| ■ 영문 제목 : Global Silicon Carbide Semiconductor Material Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2406A14311 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 화학&재료 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 실리콘 카바이드 반도체 소재은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 실리콘 카바이드 반도체 소재은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 실리콘 카바이드 반도체 소재의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
실리콘 카바이드 반도체 소재 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 2H-SIC 반도체, 3C-SIC 반도체, 4H-SIC 반도체, 6H-SIC 반도체, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 실리콘 카바이드 반도체 소재 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 실리콘 카바이드 반도체 소재 기술의 발전, 실리콘 카바이드 반도체 소재 신규 진입자, 실리콘 카바이드 반도체 소재 신규 투자, 그리고 실리콘 카바이드 반도체 소재의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 실리콘 카바이드 반도체 소재 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 실리콘 카바이드 반도체 소재 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
실리콘 카바이드 반도체 소재 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
2H-SIC 반도체, 3C-SIC 반도체, 4H-SIC 반도체, 6H-SIC 반도체, 기타
*** 용도별 세분화 ***
자동차, 전자 및 전기, 의료 기기, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Allegro Microsystems, Infineon Technologies AG, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, On Semiconductors, Wolfspeed, Sgl Carbon, GeneSiC, KYOCERA Fineceramics Precision GmbH, Toshiba, Fairchild Semiconductor, Ceramic forum, STMicroelectronics, Power Integrations
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 실리콘 카바이드 반도체 소재은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장분석 ■ 지역별 실리콘 카바이드 반도체 소재에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Allegro Microsystems, Infineon Technologies AG, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, On Semiconductors, Wolfspeed, Sgl Carbon, GeneSiC, KYOCERA Fineceramics Precision GmbH, Toshiba, Fairchild Semiconductor, Ceramic forum, STMicroelectronics, Power Integrations – Allegro Microsystems – Infineon Technologies AG – ROHM Semiconductor ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]실리콘 카바이드 반도체 소재 이미지 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 점유율 기업별 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 점유율 2023 기업별 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 2023 기업별 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 점유율 2023 미주 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 (2019-2024) 미주 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 (2019-2024) 유럽 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 (2019-2024) 유럽 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 (2019-2024) 미국 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 캐나다 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 멕시코 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 브라질 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 중국 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 일본 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 한국 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 인도 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 호주 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 독일 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 프랑스 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 영국 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 러시아 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 이집트 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 터키 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 실리콘 카바이드 반도체 소재 시장규모 (2019-2024) 실리콘 카바이드 반도체 소재의 제조 원가 구조 분석 실리콘 카바이드 반도체 소재의 제조 공정 분석 실리콘 카바이드 반도체 소재의 산업 체인 구조 실리콘 카바이드 반도체 소재의 유통 채널 글로벌 지역별 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 실리콘 카바이드 반도체 소재 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 실리콘 카바이드 반도체 소재 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 반도체 소재는 규소(Si)와 탄소(C)가 1:1의 비율로 결합된 화합물 반도체입니다. 