| ■ 영문 제목 : Global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1311 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 91 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (P형, N형) 시장규모와 용도별 (전자, 항공 우주 및 방위, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장분석 - 종류별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 (P형, N형) - 용도별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 (전자, 항공 우주 및 방위, 기타) 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장분석 - 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매량 - 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 매출액 - 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매가격 - 주요기업의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 미주의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 미국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 캐나다 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 멕시코 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 브라질 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 중국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 일본 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 한국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 동남아시아 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 인도 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 독일 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 프랑스 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 영국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 이집트 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 남아프리카 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 중동GCC 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 제조원가 구조 분석 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 제조 프로세스 분석 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 유통업체 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 주요 고객 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장 예측 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 종류별 시장예측 (P형, N형) - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 용도별 시장예측 (전자, 항공 우주 및 방위, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - ST Microelectronics, Kyocera, NXP, Fuji Electric Journel, Nanowave Technologies, FirstNano, Mouser, Plansee 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors sales for 2025 through 2031. With Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors.
The global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors players cover ST Microelectronics, Kyocera, NXP, Fuji Electric Journel, Nanowave Technologies, FirstNano, Mouser and Plansee, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
P Type
N Type
Segmentation by application
Electronics
Aerospace & Defense
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
ST Microelectronics
Kyocera
NXP
Fuji Electric Journel
Nanowave Technologies
FirstNano
Mouser
Plansee
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market?
What factors are driving Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market opportunities vary by end market size?
