| ■ 영문 제목 : Global SiC MOSFETs Discretes Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2409H18002 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 9월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC MOSFET 소자 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC MOSFET 소자 산업 체인 동향 개요, 자동차, 공업, 소비자, 통신, 신에너지 및 전력망, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC MOSFET 소자의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC MOSFET 소자 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC MOSFET 소자 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC MOSFET 소자 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC MOSFET 소자 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 650V SiC MOSFET 디스크리트, 1200V SiC MOSFET 디스크리트, 1200V 이상 (1700 & 2000V 등))의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC MOSFET 소자 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC MOSFET 소자 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC MOSFET 소자 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC MOSFET 소자에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC MOSFET 소자 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC MOSFET 소자에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (자동차, 공업, 소비자, 통신, 신에너지 및 전력망, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC MOSFET 소자과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC MOSFET 소자 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC MOSFET 소자 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC MOSFET 소자 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 650V SiC MOSFET 디스크리트, 1200V SiC MOSFET 디스크리트, 1200V 이상 (1700 & 2000V 등)
용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 공업, 소비자, 통신, 신에너지 및 전력망, 기타
주요 대상 기업
– Infineon、onsemi、STMicroelectronics、Toshiba、Rohm、Microchip (Microsemi)、Fuji Electric、Littelfuse (IXYS)、Mitsubishi Electric (Vincotech)、Wolfspeed、SEMIKRON、Bosch、日立、安森美、SemiQ Inc、Zhuzhou CRRC Times Electric、WeEn Semiconductors、BYD、Shenzhen BASiC Semiconductor、China Resources Microelectronics Limited、Hangzhou Silan Microelectronics、NCEPOWER、Jilin Sino-Microelectronics、Sanan IC
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC MOSFET 소자 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC MOSFET 소자의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC MOSFET 소자의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC MOSFET 소자 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC MOSFET 소자 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC MOSFET 소자 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC MOSFET 소자의 산업 체인.
– SiC MOSFET 소자 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon onsemi STMicroelectronics ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC MOSFET 소자 이미지 - 종류별 세계의 SiC MOSFET 소자 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC MOSFET 소자 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC MOSFET 소자 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC MOSFET 소자 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC MOSFET 소자 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 소자 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 소자 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 소자 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 소자 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC MOSFET 소자 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC MOSFET 소자 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 소자 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 소자 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 소자 소비 금액 - 유럽 SiC MOSFET 소자 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 소자 소비 금액 - 남미 SiC MOSFET 소자 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 소자 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 소자 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 소자 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 소자 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 소자 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 소자 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 소자 평균 가격 - 북미 SiC MOSFET 소자 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 소자 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 소자 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 소자 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC MOSFET 소자 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 소자 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 소자 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 