자연에서는 모이사나이트(Moissanite)라는 광물 형태로 존재하며, 뛰어난 물리적, 전기적 특성으로 인해 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체를 뛰어넘는 차세대 고성능 반도체 소재로 각광받고 있습니다. 이러한 특성들은 주로 SiC의 독특한 결정 구조와 넓은 밴드갭 에너지에서 비롯됩니다. SiC는 매우 단단하고 열전도성이 우수하며, 높은 항복 전압과 낮은 온 저항을 가지는 등 극한의 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있는 잠재력을 지니고 있습니다. SiC 반도체 소재의 가장 두드러진 특징은 넓은 밴드갭 에너지입니다. 밴드갭은 전자가 자유롭게 움직일 수 있는 전도대와 움직일 수 없는 원자가대 사이의 에너지 간격을 의미하는데, SiC의 밴드갭은 약 3.2 eV로 실리콘(Si)의 약 1.1 eV에 비해 훨씬 넓습니다. 이 넓은 밴드갭 덕분에 SiC는 높은 항복 전압을 견딜 수 있으며, 이는 더 높은 전압에서 작동하는 전력 반도체 소자를 제작하는 데 매우 유리합니다. 또한, 높은 전기장 강도를 가지므로 고전압 환경에서도 절연 파괴 없이 안정적으로 작동할 수 있습니다. SiC는 또한 매우 높은 열전도성을 가지고 있습니다. 이는 SiC가 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있음을 의미합니다. 전력 반도체 소자는 작동 시 많은 열을 발생시키는데, SiC의 우수한 열전도성은 이러한 열을 신속하게 분산시켜 소자의 과열을 방지하고 신뢰성을 높이는 데 기여합니다. 또한, 높은 작동 온도를 견딜 수 있어 기존 실리콘 반도체로는 구현하기 어려운 고온 환경에서도 사용될 수 있습니다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 일반적으로 150°C 이상에서 성능이 저하되거나 손상될 수 있지만, SiC는 600°C 이상의 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 전기적 특성 측면에서 SiC는 높은 항복 전압과 함께 낮은 온 저항(On-resistance)을 가집니다. 온 저항은 전류가 소자를 통과할 때 발생하는 전기 저항으로, 이 값이 낮을수록 에너지 손실이 줄어듭니다. SiC는 실리콘에 비해 훨씬 낮은 온 저항을 가질 수 있어, 전력 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 이는 특히 전기차의 인버터, 전력 공급 장치 등 전력 손실을 최소화해야 하는 애플리케이션에서 중요한 장점으로 작용합니다. 또한, SiC는 높은 전자 이동도를 가지는데, 이는 전자들이 소재 내에서 얼마나 빠르게 움직일 수 있는지를 나타내는 지표입니다. 높은 전자 이동도는 스위칭 속도를 향상시켜 전력 변환 장치의 효율성을 더욱 높일 수 있습니다. SiC 반도체 소재는 결정 구조의 다형체(Polytype)가 매우 다양하다는 특징을 가집니다. SiC는 실리콘과 탄소 원자가 쌓이는 방식에 따라 다양한 결정 구조를 형성할 수 있으며, 이를 다형체라고 부릅니다. 현재까지 약 200가지 이상의 SiC 다형체가 알려져 있으며, 그중에서도 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC 등이 주로 연구되고 상용화되고 있습니다. 각 다형체는 밴드갭 에너지, 전자 이동도, 열전도성 등에서 미세한 차이를 보이며, 이러한 차이는 특정 애플리케이션에 더욱 적합한 SiC 소재를 선택하는 데 중요한 요소가 됩니다. 예를 들어, 4H-SiC는 넓은 밴드갭과 우수한 전자 이동도를 가져 고전압 스위칭 소자에 널리 사용되고 있으며, 6H-SiC 역시 특정 고주파 애플리케이션에 활용됩니다. SiC 반도체 소자의 용도는 매우 광범위하며, 특히 고성능 및 고효율이 요구되는 분야에서 그 가치를 인정받고 있습니다. 가장 대표적인 용도는 전기 자동차(EV)의 파워트레인입니다. EV의 모터를 제어하는 인버터에 SiC MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)이나 SiC 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)와 같은 SiC 기반 전력 반도체 소자를 적용하면 에너지 효율을 크게 높일 수 있습니다. 이는 EV의 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 기여하며, 소형화 및 경량화를 가능하게 합니다. 또한, SiC는 높은 내열성 덕분에 모터와 같이 고온 환경에 노출되는 부품에도 사용될 수 있습니다. 데이터 센터와 태양광 발전 시스템에서도 SiC의 활용이 증대되고 있습니다. 데이터 센터의 전력 공급 장치(Power Supply Unit, PSU)에 SiC 기반 반도체를 적용하면 전력 변환 효율을 높여 에너지 소비를 줄이고 발열을 억제할 수 있습니다. 이는 데이터 센터의 운영 비용 절감과 안정적인 성능 유지에 필수적입니다. 태양광 발전 시스템에서는 태양광 패널에서 생산된 직류(DC) 전력을 교류(AC) 전력으로 변환하는 인버터에 SiC 기술이 적용되어 발전 효율을 높이고 시스템의 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다. 산업용 전력 변환 시스템, 예를 들어 고전압 직류(HVDC) 송전 시스템, 철도 차량의 견인 시스템, 산업용 모터 제어 장치 등에서도 SiC의 적용이 활발하게 이루어지고 있습니다. SiC 기반 소자는 높은 효율과 견고함으로 인해 기존 실리콘 기반 소자로는 구현하기 어려웠던 고전압, 고전류 환경에서 안정적인 작동을 보장합니다. 또한, SiC는 항공우주 분야에서도 그 가능성을 인정받고 있습니다. 우주선이나 항공기의 전력 시스템은 극한의 온도 변화와 방사선에 노출되는데, SiC의 뛰어난 내열성, 내방사선성, 고강성 특성은 이러한 혹독한 환경에서도 신뢰성 높은 작동을 지원할 수 있습니다. SiC 반도체 소재의 발전을 이끄는 관련 기술로는 웨이퍼 제조 기술, 소자 설계 및 공정 기술, 패키징 기술 등이 있습니다. SiC 웨이퍼는 SiC 단결정을 성장시켜 제작하는데, 이 과정은 고온(약 2000°C 이상)에서 이루어지며 매우 높은 기술력을 요구합니다. 웨이퍼의 결정 결함 수를 줄이고 균일성을 높이는 것이 고품질 SiC 소자 제작의 핵심입니다. 최적의 SiC 다형체를 선택하고, 이를 기반으로 고효율의 MOSFET, 다이오드 등 다양한 전력 반도체 소자를 설계하며, 이러한 소자를 제작하기 위한 미세 공정 기술 또한 중요합니다. 특히, SiC는 실리콘보다 훨씬 단단하여 공정이 까다롭기 때문에, 각 공정 단계에서의 최적화가 필수적입니다. 또한, 제작된 SiC 소자가 극한의 환경에서도 안정적으로 작동하고 열을 효과적으로 방출할 수 있도록 하는 첨단 패키징 기술의 개발도 필수적입니다. 예를 들어, 고온 및 고전압 환경에 적합한 세라믹 패키징이나 직접 결합 기술 등이 연구되고 있습니다. 이러한 기술들의 발전은 SiC 반도체의 성능 향상과 더불어 생산 비용 절감에도 기여하며, 궁극적으로 SiC 기술의 보급 확대를 촉진할 것입니다. |
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