| ■ 영문 제목 : SiC Epitaxy System Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2406B6940 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC 에피택시 시스템 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC 에피택시 시스템 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC 에피택시 시스템의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC 에피택시 시스템 시장은 2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC 에피택시 시스템 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC 에피택시 시스템 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: n형, p형), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC 에피택시 시스템 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC 에피택시 시스템 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC 에피택시 시스템 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC 에피택시 시스템 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC 에피택시 시스템에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC 에피택시 시스템 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC 에피택시 시스템 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– n형, p형
■ 용도별 시장 세그먼트
– 2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Veeco, Tokyo Electron, Aixtron, NuFlare Technology, ASM International, NAURA, Shenzhen Naso Tech, Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC 에피택시 시스템의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장 규모
3 장 : SiC 에피택시 시스템 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC 에피택시 시스템 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC 에피택시 시스템 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Veeco, Tokyo Electron, Aixtron, NuFlare Technology, ASM International, NAURA, Shenzhen Naso Tech, Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical Veeco Tokyo Electron Aixtron 8. 글로벌 SiC 에피택시 시스템 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC 에피택시 시스템 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC 에피택시 시스템 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC 에피택시 시스템 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC 에피택시 시스템 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC 에피택시 시스템 판매량: 2019-2030 - SiC 에피택시 시스템 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 시스템 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 시스템 가격 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 시스템 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 시스템 가격 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 캐나다 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 멕시코 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 유럽 국가별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 프랑스 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 영국 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 이탈리아 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 러시아 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 아시아 지역별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 일본 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 한국 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 동남아시아 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 인도 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 남미 국가별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 아르헨티나 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 에피택시 시스템 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 이스라엘 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 아랍에미리트 SiC 에피택시 시스템 시장규모 - 글로벌 SiC 에피택시 시스템 생산 능력 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC 에피택시 시스템 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC) 에피택시 시스템은 고품질의 실리콘 카바이드 박막을 성장시키는 데 사용되는 핵심 장비입니다. SiC는 뛰어난 전기적, 열적, 기계적 특성을 지니고 있어 차세대 전력 반도체 및 고주파 반도체 분야에서 각광받고 있으며, 이러한 SiC 반도체 소자를 제작하기 위해서는 기판 위에 원하는 특성의 SiC 박막을 정밀하게 증착하는 에피택시 공정이 필수적입니다. SiC 에피택시 시스템은 바로 이 에피택시 공정을 수행하는 전문화된 설비라고 할 수 있습니다. SiC 에피택시 시스템의 가장 기본적인 개념은 바로 ‘에피택시(Epitaxy)’ 자체입니다. 에피택시란 ‘위에서’라는 뜻을 가진 그리스어 ‘epi’와 ‘질서, 배열’을 의미하는 ‘taxis’가 결합된 용어로, 기존의 결정 위에 동일하거나 유사한 결정 구조를 가지는 얇은 막을 성장시키는 기술을 의미합니다. 즉, SiC 에피택시 시스템은 미리 준비된 SiC 웨이퍼 기판 위에 원자 수준의 정밀도로 SiC 결정 격자에 맞는 SiC 원자들을 순차적으로 쌓아 올려 원하는 두께와 특성을 가진 SiC 박막을 형성하는 과정을 수행합니다. 이 과정에서 기판의 결정 구조가 성장하는 박막에 그대로 전달되어, 고품질의 단결정 SiC 박막을 얻을 수 있습니다. SiC 에피택시 시스템이 가지는 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 극한의 고온 공정입니다. SiC 결정 성장은 일반적으로 1,500 ~ 1,700°C의 매우 높은 온도에서 진행됩니다. 따라서 에피택시 시스템은 이러한 고온을 안정적으로 유지하고 제어할 수 있는 특수한 설계와 재료를 요구합니다. 둘째, 고도의 청정 환경이 필수적입니다. 미세한 불순물이나 오염 물질은 성장하는 SiC 결정의 품질을 저하시켜 소자의 성능에 치명적인 영향을 미칠 수 있습니다. 따라서 시스템은 초고순도의 원료 가스를 사용하고, 내부를 완벽하게 제어된 분위기로 유지하는 기술을 갖추어야 합니다. 셋째, 정밀한 공정 제어 능력입니다. 박막의 두께, 도핑 농도, 결정 품질, 표면 거칠기 등 다양한 공정 변수를 나노미터 수준으로 제어해야 합니다. 이를 위해 가스 유량, 온도 분포, 반응 시간 등을 실시간으로 모니터링하고 제어하는 첨단 기술이 적용됩니다. 넷째, 다양한 SiC 결정 구조(폴리타입)를 성장시킬 수 있는 유연성입니다. SiC는 3C, 4H, 6H 등 다양한 결정 구조를 가지며, 각 폴리타입은 서로 다른 전기적 특성을 지닙니다. SiC 에피택시 시스템은 특정 폴리타입의 SiC 박막을 선택적으로 성장시킬 수 있는 기술을 제공해야 합니다. SiC 에피택시 시스템의 주요 분류는 크게 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방식과 물리적기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 방식으로 나눌 수 있습니다. 그러나 SiC 박막 성장에는 주로 화학기상증착 방식이 사용되며, 그중에서도 유기금속화학기상증착(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 방식과 승화기상증착(SS, Sublimation Epitaxy) 방식이 대표적입니다. MOCVD 방식은 휘발성이 높은 유기금속 화합물과 실란(SiH4) 또는 디실란(Si2H6)과 같은 규소 공급원, 그리고 질소(N2) 또는 암모니아(NH3)와 같은 질소 공급원을 기체 상태로 반응로 내에 주입하여 고온의 SiC 기판 표면에서 화학 반응을 통해 SiC 박막을 성장시키는 방법입니다. 이 방식은 비교적 넓은 면적의 웨이퍼에 균일한 박막을 성장시킬 수 있으며, 도핑 농도를 정밀하게 제어하기 용이하다는 장점이 있습니다. 또한, 다양한 폴리타입의 SiC 박막 성장이 가능하고, 높은 결정 품질을 얻기에도 유리하여 상업적으로 가장 널리 사용되는 SiC 에피택시 방식입니다. 주로 고온에서 반응하는 유기금속 전구체들을 안정적으로 공급하고, 반응로 내부의 온도 및 가스 유동을 정밀하게 제어하는 기술이 핵심입니다. 최근에는 고온에서 불안정한 유기금속 전구체를 대체하거나, 더 낮은 온도에서 고품질 SiC 박막을 성장시키기 위한 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 승화기상증착(SS) 방식은 탄화수소 가스를 사용하지 않고, 고순도의 SiC 소스를 고온에서 직접 승화시켜 원자 또는 분자 상태로 만든 후, 이를 SiC 기판 위에 증착시키는 방식입니다. 일반적으로 초고진공 환경 또는 극저압 조건에서 SiC 기판을 매우 높은 온도로 가열하여 SiC 결정 자체를 승화시킨 후, 이를 원자/분자 단위로 제어하여 기판 위에 재결정화시키는 방식으로 진행됩니다. 이 방식은 MOCVD 방식에 비해 유기금속 전구체 사용으로 인한 탄소 불순물 혼입의 가능성이 낮고, 더 높은 결정 품질을 얻을 수 있다는 장점이 있습니다. 특히, 4H-SiC의 (0001) 면에서 고품질 박막 성장이 용이하다고 알려져 있으며, 고온 고전압 스위칭 소자 등에 활용될 수 있는 특수한 SiC 박막을 성장시키는 데 유리한 것으로 평가됩니다. 하지만 넓은 면적 균일성 확보나 도핑 제어 측면에서는 MOCVD 방식에 비해 제약이 있을 수 있으며, 매우 높은 온도와 진공도 유지가 기술적으로 요구됩니다. SiC 에피택시 시스템의 주요 용도는 다음과 같습니다. 첫째, 고성능 전력 반도체 소자 제작입니다. SiC는 실리콘(Si)에 비해 약 10배 높은 항복 전압, 3배 높은 절연 파괴 강도, 2~3배 높은 전자 이동도, 그리고 약 3배 높은 열 전도율을 가지고 있습니다. 이러한 특성 덕분에 SiC는 고전압, 고온, 고주파 환경에서도 저손실, 고효율의 전력 변환이 가능한 파워 디바이스(쇼트키 다이오드, MOSFET 등) 제작에 최적화되어 있습니다. 전기자동차, 신재생 에너지 시스템, 고속철도, 스마트 그리드 등 다양한 분야에서 에너지 효율을 극대화하는 데 필수적인 소재입니다. 둘째, 고주파 및 고온 환경용 전자 소자 개발입니다. SiC의 높은 전자 이동도와 낮은 온도의존성은 고주파 통신 장비, 레이더 시스템, 항공 우주 분야 등 극한 환경에서 사용되는 고성능 RF(Radio Frequency) 소자 및 센서 제작에 활용됩니다. 셋째, 수직형(Vertical) 소자 구조 구현입니다. 수직형 구조는 전류 밀도를 높이고 소자 크기를 줄이는 데 유리한데, SiC 에피택시 시스템은 이러한 수직형 소자 구현을 위한 고품질의 도핑된 SiC 박막을 성장시키는 데 중요한 역할을 합니다. SiC 에피택시 시스템과 관련된 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, 웨이퍼 기반 기술입니다. 고품질의 SiC 에피택시를 위해서는 완벽한 결정 구조와 낮은 표면 거칠기를 가진 SiC 웨이퍼 기판이 필수적입니다. 이를 위한 SiC 결정 성장 및 웨이퍼 가공 기술이 선행되어야 합니다. 둘째, 원료 가스 공급 및 제어 기술입니다. 고순도의 메틸트리메틸실란(MTMS), 트리메틸실란(TMS), 실란(SiH4), 프로판(C3H8), 암모니아(NH3) 등 다양한 전구체 가스를 안정적으로 공급하고 정밀하게 제어하는 기술이 에피택시 공정의 성공을 좌우합니다. 셋째, 반응로 설계 및 온도 균일성 제어 기술입니다. 고온에서 효율적이고 균일한 열 분포를 유지하는 것은 박막의 두께, 도핑, 결정 품질을 일관되게 유지하는 데 매우 중요합니다. 챔버 내부의 가스 유동 패턴, 히터 설계 등이 여기에 포함됩니다. 넷째, 실시간 공정 모니터링 및 제어 기술입니다. 광학 분석(Spectroscopy), 질량 분석기(Mass Spectrometry) 등을 활용하여 반응로 내부의 온도, 압력, 가스 조성, 박막 성장 속도 등을 실시간으로 파악하고 이를 바탕으로 공정을 피드백 제어하는 기술이 요구됩니다. 다섯째, 도핑 제어 기술입니다. 에피택시 과정에서 p형 또는 n형 불순물(예: 질소, 알루미늄, 붕소)을 정밀하게 주입하여 원하는 전기적 특성을 갖는 SiC 박막을 성장시키는 기술이 중요합니다. 마지막으로, 표면 활성화 및 핵 생성 제어 기술입니다. SiC 웨이퍼 표면의 결함을 제거하고 에피택시 성장에 유리한 환경을 조성하는 기술도 고품질 박막 성장에 기여합니다. 결론적으로 SiC 에피택시 시스템은 미래 전자 산업의 핵심 소재인 SiC 반도체 소자 제작에 필수적인 첨단 장비이며, 고온, 고청정, 고정밀 공정을 통해 SiC 기판 위에 고품질의 SiC 박막을 성장시키는 역할을 수행합니다. MOCVD와 SS 방식 등이 대표적이며, 전력 반도체, 고주파 소자 등 다양한 응용 분야에서 그 중요성이 더욱 증대될 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2406B6940) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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