| ■ 영문 제목 : Global Semiconductor Memory Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1435 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 92 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 반도체 메모리의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 반도체 메모리 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 반도체 메모리 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 반도체 메모리 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 반도체 메모리 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (DRAM, SRAM, NAND, NOR, 기타) 시장규모와 용도별 (모바일 장치, 컴퓨터, 서버, 자동차, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 반도체 메모리 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 반도체 메모리 시장분석 - 종류별 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 (DRAM, SRAM, NAND, NOR, 기타) - 용도별 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 (모바일 장치, 컴퓨터, 서버, 자동차, 기타) 기업별 반도체 메모리 시장분석 - 기업별 반도체 메모리 판매량 - 기업별 반도체 메모리 매출액 - 기업별 반도체 메모리 판매가격 - 주요기업의 반도체 메모리 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 반도체 메모리 판매량 2020년-2025년 - 지역별 반도체 메모리 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 미주의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 미국 반도체 메모리 시장규모 - 캐나다 반도체 메모리 시장규모 - 멕시코 반도체 메모리 시장규모 - 브라질 반도체 메모리 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 중국 반도체 메모리 시장규모 - 일본 반도체 메모리 시장규모 - 한국 반도체 메모리 시장규모 - 동남아시아 반도체 메모리 시장규모 - 인도 반도체 메모리 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 유럽의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 독일 반도체 메모리 시장규모 - 프랑스 반도체 메모리 시장규모 - 영국 반도체 메모리 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 이집트 반도체 메모리 시장규모 - 남아프리카 반도체 메모리 시장규모 - 중동GCC 반도체 메모리 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 반도체 메모리의 제조원가 구조 분석 - 반도체 메모리의 제조 프로세스 분석 - 반도체 메모리의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 반도체 메모리의 유통업체 - 반도체 메모리의 주요 고객 지역별 반도체 메모리 시장 예측 - 지역별 반도체 메모리 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 반도체 메모리의 종류별 시장예측 (DRAM, SRAM, NAND, NOR, 기타) - 반도체 메모리의 용도별 시장예측 (모바일 장치, 컴퓨터, 서버, 자동차, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia, Western Digital, Intel, Nanya, Winbond, YMTC 조사의 결과/결론 |
Semiconductor memory is the main memory element of a microcomputer-based system and is used to store program and data. The main memory elements are nothing but semiconductor devices that stores code and information permanently.
The semiconductor memory is directly accessible by the microprocessor. And the access time of the data present in the primary memory must be compatible with the operating time of the microprocessor. Thus semiconductor devices are preferred as primary memory.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Semiconductor Memory Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Semiconductor Memory sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Semiconductor Memory sales for 2025 through 2031. With Semiconductor Memory sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Semiconductor Memory industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Semiconductor Memory landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Semiconductor Memory portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Semiconductor Memory market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Semiconductor Memory and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Semiconductor Memory.
The global Semiconductor Memory market size is projected to grow from US$ 139690 million in 2024 to US$ 360940 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 360940 from 2025 to 2031.
Global Semiconductor Memory key players include Samsung, SK Hynix, Micron, etc. Global top 3 manufacturers hold a share over 76%.
In terms of product, NAND is the largest segment, with a share over 54%. And in terms of application, the largest application is Mobile Device.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Semiconductor Memory market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
DRAM
SRAM
NAND
NOR
Others
Segmentation by application
Mobile Device
Computers
Server
Automotive
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Samsung
SK Hynix
Micron
Kioxia
Western Digital
Intel
Nanya
Winbond
YMTC
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Semiconductor Memory market?
What factors are driving Semiconductor Memory market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Semiconductor Memory market opportunities vary by end market size?
