| ■ 영문 제목 : Global GaAs RF Semiconductors Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1371 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 107 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 GaAs RF 반도체의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 GaAs RF 반도체 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 GaAs RF 반도체 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 GaAs RF 반도체 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 GaAs RF 반도체 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (VHF, UHF, EHF) 시장규모와 용도별 (가전, 통신, 항공 우주 및 방위, 자동차, CATV 및 유선 광대역, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 GaAs RF 반도체 시장분석 - 종류별 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 (VHF, UHF, EHF) - 용도별 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 (가전, 통신, 항공 우주 및 방위, 자동차, CATV 및 유선 광대역, 기타) 기업별 GaAs RF 반도체 시장분석 - 기업별 GaAs RF 반도체 판매량 - 기업별 GaAs RF 반도체 매출액 - 기업별 GaAs RF 반도체 판매가격 - 주요기업의 GaAs RF 반도체 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 GaAs RF 반도체 판매량 2020년-2025년 - 지역별 GaAs RF 반도체 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 미주의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 미국 GaAs RF 반도체 시장규모 - 캐나다 GaAs RF 반도체 시장규모 - 멕시코 GaAs RF 반도체 시장규모 - 브라질 GaAs RF 반도체 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 중국 GaAs RF 반도체 시장규모 - 일본 GaAs RF 반도체 시장규모 - 한국 GaAs RF 반도체 시장규모 - 동남아시아 GaAs RF 반도체 시장규모 - 인도 GaAs RF 반도체 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 유럽의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 독일 GaAs RF 반도체 시장규모 - 프랑스 GaAs RF 반도체 시장규모 - 영국 GaAs RF 반도체 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 이집트 GaAs RF 반도체 시장규모 - 남아프리카 GaAs RF 반도체 시장규모 - 중동GCC GaAs RF 반도체 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - GaAs RF 반도체의 제조원가 구조 분석 - GaAs RF 반도체의 제조 프로세스 분석 - GaAs RF 반도체의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - GaAs RF 반도체의 유통업체 - GaAs RF 반도체의 주요 고객 지역별 GaAs RF 반도체 시장 예측 - 지역별 GaAs RF 반도체 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - GaAs RF 반도체의 종류별 시장예측 (VHF, UHF, EHF) - GaAs RF 반도체의 용도별 시장예측 (가전, 통신, 항공 우주 및 방위, 자동차, CATV 및 유선 광대역, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Qorvo, Skyworks, Analog Devices, Qualcomm, NXP Semiconductors, MACOM, Microchip Technology, Murata Manufacturing, Cree, Maxim Integrated 조사의 결과/결론 |
Gallium arsenide is an important semiconductor material. Semiconductor devices made of gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance. GaAs has been the material of choice for RF components for smartphones. Some of its advantages include very high electron mobility, high thermal stability, low noise and wide temperature operating range. This makes it suitable for a variety of applications, such as consumer equipment, satellite communications and radar, etc. GaA is increasingly used in various RF devices in smartphones, which is driving the market growth.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “GaAs RF Semiconductors Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world GaAs RF Semiconductors sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected GaAs RF Semiconductors sales for 2025 through 2031. With GaAs RF Semiconductors sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world GaAs RF Semiconductors industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global GaAs RF Semiconductors landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on GaAs RF Semiconductors portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global GaAs RF Semiconductors market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for GaAs RF Semiconductors and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global GaAs RF Semiconductors.
The global GaAs RF Semiconductors market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for GaAs RF Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for GaAs RF Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for GaAs RF Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key GaAs RF Semiconductors players cover Qorvo, Skyworks, Analog Devices, Qualcomm, NXP Semiconductors, MACOM, Microchip Technology, Murata Manufacturing and Cree, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of GaAs RF Semiconductors market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
VHF
UHF
EHF
Segmentation by application
Consumer Devices
Telecommunication
Aerospace and Defense
Automotive
CATV and Wired Broadband
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Qorvo
Skyworks
Analog Devices
Qualcomm
NXP Semiconductors
MACOM
Microchip Technology
Murata Manufacturing
Cree
Maxim Integrated
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global GaAs RF Semiconductors market?
What factors are driving GaAs RF Semiconductors market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do GaAs RF Semiconductors market opportunities vary by end market size?
