| ■ 영문 제목 : Global SiC and GaN Power Semiconductor Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1212 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 109 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 SiC 및 GaN 전력 반도체의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (SiC (탄화규소), GaN (질화갈륨)) 시장규모와 용도별 (IT 및 통신, 항공 우주 및 방위, 에너지 및 전력, 전자, 자동차, 의료, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장분석 - 종류별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 (SiC (탄화규소), GaN (질화갈륨)) - 용도별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 (IT 및 통신, 항공 우주 및 방위, 에너지 및 전력, 전자, 자동차, 의료, 기타) 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장분석 - 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매량 - 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 매출액 - 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매가격 - 주요기업의 SiC 및 GaN 전력 반도체 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매량 2020년-2025년 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 미주의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 미국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 캐나다 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 멕시코 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 브라질 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 중국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 일본 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 한국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 동남아시아 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 인도 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 유럽의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 독일 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 프랑스 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 영국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 이집트 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 남아프리카 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 중동GCC SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 제조원가 구조 분석 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 제조 프로세스 분석 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 유통업체 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 주요 고객 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장 예측 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 종류별 시장예측 (SiC (탄화규소), GaN (질화갈륨)) - SiC 및 GaN 전력 반도체의 용도별 시장예측 (IT 및 통신, 항공 우주 및 방위, 에너지 및 전력, 전자, 자동차, 의료, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Fujitsu Limited, Infineon Technologies, Maxim Integrated, Microchip Technology, NXP Semiconductors, ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics, Texas Instruments, Toshiba Corporation 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “SiC and GaN Power Semiconductor Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world SiC and GaN Power Semiconductor sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected SiC and GaN Power Semiconductor sales for 2025 through 2031. With SiC and GaN Power Semiconductor sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world SiC and GaN Power Semiconductor industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global SiC and GaN Power Semiconductor landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on SiC and GaN Power Semiconductor portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global SiC and GaN Power Semiconductor market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for SiC and GaN Power Semiconductor and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global SiC and GaN Power Semiconductor.
The global SiC and GaN Power Semiconductor market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for SiC and GaN Power Semiconductor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for SiC and GaN Power Semiconductor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for SiC and GaN Power Semiconductor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key SiC and GaN Power Semiconductor players cover Fujitsu Limited, Infineon Technologies, Maxim Integrated, Microchip Technology, NXP Semiconductors, ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics and Texas Instruments, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of SiC and GaN Power Semiconductor market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
