| ■ 영문 제목 : Global InGaAs APD Array Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1221 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 101 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 InGaAs APD 어레이의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 InGaAs APD 어레이 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 InGaAs APD 어레이 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 InGaAs APD 어레이 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 InGaAs APD 어레이의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (선형 어레이, 매트릭스 어레이, 다중 소자 어레이)와 용도별 시장규모 (레이저 거리 측정, 하이퍼 스펙트럼 이미징, LiDAR, 광 공간 통신, 자동 운전 이미징) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 InGaAs APD 어레이 시장분석 - 종류별 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 (선형 어레이, 매트릭스 어레이, 다중 소자 어레이) - 용도별 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 (레이저 거리 측정, 하이퍼 스펙트럼 이미징, LiDAR, 광 공간 통신, 자동 운전 이미징) 기업별 InGaAs APD 어레이 시장분석 - 기업별 InGaAs APD 어레이 판매량 - 기업별 InGaAs APD 어레이 매출액 - 기업별 InGaAs APD 어레이 판매가격 - 주요기업의 InGaAs APD 어레이 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 InGaAs APD 어레이 판매량 2020년-2025년 - 지역별 InGaAs APD 어레이 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 미주의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 미국 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 캐나다 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 멕시코 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 브라질 InGaAs APD 어레이 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 아시아의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 중국 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 일본 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 한국 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 동남아시아 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 인도 InGaAs APD 어레이 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 유럽의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 독일 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 프랑스 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 영국 InGaAs APD 어레이 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 이집트 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 남아프리카 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 중동GCC InGaAs APD 어레이 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - InGaAs APD 어레이의 제조원가 구조 분석 - InGaAs APD 어레이의 제조 프로세스 분석 - InGaAs APD 어레이의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - InGaAs APD 어레이의 유통업체 - InGaAs APD 어레이의 주요 고객 지역별 InGaAs APD 어레이 시장 예측 - 지역별 InGaAs APD 어레이 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - InGaAs APD 어레이의 종류별 시장예측 (선형 어레이, 매트릭스 어레이, 다중 소자 어레이) - InGaAs APD 어레이의 용도별 시장예측 (레이저 거리 측정, 하이퍼 스펙트럼 이미징, LiDAR, 광 공간 통신, 자동 운전 이미징) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Laser Components GmbH, Voxtel Inc, First Sensor, Hamamatsu, Otron Sensor Inc, TSMC, Albis Optoelectronics, PerkinElmer, Kyoto Semiconductor, Chongqing Institute of Optoelectronics Technology, Excelitas Technologies Corp, GCS 조사의 결론 |
Developed Specifically For Lidar Applications And Laser Rangefinders. The Series Of Products Contains Linear And Matrix Arrays With Multiple Sensors On One Monolithic Die, E.G. 8, 16, 64 Pixels
LPI (LP Information)’ newest research report, the “InGaAs APD Array Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world InGaAs APD Array sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected InGaAs APD Array sales for 2025 through 2031. With InGaAs APD Array sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world InGaAs APD Array industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global InGaAs APD Array landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on InGaAs APD Array portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global InGaAs APD Array market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for InGaAs APD Array and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global InGaAs APD Array.
The global InGaAs APD Array market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for InGaAs APD Array is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for InGaAs APD Array is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for InGaAs APD Array is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key InGaAs APD Array players cover Laser Components GmbH, Voxtel Inc, First Sensor, Hamamatsu, Otron Sensor Inc, TSMC, Albis Optoelectronics, PerkinElmer and Kyoto Semiconductor, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of InGaAs APD Array market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Linear Array
Matrix Array
Multielement Array
Segmentation by application
Laser Ranging
Hyperspectral Imaging
Lidar
Free Space Optical Communication
Automatic Driving Imaging
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Laser Components GmbH
Voxtel Inc
First Sensor
Hamamatsu
Otron Sensor Inc
TSMC
Albis Optoelectronics
PerkinElmer
Kyoto Semiconductor
Chongqing Institute of Optoelectronics Technology
Excelitas Technologies Corp
GCS
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global InGaAs APD Array market?