How does GaAs RF Semiconductors break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 갈륨비소(GaAs) RF 반도체는 무선 주파수(RF) 및 마이크로파 대역에서 탁월한 성능을 발휘하는 화합물 반도체 소재를 기반으로 제작된 전자 부품을 의미합니다. 전통적인 실리콘(Si) 기반 반도체로는 달성하기 어려운 고속 동작, 저잡음 특성, 고출력 증폭 등의 요구 조건을 충족시키기 위해 개발되었습니다. 이러한 GaAs RF 반도체는 현대 통신 시스템, 레이더, 위성 통신, 군사 장비 등 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. GaAs는 주기율표에서 3족 원소인 갈륨(Ga)과 15족 원소인 비소(As)의 화합물로서, 실리콘과 같은 14족 원소 기반 반도체와는 다른 독특한 결정 구조와 전자적 특성을 가집니다. 특히, GaAs는 실리콘에 비해 전자 이동도가 매우 높아 고주파에서 더 빠른 신호 처리가 가능합니다. 전자 이동도란 전기장이 가해졌을 때 전자가 얼마나 잘 움직이는지를 나타내는 지표인데, GaAs는 실리콘보다 약 5배 이상 높은 전자 이동도를 가지므로 동일한 공정으로 제작하더라도 훨씬 더 높은 주파수에서 동작할 수 있습니다. 또한, GaAs는 직접 밴드갭(direct bandgap) 특성을 가지고 있어 빛을 효율적으로 방출하거나 흡수할 수 있다는 장점도 있습니다. 이는 광전자 소자 분야에서도 중요한 역할을 합니다. GaAs RF 반도체의 핵심적인 특징 중 하나는 바로 저잡음 특성입니다. 통신 시스템에서는 수신 신호가 매우 미약한 경우가 많은데, 이때 증폭 과정에서 발생하는 잡음은 통신 품질을 저하시키는 주요 원인이 됩니다. GaAs는 고유하게 낮은 잡음 지수(noise figure)를 가지도록 설계 및 제작될 수 있어, 미약한 신호를 효율적으로 증폭하면서도 잡음을 최소화할 수 있습니다. 이는 특히 고감도 수신기가 요구되는 위성 통신이나 레이더 시스템에서 매우 중요한 장점입니다. 또 다른 중요한 특징은 고출력 증폭 능력입니다. GaAs 기반 반도체는 높은 항복 전압(breakdown voltage)과 우수한 열 전도성을 갖추고 있어, 비교적 높은 전력을 안정적으로 증폭할 수 있습니다. 이는 기지국 송신단이나 레이더 송신기와 같이 강력한 RF 신호를 발생시켜야 하는 응용 분야에서 필수적입니다. 높은 전력을 처리하면서도 과열로 인한 성능 저하나 소자 손상을 방지하는 능력은 GaAs의 강점이라고 할 수 있습니다. 또한, GaAs는 상대적으로 낮은 비유전율(dielectric constant)을 가지는데, 이는 고주파 신호가 반도체 내부를 통과할 때 발생하는 지연을 줄여주는 효과가 있습니다. 이를 통해 더 빠른 신호 전달 속도를 얻을 수 있으며, 이는 고속 데이터 통신 시스템의 성능 향상에 기여합니다. GaAs RF 반도체는 그 특성에 따라 다양한 종류로 분류될 수 있습니다. 가장 대표적인 것으로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **FET (Field-Effect Transistor)** 계열입니다. 이 중에서도 **MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor)**는 GaAs를 기반으로 하는 최초의 고주파 트랜지스터 중 하나로, 게이트 전압을 통해 채널의 전도도를 제어하는 방식으로 동작합니다. 비교적 간단한 구조를 가지고 있으며, 저잡음 증폭기(LNA: Low Noise Amplifier)나 고주파 스위치 등으로 활용됩니다. 둘째, **HEMT (High Electron Mobility Transistor)**입니다. HEMT는 GaAs와 다른 화합물 반도체(예: AlGaAs)를 접합하여 전자 이동도를 극대화한 구조를 가집니다. 계면에서의 높은 농도의 2차원 전자 가스(2DEG: Two-Dimensional Electron Gas)를 이용하여 매우 빠른 전자 이동을 구현함으로써 탁월한 고주파 성능과 저잡음 특성을 제공합니다. 현대의 고성능 RF 회로에서 가장 널리 사용되는 트랜지스터 중 하나이며, 특히 GHz 대역 이상의 통신 시스템, 레이더 수신기, 위성 수신 장비 등에 핵심 부품으로 사용됩니다. 셋째, **HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)**입니다. HBT는 서로 다른 밴드갭을 가진 두 종류의 반도체를 접합하여 만든 바이폴라 트랜지스터입니다. GaAs와 함께 다른 화합물 반도체(예: InGaP)를 사용하여 제작되며, HEMT에 비해 높은 출력 전력과 우수한 전류 구동 능력을 가집니다. 고출력 증폭기(HPA: High Power Amplifier)나 혼합기(mixer), 주파수 배기기(frequency multiplier) 등에 주로 사용됩니다. 