SiC
GaN
Segmentation by application
IT & Telecom
Aerospace & Defense
Energy & Power
Electronics
Automotive
Healthcare
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Fujitsu Limited
Infineon Technologies
Maxim Integrated
Microchip Technology
NXP Semiconductors
ON Semiconductor Corporation
Renesas Electronics Corporation
STMicroelectronics
Texas Instruments
Toshiba Corporation
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global SiC and GaN Power Semiconductor market?
What factors are driving SiC and GaN Power Semiconductor market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do SiC and GaN Power Semiconductor market opportunities vary by end market size?
How does SiC and GaN Power Semiconductor break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 전력 반도체의 세계 전력 반도체는 현대 전자 기기의 심장 역할을 수행하며, 에너지 변환 및 효율적인 에너지 관리에 필수적인 부품입니다. 과거에는 주로 실리콘(Si) 기반 반도체가 이 역할을 담당해왔으나, 최근 몇 년간 실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN)이라는 차세대 전력 반도체 소재가 각광받고 있습니다. 이들 소재는 기존 실리콘 대비 월등히 뛰어난 전기적, 열적 특성을 바탕으로 에너지 효율 향상, 소형화, 고온 동작 가능성 등 기존 반도체의 한계를 극복할 수 있는 잠재력을 지니고 있어, 전기 자동차, 신재생 에너지, 데이터 센터 등 미래 산업의 핵심 기술로 주목받고 있습니다. 실리콘 카바이드(SiC)는 탄소와 규소가 결합된 화합물 반도체로, 자연계에서는 금강석과 유사한 경도를 가진 광물 형태로 존재합니다. 300년 이상의 역사를 가진 소재이지만, 반도체 분야에서의 활용은 비교적 최근에 이루어졌습니다. SiC의 가장 두드러진 특징은 바로 그 뛰어난 물리적, 전기적 특성입니다. 먼저, SiC는 실리콘 대비 약 10배 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 가집니다. 이는 더 높은 전압을 견딜 수 있음을 의미하며, 고전압 환경에서 사용되는 전력 변환 장치의 효율과 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있습니다. 또한, SiC는 실리콘보다 약 3배 높은 열전도율을 자랑합니다. 이는 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있다는 뜻이며, 전력 반도체 소자가 더 높은 온도에서도 안정적으로 동작할 수 있게 하여 방열 설계의 부담을 줄이고 소자의 집적도를 높이는 데 기여합니다. 이러한 우수한 특성 덕분에 SiC 전력 반도체는 다양한 용도로 활용됩니다. 대표적으로 고효율 전력 컨버터, 전기 자동차의 온보드 충전기(OBC) 및 DC-DC 컨버터, 태양광 발전 시스템의 인버터, 산업용 전원 공급 장치 등에 사용됩니다. 특히 전기 자동차의 경우, SiC 반도체를 적용하면 에너지 손실을 줄여 주행 거리를 늘리고 충전 속도를 향상시키는 데 크게 기여합니다. 또한, SiC는 높은 항복 전압 덕분에 고전압 직류(HVDC) 송전 시스템에서도 중요한 역할을 수행할 수 있으며, 에너지 효율적인 전력망 구축에 기여할 것으로 기대됩니다. SiC 전력 반도체는 다이오드, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 등 다양한 형태로 제작될 수 있으며, 특히 SiC MOSFET은 높은 스위칭 속도와 낮은 온저항(On-Resistance)을 통해 전력 변환 효율을 극대화하는 데 강점을 보입니다. 질화 갈륨(GaN) 역시 차세대 전력 반도체 소재로서 큰 주목을 받고 있습니다. GaN은 주기율표 상 3족과 15족 원소가 결합된 III-V족 화합물 반도체로, SiC와 마찬가지로 실리콘 대비 뛰어난 전기적 및 열적 특성을 제공합니다. GaN의 가장 큰 장점 중 하나는 실리콘보다 약 10배 이상 높은 전자 이동도(Electron Mobility)입니다. 이는 전자가 훨씬 빠르게 움직일 수 있음을 의미하며, 결과적으로 매우 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있습니다. 또한, GaN은 실리콘보다 높은 항복 전압과 우수한 열전도율을 가지고 있어 고온, 고주파수, 고전력 환경에서 효율적인 동작이 가능합니다. GaN은 주로 질화 갈륨 실리콘(GaN-on-Si) 또는 질화 갈륨 사파이어(GaN-on-Sapphire) 기판 위에 성장되며, 최근에는 GaN 자체를 기판으로 사용하는 기술도 발전하고 있습니다. GaN 전력 반도체의 높은 스위칭 속도는 전력 변환 장치의 크기를 획기적으로 줄이고 효율을 높이는 데 기여합니다. 이는 노트북, 스마트폰 충전기, 고속 충전기 등 휴대용 전자 기기의 전력 어댑터에서 특히 두드러집니다. 기존 실리콘 기반 어댑터에 비해 훨씬 작고 가벼우면서도 더 높은 효율을 제공할 수 있습니다. 또한, GaN은 자동차 전장 부품, 데이터 센터의 전원 공급 장치, 레이더 시스템, 통신 장비 등 다양한 고주파 및 고출력 응용 분야에서도 활용되고 있습니다. GaN 전력 반도체는 주로 트랜지스터 형태로 제작되며, 특히 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 기술이 널리 사용됩니다. HEMT 구조는 GaN과 다른 화합물(예: 알루미늄 질화 갈륨, AlGaN) 사이에 형성되는 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)를 활용하여 높은 전류 밀도와 빠른 스위칭 속도를 달성합니다. 최근에는 GaN 기반의 HEMT가 SiC MOSFET과 함께 차세대 전력 반도체 시장을 주도하고 있으며, 두 소재는 각각의 강점을 바탕으로 다양한 응용 분야에서 경쟁 및 보완 관계를 형성하고 있습니다. SiC와 GaN 전력 반도체의 개발 및 상용화를 위해서는 여러 관련 기술의 발전이 동반되어야 합니다. 먼저, 고품질의 SiC 및 GaN 웨이퍼 제조 기술이 중요합니다. 높은 결정성, 낮은 결함 밀도를 가진 웨이퍼는 소자의 성능과 신뢰성을 결정하는 핵심 요소입니다. 또한, 소자를 디자인하고 제작하는 반도체 공정 기술, 특히 고온 및 고압 환경에서도 안정적인 동작을 보장하는 절연 기술, 저손실의 전력 스위칭을 위한 게이트 구동 회로 기술 등이 중요합니다. 패키징 기술 역시 중요합니다. 고온에서도 안정적으로 열을 방출하고 높은 전력을 견딜 수 있는 신뢰성 있는 패키징 기술은 SiC 및 GaN 전력 반도체의 성능을 최대로 끌어내는 데 필수적입니다. 최근에는 이러한 관련 기술들이 빠르게 발전하면서 SiC 및 GaN 전력 반도체의 성능은 지속적으로 향상되고 있으며, 적용 분야 또한 점차 확대되고 있습니다. 궁극적으로 SiC와 GaN 전력 반도체의 발전은 전 세계적인 에너지 효율 향상 및 탄소 배출량 감축이라는 거대한 목표 달성에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 에너지 소비가 많은 산업 분야에서 전력 변환 효율을 높이는 것은 곧 에너지 절감으로 이어지며, 이는 환경 보호에도 긍정적인 영향을 미칩니다. 전기 자동차의 보급 확대, 신재생 에너지 발전의 효율성 증대 등은 이러한 흐름을 가속화할 것이며, SiC와 GaN 전력 반도체는 이러한 변화를 이끌어가는 핵심적인 기술 동력으로 자리매김할 것입니다. 앞으로도 이들 소재에 대한 연구 개발은 더욱 활발해질 것이며, 더욱 혁신적인 성능과 새로운 응용 분야를 개척해 나갈 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1212) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장 2025-2031] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |