| ■ 영문 제목 : SiC MOSFET Module Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2408K4233 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 8월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자＆반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC MOSFET 모듈 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC MOSFET 모듈 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC MOSFET 모듈의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC MOSFET 모듈 시장은 공업, 자동차, 의료, 항공 우주, 국방, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC MOSFET 모듈 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC MOSFET 모듈 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC MOSFET 모듈 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC MOSFET 모듈 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 순수 탄화 규소 모듈, 하이브리드 탄화 규소 모듈), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC MOSFET 모듈 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC MOSFET 모듈 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC MOSFET 모듈 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC MOSFET 모듈 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC MOSFET 모듈 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC MOSFET 모듈 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC MOSFET 모듈에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC MOSFET 모듈 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC MOSFET 모듈 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 순수 탄화 규소 모듈, 하이브리드 탄화 규소 모듈
■ 용도별 시장 세그먼트
– 공업, 자동차, 의료, 항공 우주, 국방, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– STMicroelectronics、 ROHM CO.，LTD.、 Starpower、 Wolfspeed、 Infineon Technologies、 ON Semiconductor、 Littelfuse、 Microchip、 Mitsubishi Electric、 GeneSiC Semiconductor Inc.、 Shenzhen BASiC Semiconductor LTD、 Imperix
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC MOSFET 모듈의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장 규모
3 장 : SiC MOSFET 모듈 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC MOSFET 모듈 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC MOSFET 모듈 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 STMicroelectronics、 ROHM CO.，LTD.、 Starpower、 Wolfspeed、 Infineon Technologies、 ON Semiconductor、 Littelfuse、 Microchip、 Mitsubishi Electric、 GeneSiC Semiconductor Inc.、 Shenzhen BASiC Semiconductor LTD、 Imperix STMicroelectronics ROHM CO.，LTD. Starpower 8. 글로벌 SiC MOSFET 모듈 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC MOSFET 모듈 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC MOSFET 모듈 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC MOSFET 모듈 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC MOSFET 모듈 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC MOSFET 모듈 판매량: 2019-2030 - SiC MOSFET 모듈 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 모듈 가격 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 모듈 가격 - 지역별 SiC MOSFET 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 캐나다 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 멕시코 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 유럽 국가별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 프랑스 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 영국 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 이탈리아 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 러시아 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 아시아 지역별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 일본 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 한국 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 동남아시아 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 인도 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 남미 국가별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 아르헨티나 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC MOSFET 모듈 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC MOSFET 모듈 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 이스라엘 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 아랍에미리트 SiC MOSFET 모듈 시장규모 - 글로벌 SiC MOSFET 모듈 생산 능력 - 지역별 SiC MOSFET 모듈 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC MOSFET 모듈 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 모듈은 차세대 전력 반도체 소자인 실리콘 카바이드 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 여러 개 집적하여 하나의 패키지에 담은 제품입니다. 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체에 비해 월등히 뛰어난 전기적 특성을 가지며, 고온, 고전압, 고주파수 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있어 다양한 첨단 산업 분야에서 주목받고 있습니다. SiC는 실리콘에 비해 밴드갭 에너지, 항복 전압, 열전도율이 훨씬 높아 고성능 전력 변환 시스템 구축에 필수적인 소재로 각광받고 있습니다. SiC MOSFET 모듈의 가장 핵심적인 특징은 앞서 언급한 SiC 소재 자체의 우수한 물리화학적 특성에서 비롯됩니다. 첫째, **매우 높은 항복 전압**을 견딜 수 있습니다. 이는 동일한 두께의 절연층으로도 훨씬 높은 전압을 차단할 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 전력 변환 장치의 전압 등급을 높이거나 부품 수를 줄이는 데 기여합니다. 둘째, **낮은 온저항(On-resistance)**을 가집니다. 전력 손실은 주로 소자의 온저항에 의해 발생하는데, SiC MOSFET은 Si MOSFET에 비해 단위 면적당 온저항이 현저히 낮습니다. 이는 스위칭 손실 및 전도 손실을 크게 줄여 에너지 효율을 극대화할 수 있음을 뜻합니다. 셋째, **매우 높은 스위칭 주파수**에서의 작동이 가능합니다. SiC는 높은 전자 이동도를 가지고 있어 빠르게 스위칭할 수 있으며, 이는 전력 변환기의 크기를 줄이고 시스템의 전력 밀도를 높이는 데 유리합니다. 또한, SiC는 **높은 열전도율**을 자랑합니다. 이는 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출시켜 소자의 온도를 낮게 유지하고 신뢰성을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 마지막으로, SiC는 **높은 절연 파괴 강도**를 가지고 있어 고온 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이러한 장점들은 결과적으로 전력 변환 시스템의 효율 향상, 크기 및 무게 감소, 신뢰성 증대라는 실질적인 이점으로 이어집니다. SiC MOSFET 모듈은 다양한 구성으로 제공됩니다. 가장 기본적인 형태는 **단일 SiC MOSFET이 하나의 패키지에 집적된 모듈**입니다. 이는 특정 전력 레벨 및 애플리케이션에 맞춰 개별적으로 사용되거나, 더 높은 전력 용량을 위해 병렬로 연결될 수 있습니다. 다음으로는 **하프 브릿지(Half-bridge) 구성**입니다. 이는 두 개의 SiC MOSFET을 직렬로 연결하여 하나의 모듈로 만든 것으로, 인버터 및 컨버터 회로에서 가장 기본적인 스위칭 블록으로 활용됩니다. 더 나아가 **풀 브릿지(Full-bridge) 구성**은 네 개의 SiC MOSFET을 포함하며, 더욱 복잡한 전력 변환 토폴로지에 사용됩니다. 이 외에도 **다이오드와 MOSFET을 함께 집적한 모듈**이나, **여러 개의 스위칭 소자를 최적의 배치로 통합한 복합 모듈** 등 다양한 형태의 SiC MOSFET 모듈이 개발 및 상용화되고 있습니다. 이러한 다양한 구성은 특정 애플리케이션의 요구사항에 맞춰 최적의 솔루션을 제공할 수 있도록 설계되었습니다. SiC MOSFET 모듈의 활용 분야는 매우 광범위하며, 그 적용 범위는 계속해서 확대되고 있습니다. 가장 대표적인 분야는 **전기차(EV)의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 구동 모터 인버터**입니다. SiC MOSFET 모듈은 기존 Si 기반 소자에 비해 에너지 효율을 크게 향상시켜 전기차의 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 기여합니다. 또한, **태양광 발전 시스템의 인버터**에서도 SiC MOSFET 모듈은 높은 효율과 신뢰성을 바탕으로 태양광 에너지를 전력망으로 효율적으로 변환하는 데 중요한 역할을 합니다. **데이터 센터의 서버 전원 공급 장치(PSU)** 역시 높은 효율과 전력 밀도가 요구되는 분야로, SiC MOSFET 모듈을 적용하여 에너지 소비를 줄이고 장비의 크기를 소형화할 수 있습니다. 이 외에도 **산업용 전원 공급 장치, 전력망 연계 시스템(Grid-tied systems), 항공 우주, 철도 운송** 등 고출력, 고효율, 고신뢰성이 요구되는 거의 모든 전력 전자 분야에서 SiC MOSFET 모듈의 적용이 가속화되고 있습니다. SiC MOSFET 모듈의 성능을 극대화하고 안정적인 작동을 보장하기 위해서는 관련 기술과의 긴밀한 통합이 중요합니다. 첫째, **게이트 드라이버(Gate Driver) 기술**입니다. SiC MOSFET은 기존 Si MOSFET에 비해 더 높은 게이트 전압 범위와 더 빠른 스위칭 속도를 요구하므로, 이에 최적화된 고성능 게이트 드라이버 회로 설계가 필수적입니다. 둘째, **패키징(Packaging) 기술**입니다. 고온, 고전압, 고주파수 환경에서 작동하는 SiC MOSFET 모듈은 열 방출 및 전기적 신호 무결성을 유지하기 위한 첨단 패키징 기술을 요구합니다. 와이어 본딩 대신 버스바나 직접 접합 기술을 사용하거나, 열 방출 성능이 우수한 세라믹 기판 등을 활용하는 것이 일반적입니다. 셋째, **방열(Thermal Management) 기술**입니다. SiC 소자의 높은 열전도율을 효과적으로 활용하고 소자 자체의 온도를 낮게 유지하기 위해서는 고성능 방열판, 열 접합 물질(TIM), 액체 냉각 시스템 등 다양한 방열 솔루션이 요구됩니다. 넷째, **제어 알고리즘(Control Algorithms)**입니다. SiC MOSFET의 빠른 스위칭 특성을 효과적으로 제어하고 전력 변환 효율을 극대화하기 위한 첨단 제어 알고리즘 개발 또한 중요합니다. 이는 스위칭 손실을 최소화하고 전자기 간섭(EMI)을 억제하는 데 기여합니다. 마지막으로 **신뢰성 평가 및 예측 기술**입니다. SiC 소자는 기존 Si 소자와 다른 고장 메커니즘을 가질 수 있으므로, 장기간 안정적인 작동을 보장하기 위한 철저한 신뢰성 시험 및 모델링이 중요합니다. SiC MOSFET 모듈은 미래 전력 전자 기술의 핵심으로서 지속적인 발전을 거듭하고 있습니다. 더 높은 전압 및 전류 용량, 더 낮은 온저항, 더 빠른 스위칭 속도를 갖춘 차세대 SiC MOSFET이 개발되고 있으며, 이를 통합하는 모듈 기술 또한 더욱 발전할 것입니다. 에너지 효율 향상과 친환경 기술에 대한 요구가 증대됨에 따라 SiC MOSFET 모듈의 중요성은 더욱 커질 것이며, 이는 다양한 산업 분야의 혁신을 이끌 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2408K4233) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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