이 외에도 GaAs를 기반으로 하는 다이오드(Diode), 광다이오드(Photodiode), 레이저 다이오드(Laser Diode) 등 다양한 형태의 반도체 소자들이 존재하며, 각기 다른 응용 분야에 맞게 최적화되어 사용됩니다. GaAs RF 반도체의 용도는 매우 광범위합니다. 주요 응용 분야를 살펴보면 다음과 같습니다. * **이동통신 기지국 및 단말기:** 스마트폰과 같은 이동통신 단말기는 물론, 기지국에서 송수신되는 RF 신호를 처리하는 데 GaAs 반도체가 필수적으로 사용됩니다. 특히 고주파 대역의 신호를 증폭하고 효율적으로 필터링하는 역할을 수행하며, 5G 통신과 같이 더 높은 주파수 대역을 사용하는 차세대 통신 기술에서도 GaAs의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. * **위성 통신:** 위성 통신 시스템은 지구와 수십만 킬로미터 떨어진 위성 간에 신호를 주고받기 때문에 매우 미약한 신호를 증폭하고, 동시에 강력한 송신 신호를 생성해야 하는 까다로운 요구 조건을 가집니다. GaAs 기반의 저잡음 증폭기와 고출력 증폭기는 이러한 위성 통신 시스템의 성능과 효율성을 결정짓는 핵심 부품입니다. * **레이더 시스템:** 군사 및 항공 우주 분야에서 사용되는 레이더 시스템은 목표물을 탐지하고 추적하기 위해 강력하고 정밀한 RF 신호를 생성하고 수신해야 합니다. GaAs 반도체는 이러한 레이더 시스템의 송신부 및 수신부에서 고출력 증폭, 저잡음 증폭, 고속 신호 처리 등의 핵심 기능을 수행합니다. * **군사 통신 및 전자전 장비:** 군사 작전에서 안정적이고 빠른 통신은 필수적이며, 또한 적의 통신을 방해하는 전자전 장비에서도 GaAs RF 반도체가 광범위하게 사용됩니다. 높은 신뢰성과 넓은 작동 온도 범위를 갖는 GaAs 부품은 열악한 환경에서도 안정적인 성능을 발휘해야 하는 군용 장비에 적합합니다. * **광통신 및 광학 센서:** 앞서 언급했듯이 GaAs는 직접 밴드갭 특성으로 인해 광전자 소자에도 활용됩니다. 레이저 다이오드, 광검출기 등은 광통신 시스템에서 빛 신호를 생성하거나 감지하는 역할을 수행하며, 산업용 센서나 의료 기기 등에도 응용됩니다. GaAs RF 반도체와 관련된 기술 또한 지속적으로 발전하고 있습니다. * **소재 및 공정 기술:** 더 높은 주파수에서 더 효율적이고 안정적으로 동작하는 GaAs 반도체를 만들기 위해 새로운 화합물 반도체 소재(예: InP, GaN)와의 접합 기술이나 에피택셜 성장 기술이 연구되고 있습니다. 또한, 미세화된 공정을 통해 소자의 집적도를 높이고 성능을 개선하려는 노력이 계속되고 있습니다. * **소자 설계 최적화:** HEMT, HBT와 같은 기존 소자의 구조를 개선하거나 새로운 형태의 소자를 개발하여 저잡음 특성, 고출력 특성, 고속 동작 특성을 더욱 향상시키려는 연구가 활발히 진행 중입니다. 예를 들어, 트랜지스터의 게이트 길이를 줄이거나 전극 간 거리를 최적화하여 고주파 성능을 극대화하는 기술 등이 있습니다. * **회로 집적 기술:** 개별적인 GaAs 소자를 하나의 칩으로 집적하는 MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) 기술은 전체 시스템의 크기를 줄이고 성능을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. GaAs MMIC는 고주파 회로의 여러 기능을 단일 칩에 구현하여 시스템의 복잡성을 줄이고 비용 효율성을 높입니다. * **패키징 기술:** 고주파 신호를 효율적으로 전달하고 소자를 보호하기 위한 패키징 기술 또한 중요합니다. 고주파 손실을 최소화하고 열 방출을 효과적으로 관리하는 패키징 기술은 GaAs RF 반도체의 성능을 최대한 발휘하는 데 필수적입니다. 최근에는 5G 통신과 같이 더욱 높은 주파수 대역과 복잡한 신호 처리 요구 사항이 등장함에 따라, GaAs를 넘어질화갈륨질화물(GaN: Gallium Nitride)과 같은 차세대 화합물 반도체 소재에 대한 연구도 활발히 진행되고 있습니다. GaN은 GaAs보다 더 높은 항복 전압과 더 우수한 열 전도성을 가져 고출력 고주파 응용 분야에서 더욱 유리한 특성을 제공합니다. 하지만 GaAs는 여전히 탁월한 저잡음 특성과 성숙된 기술을 바탕으로 광범위한 RF 및 마이크로파 응용 분야에서 중요한 역할을 계속 수행할 것으로 예상됩니다. 이러한 GaAs RF 반도체는 현대 디지털 사회의 근간을 이루는 통신 기술과 첨단 전자 장비의 발전에 지대한 공헌을 하고 있으며, 앞으로도 그 중요성은 더욱 커질 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaAs RF 반도체 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1371) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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