What factors are driving InGaAs APD Array market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do InGaAs APD Array market opportunities vary by end market size?
How does InGaAs APD Array break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 인듐갈륨비소(InGaAs) 애벌랜치 광다이오드(APD) 어레이는 광통신, 라이다(LiDAR), 이미징 등 다양한 응용 분야에서 중요한 역할을 하는 반도체 광학 소자입니다. 이는 개별 InGaAs APD 소자들을 일렬 또는 격자 형태로 집적한 것으로, 각 소자는 빛 신호를 전기 신호로 변환하고, 동시에 내부 증폭을 통해 민감도를 높이는 기능을 수행합니다. 이러한 어레이 구조는 단일 소자로는 구현하기 어려운 고성능 및 다기능을 제공하며, 특히 복잡하고 넓은 영역의 광 신호를 효율적으로 검출하는 데 강점을 가집니다. InGaAs APD 어레이의 핵심적인 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **고감도**입니다. InGaAs는 자체적으로 낮은 암전류와 높은 양자 효율을 가지므로, APD 구조와 결합하여 매우 약한 빛 신호도 효과적으로 검출할 수 있습니다. 특히 InGaAs APD 어레이는 다수의 검출 채널을 통해 더 넓은 범위의 빛을 동시에 포착하거나, 각 채널별로 독립적인 증폭을 수행하여 신호 대 잡음비를 향상시킬 수 있습니다. 둘째, **높은 응답 속도**입니다. InGaAs APD는 일반적으로 킬로헤르츠(kHz)에서 기가헤르츠(GHz) 이상의 매우 빠른 응답 속도를 지원하므로, 고속의 광 신호를 정확하게 포착하는 데 적합합니다. 어레이 형태로 구성되어도 각 소자의 개별적인 빠른 응답 특성이 유지됩니다. 셋째, **광범위한 파장 영역 감지**입니다. InGaAs는 1.3마이크로미터(μm) 및 1.55마이크로미터(μm) 대역에서 높은 감도를 보이는데, 이는 광섬유 통신에서 사용되는 주요 파장과 일치합니다. 따라서 장거리 광통신 시스템에서 신호의 감쇠를 극복하고 정확한 정보 전달을 가능하게 합니다. 넷째, **집적화 및 소형화**입니다. 어레이 형태로 집적되면서 여러 개의 검출기를 하나의 칩에 담을 수 있어 시스템의 전체적인 크기를 줄이고 복잡성을 감소시킬 수 있습니다. 이는 휴대용 장비나 고밀도 시스템 설계에 유리합니다. 다섯째, **데이터 병렬 처리 가능성**입니다. 어레이의 각 소자가 독립적으로 작동하므로, 여러 지점에서 동시에 데이터를 수집하고 처리하는 병렬 처리가 가능합니다. 이는 영상 처리나 다중 채널 통신 시스템에서 데이터 처리 효율을 극대화하는 데 기여합니다. InGaAs APD 어레이의 종류는 주로 배열의 형태와 개별 소자의 설계에 따라 구분될 수 있습니다. **일차원(1D) 어레이**는 APD 소자들이 한 줄로 배열된 형태로, 주로 광섬유 번들 신호의 검출이나 특정 방향으로의 스캔(scanning) 응용에 사용됩니다. **이차원(2D) 어레이**는 APD 소자들이 행렬 형태로 배치된 것으로, 넓은 영역의 이미징이나 공간 해상도가 중요한 라이다 시스템 등에 활용됩니다. 2D 어레이 내에서도 각 픽셀에 대한 개별적인 신호 처리 회로를 통합한 **인터그레이티드 칩(integrated chip)** 형태도 존재하며, 이는 신호 처리 능력을 더욱 향상시킵니다. 또한, APD의 구조 자체도 핀(PIN) 접합 기반의 일반적인 구조와 함께, 저잡음 및 고속 응답을 위해 특정 설계가 적용된 경우도 있습니다. 