How does Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 횡방향 확산 금속 산화물 반도체(LDMOS)는 고주파 및 고출력 애플리케이션에서 널리 사용되는 파워 MOSFET의 한 종류입니다. 기존의 수직 확산 금속 산화물 반도체(VDMOS)와 달리, LDMOS는 전력 스위칭에 필요한 고전압 내성과 함께 고주파 동작 특성을 향상시키기 위해 측면 확산 구조를 채택하고 있습니다. 이러한 구조적 특징은 LDMOS가 모바일 통신 기지국, 레이더 시스템, 위성 통신 등 다양한 분야에서 핵심적인 역할을 수행하게 하는 원동력이 됩니다. LDMOS의 근본적인 개념은 전력 처리 능력과 고주파 성능을 동시에 극대화하는 데 있습니다. 이를 위해 LDMOS는 특정한 소자 구조와 제작 공정을 통해 기존 MOSFET의 한계를 극복합니다. 특히, 채널 영역과 드레인 영역 사이에 저농도 도핑된 확산 영역을 도입함으로써 드레인-소스 간 절연 능력, 즉 항복 전압(Breakdown Voltage)을 높이는 동시에 채널의 길이와 폭을 효과적으로 제어할 수 있게 됩니다. 이러한 제어 능력은 고전압 환경에서도 안정적인 동작을 보장하며, 전류 흐름을 효율적으로 관리하여 전력 손실을 최소화하는 데 기여합니다. LDMOS의 가장 두드러진 특징 중 하나는 높은 항복 전압을 구현하면서도 상대적으로 낮은 온-저항(On-Resistance)을 유지할 수 있다는 점입니다. 항복 전압을 높이기 위해서는 일반적으로 소자 구조를 두껍게 만들거나 저농도 도핑 영역을 넓혀야 하는데, 이는 온-저항의 증가로 이어져 전력 효율을 저하시키는 요인이 됩니다. LDMOS는 횡방향 확산 구조를 통해 이러한 트레이드오프(Trade-off)를 효과적으로 극복합니다. 드레인 영역으로 갈수록 도핑 농도가 점진적으로 감소하는 "농도 기울기(Concentration Gradient)"를 형성함으로써, 전기장이 특정 영역에 집중되는 것을 완화하고 고전압을 견딜 수 있는 능력을 향상시킵니다. 이 농도 기울기층은 마치 고속도로의 감속 구간처럼 작용하여, 급격한 전압 변화로 인한 누설 전류나 파괴를 방지하는 역할을 합니다. 또한, 이 확산 영역은 채널 전류가 드레인으로 흐르는 경로를 길게 만들어줌으로써, 겉보기에는 긴 채널 길이를 갖는 것처럼 보이게 하여 고주파에서의 캐패시턴스(Capacitance)를 줄이는 효과도 가져옵니다. 즉, 낮은 게이트-소스 간 캐패시턴스(Cgs)와 드레인-소스 간 캐패시턴스(Cds)를 확보하여 고속 스위칭을 가능하게 하는 것입니다. LDMOS 소자의 구조는 크게 게이트, 소스, 드레인 전극과 반도체 기판으로 구성됩니다. 기판은 일반적으로 p형 실리콘을 사용하며, 소스 영역은 고농도로 n형으로 도핑됩니다. 가장 중요한 특징은 드레인 영역으로 향하는 방향에 넓고 얕은 저농도 n형 확산층이 형성된다는 점입니다. 이 확산층의 깊이와 도핑 농도가 LDMOS의 성능을 결정하는 핵심 요소입니다. 게이트는 산화막(SiO2)을 통해 채널 영역과 격리되며, 이 게이트 전압에 의해 채널이 형성되고 전류가 제어됩니다. LDMOS는 그 구조와 작동 방식에 따라 몇 가지 종류로 분류될 수 있습니다. 가장 일반적인 LDMOS는 평면형(Planar LDMOS) 구조를 가지며, 이는 반도체 웨이퍼 표면에 소자를 제작하는 방식입니다. 최근에는 소자 밀도를 높이고 성능을 더욱 향상시키기 위한 다양한 변형 구조들이 연구 및 개발되고 있습니다. 예를 들어, 측면 확산층 아래에 추가적인 도핑층을 도입하거나, 게이트 구조를 다르게 설계하는 방식 등을 통해 특정 성능 지표를 개선하려는 시도가 이루어지고 있습니다. 또한, 소자 간의 상호 간섭을 줄이고 패키징 집적도를 높이기 위한 격리(Isolation) 기술도 중요한 발전 방향 중 하나입니다. LDMOS의 가장 중요한 응용 분야는 고주파 파워 증폭기(RF Power Amplifier, P.A.)입니다. 휴대폰, 무선 랜(Wi-Fi), 블루투스 등 다양한 무선 통신 시스템에서 신호를 증폭하는 데 LDMOS가 핵심 부품으로 사용됩니다. 특히, 3세대(3G)부터 5세대(5G) 이동 통신 기술로 발전하면서 더욱 높은 주파수 대역과 복잡한 변조 방식을 지원해야 하므로, 고출력과 고효율을 동시에 만족시키는 LDMOS의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. LDMOS는 이러한 통신 시스템에서 전력 효율을 높여 배터리 수명을 연장하고, 발열을 줄여 시스템 안정성을 확보하는 데 결정적인 역할을 합니다. 또한, 레이더 시스템, 위성 통신, 방송 송신 설비 등에서도 고출력 및 고주파 신호를 생성하고 증폭하는 데 필수적으로 사용됩니다. LDMOS 기술은 꾸준히 발전하고 있으며, 다양한 관련 기술들이 LDMOS의 성능 향상에 기여하고 있습니다. 첫째, 새로운 반도체 재료의 활용이 주목받고 있습니다. 실리콘 카바이드(SiC)나 질화갈륨(GaN)과 같은 광대역 갭(Wide Bandgap) 반도체는 실리콘 기반 LDMOS보다 훨씬 높은 항복 전압, 높은 전자 이동도, 우수한 열 전도성을 제공하여 고주파, 고출력 애플리케이션에서 LDMOS를 대체하거나 보완할 수 있는 가능성을 열어주고 있습니다. 이러한 신소재 기반 소자들은 기존 LDMOS의 한계를 뛰어넘어 더욱 높은 주파수 대역과 더 강력한 출력 성능을 제공할 것으로 기대됩니다. 둘째, 소자 설계 및 공정 기술의 발전입니다. 더 정밀한 확산 공정, 게이트 산화막의 품질 향상, 전극 재료의 최적화 등은 LDMOS의 온-저항을 낮추고 항복 전압을 높이며 고주파 성능을 개선하는 데 중요한 역할을 합니다. 특히, 채널 길이 및 폭을 나노미터 수준으로 제어하는 첨단 공정 기술은 LDMOS의 집적도를 높이고 성능을 극한으로 끌어올리는 데 기여합니다. 또한, 소자 간의 기생 캐패시턴스를 줄이고 열 방출 효율을 높이기 위한 패키징 기술도 LDMOS의 전반적인 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 셋째, 고주파 회로 설계 기술과의 통합입니다. LDMOS 소자 자체의 성능도 중요하지만, 이를 효과적으로 활용하기 위해서는 입력 및 출력 매칭 회로, 바이어스 회로 등과 같은 주변 회로와의 최적화된 설계가 필수적입니다. 이러한 회로들은 LDMOS가 최대의 증폭 성능을 발휘하도록 돕고, 불필요한 신호 왜곡이나 손실을 최소화하는 역할을 합니다. 최근에는 LDMOS 기반 파워 증폭기 모듈 자체가 고집적화, 고성능화되는 추세이며, 이는 LDMOS 소자 기술과 회로 설계 기술의 긴밀한 협력을 통해 이루어지고 있습니다. 결론적으로, 횡방향 확산 금속 산화물 반도체(LDMOS)는 고유한 소자 구조를 통해 높은 항복 전압과 우수한 고주파 성능을 동시에 달성함으로써 현대 무선 통신 및 첨단 전자 시스템에서 필수적인 부품으로 자리매김하고 있습니다. 지속적인 기술 혁신과 신소재의 도입, 그리고 관련 기술과의 융합을 통해 LDMOS는 앞으로도 더욱 발전된 성능으로 다양한 분야의 기술 발전을 견인할 것으로 기대됩니다. 특히 5G를 넘어 6G 통신 시대로 나아갈수록, 고효율, 고출력, 광대역 특성을 요구하는 첨단 애플리케이션에서의 LDMOS의 역할은 더욱 중요해질 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1311) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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