How does Semiconductor Memory break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 반도체 메모리: 정보 저장의 핵심 기술 반도체 메모리는 현대 디지털 문명을 지탱하는 핵심 기술 중 하나로, 전자 장비의 성능과 기능을 결정하는 데 있어 매우 중요한 역할을 수행합니다. 기본적으로 반도체 재료를 이용하여 전기적인 신호 형태로 정보를 저장하고 읽어내는 장치를 의미합니다. 이러한 반도체 메모리가 없다면 우리가 사용하는 컴퓨터, 스마트폰, TV, 그리고 수많은 첨단 기기들은 제대로 작동할 수 없을 것입니다. 수많은 데이터를 빠르게 처리하고 저장하는 능력은 디지털 시대의 근간을 이루며, 반도체 메모리는 바로 이 근간을 제공하는 핵심 부품이라 할 수 있습니다. 반도체 메모리의 가장 근본적인 특징은 바로 **데이터 저장 능력**입니다. 이는 물리적인 형태로 정보를 보존하는 것이 아니라, 전하의 형태로 데이터를 저장함으로써 이루어집니다. 트랜지스터와 같은 반도체 소자를 사용하여 전하를 가두거나 흘려보내는 방식으로 0과 1, 즉 이진수 정보를 표현하고 저장하는 것입니다. 이러한 전기적인 방식은 기계적인 방식에 비해 훨씬 빠르고 정확하게 데이터를 처리할 수 있게 해줍니다. 또한, 초소형화가 가능하여 같은 면적에 더 많은 정보를 저장할 수 있으며, 낮은 전력으로도 작동할 수 있다는 장점을 가집니다. 반도체 메모리는 그 특성과 작동 방식에 따라 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 바로 **휘발성 메모리(Volatile Memory)**와 **비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)**입니다. 휘발성 메모리는 전원이 공급되는 동안에만 데이터가 저장되며, 전원이 차단되면 저장된 정보가 사라지는 특징을 가집니다. 반면, 비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터를 계속 유지할 수 있습니다. 휘발성 메모리의 가장 대표적인 예는 **DRAM(Dynamic Random Access Memory)**과 **SRAM(Static Random Access Memory)**입니다. DRAM은 캐패시터에 전하를 저장하는 방식으로 작동하는데, 이 전하가 시간이 지남에 따라 자연적으로 방전되기 때문에 주기적으로 전하를 충전해주는 ‘갱신(refresh)’ 과정이 필요합니다. 이러한 구조적 특징 때문에 DRAM은 SRAM에 비해 상대적으로 저렴하고 집적도가 높아 더 많은 데이터를 저장할 수 있지만, 데이터 접근 속도는 약간 느린 편입니다. 컴퓨터의 메인 메모리(RAM)로 널리 사용되며, 운영체제와 실행 중인 프로그램들의 데이터를 일시적으로 저장하여 CPU가 빠르게 접근할 수 있도록 돕는 역할을 합니다. 스마트폰의 램(RAM) 역시 동일한 원리로 작동하며, 여러 앱을 동시에 실행할 때 앱 전환 속도와 전반적인 기기 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. SRAM은 트랜지스터로 구성된 플립플롭 회로를 사용하여 데이터를 저장합니다. 이 방식은 DRAM처럼 주기적인 갱신 과정이 필요 없기 때문에 데이터 접근 속도가 훨씬 빠르고 안정적입니다. 하지만 각 비트당 더 많은 트랜지스터가 필요하여 집적도가 낮고 가격이 비쌉니다. 이러한 특징 때문에 SRAM은 주로 CPU 내부에 탑재되는 캐시 메모리(Cache Memory)나 레지스터(Register)와 같이 매우 빠른 속도가 요구되는 부분에 사용됩니다. CPU가 자주 사용하는 데이터를 미리 가져와 저장해두어, 주기억장치(DRAM)까지 접근하는 시간을 단축시켜 전체적인 연산 속도를 향상시키는 중요한 역할을 합니다. 비휘발성 메모리는 전원이 꺼져도 데이터가 보존된다는 점에서 매우 유용하며, 다양한 형태로 활용됩니다. 가장 널리 알려진 비휘발성 메모리로는 **플래시 메모리(Flash Memory)**가 있습니다. 플래시 메모리는 전기적으로 데이터를 쓰고 지울 수 있으며, 전원이 없어도 데이터를 유지합니다. 플래시 메모리는 다시 **NAND 플래시(NAND Flash)**와 **NOR 플래시(NOR Flash)**로 나눌 수 있습니다. NAND 플래시는 셀 간의 직렬 연결 방식을 사용하여 높은 집적도와 빠른 쓰기/지우기 속도를 자랑합니다. 덕분에 USB 메모리 드라이브, SD 카드, SSD(Solid State Drive) 등 대용량 데이터를 저장하는 데 주로 사용됩니다. 반면 NOR 플래시는 병렬 연결 방식을 사용하여 데이터 접근 속도가 빠르고 무작위 읽기(random read)에 강점을 가집니다. 주로 펌웨어(firmware)와 같이 자주 읽어야 하지만 자주 변경되지 않는 데이터를 저장하는 데 사용됩니다. 