예를 들어, **단일 광자 애벌랜치 다이오드(SPAD, Single-Photon Avalanche Diode)**의 InGaAs 버전은 단일 광자 수준의 극도로 약한 빛 신호까지 검출할 수 있어, 양자 통신이나 고감도 이미징에 사용됩니다. InGaAs APD 어레이는 이러한 SPAD 구조를 기반으로 하는 경우도 있습니다. InGaAs APD 어레이의 주요 용도는 다음과 같습니다. **광통신 분야**에서는 광신호의 강도를 측정하고 증폭하는 수신기로 사용됩니다. 특히 고속 광통신 시스템에서 신호의 감쇠를 보상하고 오류율을 낮추는 데 필수적입니다. **라이다(LiDAR)** 분야에서는 레이저 펄스가 대상에 반사되어 돌아오는 빛을 검출하는 핵심 부품으로 사용됩니다. InGaAs APD 어레이는 넓은 시야각을 동시에 스캔하거나, 여러 지점에서 반사되는 빛을 동시에 수신하여 3차원 공간 정보를 얻는 데 사용됩니다. 이는 자율 주행 자동차, 로봇 공학, 지형 측량 등에서 중요한 역할을 합니다. **의료 이미징 분야**에서는 저조도 조건에서의 이미징이나 생체 신호 감지에 사용될 수 있습니다. 예를 들어, 광간섭 단층촬영(OCT)이나 광 음향 이미징(photoacoustic imaging) 등에서 미세한 광 신호를 감지하는 데 활용됩니다. **과학 연구 및 계측 분야**에서는 고감도 광 검출이 필요한 다양한 실험에서 사용됩니다. 우주 망원경, 입자 검출기, 광학 센서 등에서 약한 빛 신호를 측정하는 데 기여합니다. InGaAs APD 어레이와 관련된 기술은 매우 다양합니다. **제조 공정 기술**은 InGaAs 반도체 물질의 성장, 에피탁셜 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속 배선 등 복잡한 공정을 포함합니다. 고품질의 InGaAs 결정 성장과 소자 구조 형성이 성능에 결정적인 영향을 미칩니다. **회로 설계 및 집적 기술**은 각 APD 소자로부터 나오는 전기 신호를 효율적으로 처리하고 증폭하기 위한 프론트엔드 전자 회로(FEA, Front-End Amplifier)와의 통합을 포함합니다. 또한, 각 APD 소자의 동작 전압을 정밀하게 제어하고, 불균일성을 보정하기 위한 회로 설계 기술도 중요합니다. **신호 처리 기술**은 APD 어레이로부터 수집된 방대한 양의 데이터를 효과적으로 분석하고, 잡음을 제거하며, 유의미한 정보를 추출하는 데 사용됩니다. 이는 디지털 신호 처리(DSP) 알고리즘, 머신러닝 기법 등을 포함할 수 있습니다. **패키징 기술**은 APD 어레이를 외부 회로와 연결하고, 외부 환경으로부터 보호하며, 효율적인 열 관리를 제공하는 데 중요합니다. 광학적인 정렬과 전기적 연결의 신뢰성을 보장하는 것이 필수적입니다. **광학 설계 기술**은 APD 어레이의 각 소자에 효율적으로 빛을 집광시키거나, 특정 각도로 들어오는 빛을 감지하기 위한 렌즈 시스템이나 광학 필터 설계와 연관됩니다. 특히 넓은 시야각을 구현하기 위한 광학 설계가 중요합니다. **재료 과학 기술** 또한 중요하며, InGaAs의 결정 품질을 향상시키고, 소자의 수명과 신뢰성을 높이기 위한 연구가 지속적으로 이루어지고 있습니다. 특히 다양한 화합물 반도체 구조와의 조합을 통해 성능을 개선하려는 노력도 활발합니다. 결론적으로, InGaAs APD 어레이는 고감도, 고속, 넓은 파장 범위 감지 능력 등 뛰어난 성능을 바탕으로 광통신, 라이다, 이미징 등 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 끊임없는 제조 공정, 회로 설계, 신호 처리 기술의 발전은 InGaAs APD 어레이의 성능을 더욱 향상시키고 새로운 응용 분야를 개척하는 데 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 InGaAs APD 어레이 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1221) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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