소자 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 소자 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 소자 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 소자 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 소자 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC MOSFET 소자 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 소자 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 소자 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 소자 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 소자 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 소자 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 소자 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 소자 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC MOSFET 소자 소비 금액 및 성장률 - SiC MOSFET 소자 시장 성장 요인 - SiC MOSFET 소자 시장 제약 요인 - SiC MOSFET 소자 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC MOSFET 소자의 제조 비용 구조 분석 - SiC MOSFET 소자의 제조 공정 분석 - SiC MOSFET 소자 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 차세대 전력 반도체 소자로서 기존 실리콘(Si) 기반 MOSFET의 한계를 극복하고 고성능, 고효율, 고신뢰성을 제공하는 데 중점을 두고 있습니다. 이는 넓은 밴드갭(bandgap) 특성을 지닌 SiC 소재의 우수한 전기적, 열적 특성을 기반으로 합니다. SiC MOSFET은 기본적으로 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 구조를 가지지만, 핵심 소재로 실리콘 대신 실리콘 카바이드(SiC)를 사용합니다. 이러한 소재 변화는 SiC MOSFET에 여러 가지 혁신적인 특징을 부여합니다. 첫째, SiC는 실리콘에 비해 훨씬 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가집니다. 이는 동일한 두께의 절연층으로 더 높은 전압을 견딜 수 있음을 의미하며, 더 얇은 절연층으로도 동일한 항복 전압을 달성할 수 있어 소자의 온 저항(on-resistance)을 낮추는 데 기여합니다. 또한, SiC는 실리콘보다 약 3배 높은 열전도율을 가지고 있어 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고온 환경에서의 안정적인 동작을 보장하고, 냉각 시스템의 부담을 줄여 소형화 및 고출력화를 가능하게 합니다. SiC MOSFET의 중요한 특징 중 하나는 낮은 온 저항입니다. 이는 캐리어 이동도(mobility)와 밴드갭의 관계, 그리고 항복 전압의 상관관계에 의해 결정되는 FoM(Figure of Merit)이 실리콘에 비해 월등히 뛰어나기 때문입니다. 온 저항이 낮다는 것은 소자 내부에서 전류가 흐를 때 발생하는 전력 손실이 적다는 것을 의미하며, 이는 곧 높은 효율로 이어집니다. 또한, SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 임계 전기장(critical electric field)을 가지고 있어 동일한 전압 강하를 구현하기 위해 더 얇은 채널을 사용할 수 있습니다. 이는 온 저항 감소에 직접적으로 기여하는 요소입니다. SiC MOSFET은 또한 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. SiC의 높은 캐리어 이동도와 낮은 기생 정전용량(parasitic capacitance)은 스위칭 시 발생하는 에너지 손실을 줄여주며, 이를 통해 더 빠른 주파수에서의 동작이 가능해집니다. 이는 전력 변환 시스템의 효율을 높이고 크기를 줄이는 데 중요한 역할을 합니다. 고온에서의 안정성 또한 SiC MOSFET의 두드러진 특징입니다. SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 밴드갭을 가지고 있어 고온에서도 반도체 특성을 안정적으로 유지할 수 있습니다. 일반적으로 SiC MOSFET은 150°C 이상의 고온에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 일부 제품은 175°C 또는 200°C 이상의 동작 온도를 지원하기도 합니다. 이는 전통적인 실리콘 소자로는 구현하기 어려운 극한 환경에서의 적용을 가능하게 합니다. SiC MOSFET은 그 특성에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 일반적인 형태는 수직형(vertical) 구조를 가지는 SiC MOSFET으로, 넓은 밴드갭을 활용하여 높은 항복 전압을 구현하는 데 유리합니다. 또한, 특정 애플리케이션의 요구사항에 맞춰 채널 구조를 다르게 설계하기도 합니다. 예를 들어, 평면형(planar) 구조와 격자형(trench) 구조가 있으며, 격자형 구조는 일반적으로 평면형보다 온 저항을 더 낮출 수 있지만 게이트 산화막 신뢰성에 대한 고려가 필요합니다. 또한, SiC MOSFET은 3극(3-terminal) 소자로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate) 단자를 가집니다. SiC MOSFET의 응용 분야는 매우 광범위합니다. 대표적으로는 전기 자동차(EV)의 충전기, 인버터, 온보드 충전기(OBC) 등 전력 변환 시스템에서 높은 효율과 성능을 제공합니다. 또한, 태양광 발전 시스템의 인버터, 산업용 전원 공급 장치, 통신 전원, 서버 전원, 에너지 저장 시스템(ESS) 등에서도 높은 효율과 소형화, 경량화에 기여합니다. 고전압 DC 송전(HVDC) 시스템에서도 SiC MOSFET의 적용 가능성이 탐색되고 있으며, 높은 전력 밀도와 효율로 에너지 손실을 줄이는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. SiC MOSFET의 발전과 함께 관련 기술 또한 지속적으로 발전하고 있습니다. 첫째, SiC 웨이퍼 제조 기술입니다. 고품질의 SiC 결정 성장은 SiC MOSFET의 성능과 신뢰성을 좌우하는 핵심 기술입니다. 결정 결함(crystal defect)을 최소화하고 벌크(bulk) 결함 밀도를 낮추는 기술이 중요합니다. 또한, SiC MOSFET의 게이트 산화막 품질을 향상시키는 기술도 중요합니다. 높은 전압에서 안정적인 절연을 제공하고 신뢰성을 확보하기 위해서는 고품질의 SiO2 또는 다른 절연 물질을 SiC 표면에 형성하는 기술이 필수적입니다. 소자 구조 설계 기술 또한 중요한 부분입니다. 앞서 언급한 격자형 구조 외에도, 소자 간의 간격을 최적화하고 전계 집중을 완화하는 기술 등을 통해 온 저항을 더욱 낮추고 항복 전압을 높이는 연구가 진행되고 있습니다. 또한, SiC MOSFET의 스위칭 특성을 향상시키고 제어하기 위한 게이트 드라이버 회로 기술도 중요합니다. SiC MOSFET은 높은 스위칭 속도로 인해 기존 실리콘 MOSFET용 드라이버와는 다른 특성을 요구하며, 이를 충족시키는 최적의 게이트 드라이버 회로 설계가 필요합니다. 패키징 기술 또한 SiC MOSFET의 성능을 극대화하는 데 중요한 역할을 합니다. SiC MOSFET은 높은 전류 밀도와 온도를 견딜 수 있어야 하므로, 낮은 열 저항을 가지는 고성능 패키징 기술이 요구됩니다. 와이어 본딩(wire bonding)의 인덕턴스를 줄이고, 열 전달 효율을 높이는 패키징 솔루션들이 개발되고 있습니다. 또한, SiC MOSFET의 높은 스위칭 속도와 전압을 고려한 방열 설계 기술 역시 중요합니다. SiC MOSFET은 뛰어난 성능과 효율을 바탕으로 다양한 분야에서 기존 실리콘 전력 반도체를 대체하며 에너지 효율 향상과 기술 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC MOSFET 소자 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2409H18002) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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