스마트폰, 디지털 카메라, 임베디드 시스템 등 다양한 전자기기에 필수적으로 사용됩니다. 또 다른 중요한 비휘발성 메모리로는 **ROM(Read Only Memory)** 계열이 있습니다. ROM은 이름 그대로 데이터를 읽기만 할 수 있는 메모리로, 주로 제조 과정에서 데이터가 기록되어 출고됩니다. 과거에는 단순히 읽기만 가능한 마스크 ROM(Mask ROM)이 사용되었지만, 기술 발전과 함께 데이터를 수정할 수 있는 PROM(Programmable Read Only Memory), EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 등이 개발되었습니다. 특히 EEPROM은 전기적으로 데이터를 쓰고 지울 수 있어 더욱 유연하게 활용될 수 있으며, 일부 설정 값이나 작은 용량의 데이터를 저장하는 데 사용됩니다. 반도체 메모리의 **용도**는 그 종류와 특성에 따라 매우 다양합니다. 앞서 언급했듯이 컴퓨터와 스마트폰의 메인 메모리(RAM)로는 DRAM이, CPU 내부 캐시 메모리로는 SRAM이 사용됩니다. 대용량 저장 장치로는 SSD에 NAND 플래시 메모리가 활용되며, USB 메모리나 SD 카드 역시 NAND 플래시 기반입니다. 디지털 카메라의 사진 저장, 스마트폰의 앱 및 운영체제 저장, 영상 및 음악 파일 저장 등 거의 모든 디지털 기기에서 데이터 저장 및 관리를 위해 반도체 메모리가 필수적으로 사용됩니다. 또한, 자동차의 제어 장치, 가전제품의 펌웨어, 의료 기기 등에도 다양한 종류의 반도체 메모리가 탑재되어 있습니다. 반도체 메모리 **관련 기술**은 끊임없이 발전하고 있습니다. 대표적으로는 **집적도 향상** 기술이 있습니다. 더 미세한 공정을 사용하여 같은 면적에 더 많은 메모리 셀을 집적함으로써 저장 용량을 늘리고 가격을 낮추는 것이 핵심입니다. 이는 반도체 제조 기술의 발전과 긴밀하게 연결되어 있습니다. 또한, **속도 향상** 기술도 매우 중요합니다. 특히 DRAM의 경우, 더 빠른 데이터 전송 속도를 지원하는 DDR(Double Data Rate) 기술의 발전이 지속적으로 이루어지고 있으며, 최신 DDR5와 같은 기술은 이전 세대보다 훨씬 높은 대역폭과 효율성을 제공합니다. **전력 효율 개선** 역시 중요한 기술 과제입니다. 모바일 기기에서는 배터리 수명이 중요하므로, 메모리 작동 시 소모되는 전력을 최소화하는 기술이 요구됩니다. 저전력 설계를 도입하거나, 사용하지 않는 메모리 셀의 전원을 차단하는 기술 등이 이에 해당합니다. 또한, **신뢰성 및 내구성 향상**도 중요합니다. 극한의 환경에서도 데이터가 손실되지 않도록 보호하고, 오래 사용해도 성능 저하가 최소화되도록 하는 기술이 필요합니다. 이를 위해 오류 수정 코드(ECC, Error Correction Code)와 같은 기술이 적용되기도 합니다. 최근에는 기존의 반도체 메모리 기술과는 다른 접근 방식을 가진 새로운 기술들도 연구되고 있습니다. 예를 들어, **차세대 메모리(Next-Generation Memory)** 기술이라고 불리는 것들이 있습니다. 이들은 기존 DRAM이나 NAND 플래시의 한계를 극복하고자 하는 목적을 가지고 있습니다. 대표적으로 **MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)**은 자기 저항 효과를 이용하여 데이터를 저장하는데, 비휘발성이면서도 빠른 속도를 제공하며 높은 내구성을 가집니다. 또한, **PRAM(Phase-Change Random Access Memory)**은 물질의 상변화(phase change)를 이용하여 데이터를 저장하며, 빠른 속도와 비휘발성을 동시에 만족시키려는 노력이 이루어지고 있습니다. 이러한 차세대 메모리 기술들은 앞으로 우리가 사용하는 전자기기의 성능과 기능을 더욱 혁신적으로 변화시킬 잠재력을 가지고 있습니다. 요약하자면, 반도체 메모리는 전하의 형태로 정보를 저장하는 반도체 소자를 기반으로 하는 기술입니다. 휘발성 메모리(DRAM, SRAM)와 비휘발성 메모리(플래시 메모리, ROM)로 크게 나뉘며, 각각의 특징에 따라 컴퓨터의 메인 메모리, CPU 캐시, 저장 장치 등 다양한 용도로 활용됩니다. 집적도, 속도, 전력 효율, 신뢰성 향상 등의 기술 발전이 지속적으로 이루어지고 있으며, 차세대 메모리 기술 또한 활발히 연구 개발되고 있습니다. 이러한 반도체 메모리 기술의 발전은 디지털 정보 시대를 더욱 풍요롭고 편리하게 만드는 핵심 동력이라 할 수 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 반도체 메모리 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1435) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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