮은 삽입 손실(insertion loss)과 높은 절연(isolation) 특성을 제공하여 신호 경로 전환 시 신호 손실을 최소화합니다. GaAs RF 기기의 용도는 실로 방대하며, 현대 사회의 다양한 첨단 기술과 밀접하게 연관되어 있습니다. 가장 대표적인 용도는 **이동 통신 시스템**입니다. 3G, 4G LTE, 그리고 최근의 5G 및 향후 6G 이동 통신 시스템에서 GaAs RF 기기는 스마트폰, 기지국 장비, 네트워크 인프라 등 전반에 걸쳐 핵심 부품으로 사용됩니다. 특히 고주파 대역을 사용하는 5G 통신에서 GaAs의 뛰어난 고주파 특성은 필수적입니다. 휴대폰 내부의 PA, LNA, 스위치 등은 모두 GaAs 기술을 기반으로 하여 데이터 전송 속도를 높이고 통신 범위를 확장하는 데 기여합니다. **위성 통신** 분야에서도 GaAs RF 기기의 중요성은 매우 큽니다. 위성은 지구로부터 멀리 떨어져 있기 때문에 수신되는 신호가 매우 미약하며, 이를 효과적으로 증폭하기 위해서는 극도로 낮은 잡음 특성을 가진 LNA가 필수적입니다. GaAs HEMT 기반의 LNA는 이러한 요구 사항을 만족시켜 위성 신호의 수신 감도를 극대화합니다. 또한, 고출력 PA는 위성이 지구로 데이터를 전송하는 데 필요한 높은 전력을 제공합니다. **레이더 시스템** 또한 GaAs RF 기기의 주요 응용 분야 중 하나입니다. 군용 레이더, 항공 관제 레이더, 자동차용 레이더 등 다양한 레이더 시스템에서는 고출력 신호를 발생시키고 미약한 반사 신호를 수신해야 합니다. GaAs 기반의 고출력 PA는 강력한 레이더 신호를 생성하는 데 사용되며, GaAs LNA는 매우 미약한 목표물로부터 반사된 신호를 효율적으로 수신하는 데 도움을 줍니다. 이는 레이더의 탐지 거리와 해상도를 향상시키는 데 직접적인 영향을 미칩니다. 이 외에도 **무선 LAN(Wi-Fi)**, **블루투스**와 같은 근거리 무선 통신 장비, **방송 수신기**, **전자전(Electronic Warfare, EW)** 시스템, **우주 항공** 분야의 고성능 통신 시스템 등 고속, 고주파, 고신뢰성이 요구되는 거의 모든 RF 애플리케이션에 GaAs RF 기기가 폭넓게 사용됩니다. GaAs RF 기기와 관련된 기술은 끊임없이 발전하고 있으며, 이러한 발전을 통해 소자의 성능은 향상되고 비용은 절감되며 새로운 응용 분야가 개척되고 있습니다. 주요 관련 기술로는 **공정 기술의 발전**을 들 수 있습니다. GaAs 웨이퍼의 품질을 높이고, 보다 정밀한 패터닝 기술을 개발하며, 신뢰성을 향상시키는 공정 개선은 GaAs RF 기기의 성능 향상에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, **소자 구조의 최적화**는 HEMT와 같은 고성능 소자의 성능을 극대화하는 데 중요한 역할을 합니다. 예를 들어, 채널 두께, 게이트 길이, 접합 면적 등을 미세하게 조정하여 전자 이동도를 높이고 기생 효과를 줄이는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. **집적화 기술** 또한 중요한 관련 기술입니다. 개별적인 GaAs 부품들을 하나의 칩으로 통합하는 것은 시스템의 크기를 줄이고, 전력 소비를 낮추며, 비용을 절감하는 데 기여합니다. 이를 **GaAs MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)**라고 하는데, 단일 칩에 여러 RF 기능(증폭, 혼합, 스위칭 등)을 집적하여 전체 시스템의 효율성을 크게 높일 수 있습니다. MMIC 기술은 특히 모바일 기기와 같은 소형화 및 고성능화가 요구되는 애플리케이션에서 필수적입니다. 또한, **새로운 재료 및 접합 기술**의 개발도 활발히 이루어지고 있습니다. GaAs 기판 위에 질화갈륨(GaN)과 같은 다른 화합물 반도체 재료를 성장시켜 하이브리드 소자를 만드는 기술은 기존 GaAs 소자의 한계를 극복하고 더 높은 전력 밀도와 고주파 성능을 달성하는 데 기여할 수 있습니다. 이러한 복합 재료 기술은 차세대 통신 시스템 및 고출력 RF 애플리케이션에 대한 기대를 높이고 있습니다. 최근에는 **인공지능(AI) 및 머신러닝(ML) 기술**을 활용하여 RF 시스템을 설계하고 최적화하는 연구도 진행되고 있습니다. AI/ML은 복잡한 RF 회로의 성능을 예측하고, 최적의 소자 파라미터를 탐색하며, 불량률을 줄이는 데 도움을 줄 수 있습니다. 이는 GaAs RF 기기의 개발 주기 단축과 성능 향상에 새로운 가능성을 열어주고 있습니다. 요약하자면, GaAs RF 기기는 높은 전자 이동도, 우수한 고주파 특성, 낮은 잡음 지수 등을 바탕으로 이동 통신, 위성 통신, 레이더 등 다양한 첨단 기술 분야에서 필수적인 역할을 수행하고 있습니다. 지속적인 공정 기술, 소자 구조, 집적화 기술의 발전과 더불어 새로운 재료 및 AI/ML 기술과의 융합을 통해 GaAs RF 기기는 앞으로도 더욱 발전하여 우리 생활을 더욱 편리하고 풍요롭게 만드는 데 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaAs RF 기기 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1401) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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