| ■ 영문 제목 : Global SiC Epitaxial Growth Equipment Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C3219 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 산업기기 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC 에피택셜 성장 장치 산업 체인 동향 개요, 신에너지 자동차, 가전, 철도, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC 에피택셜 성장 장치의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC 에피택셜 성장 장치 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC 에피택셜 성장 장치 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC 에피택셜 성장 장치 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC 에피택셜 성장 장치 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : CVD 장치, MOCVD 장치, 기타)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC 에피택셜 성장 장치 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC 에피택셜 성장 장치 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC 에피택셜 성장 장치 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC 에피택셜 성장 장치에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC 에피택셜 성장 장치 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC 에피택셜 성장 장치에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (신에너지 자동차, 가전, 철도, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC 에피택셜 성장 장치과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC 에피택셜 성장 장치 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC 에피택셜 성장 장치 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC 에피택셜 성장 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– CVD 장치, MOCVD 장치, 기타
용도별 시장 세그먼트
– 신에너지 자동차, 가전, 철도, 기타
주요 대상 기업
– AIXTRON, Nuflare, Tokyo Electron Limited, Veeco, AMEC, Samco, Epiluvac, LPE, Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical, NAURA Technology Group, Shenzhen Naso Tech
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC 에피택셜 성장 장치 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC 에피택셜 성장 장치의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC 에피택셜 성장 장치의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC 에피택셜 성장 장치 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC 에피택셜 성장 장치 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC 에피택셜 성장 장치 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC 에피택셜 성장 장치의 산업 체인.
– SiC 에피택셜 성장 장치 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 AIXTRON Nuflare Tokyo Electron Limited ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC 에피택셜 성장 장치 이미지 - 종류별 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC 에피택셜 성장 장치 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC 에피택셜 성장 장치 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택셜 성장 장치 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 - 유럽 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 - 남미 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC 에피택셜 성장 장치 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 에피택셜 성장 장치 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC 에피택셜 성장 장치 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 에피택셜 성장 장치 평균 가격 - 북미 SiC 에피택셜 성장 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택셜 성장 장치 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택셜 성장 장치 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택셜 성장 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC 에피택셜 성장 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택셜 성장 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택셜 성장 장치 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택셜 성장 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC 에피택셜 성장 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택셜 성장 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택셜 성장 장치 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택셜 성장 장치 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC 에피택셜 성장 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택셜 성장 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택셜 성장 장치 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택셜 성장 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택셜 성장 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택셜 성장 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택셜 성장 장치 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택셜 성장 장치 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC 에피택셜 성장 장치 소비 금액 및 성장률 - SiC 에피택셜 성장 장치 시장 성장 요인 - SiC 에피택셜 성장 장치 시장 제약 요인 - SiC 에피택셜 성장 장치 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC 에피택셜 성장 장치의 제조 비용 구조 분석 - SiC 에피택셜 성장 장치의 제조 공정 분석 - SiC 에피택셜 성장 장치 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 SiC 에피택셜 성장 장치는 넓은 밴드갭 반도체 소재인 탄화규소(Silicon Carbide, SiC)의 결정 품질을 높여 고성능 전자 소자 제작에 필수적인 박막을 성장시키는 핵심 장비입니다. 이러한 장치는 SiC 웨이퍼 표면에 특정 결정 구조와 전기적 특성을 갖는 SiC 박막을 균일하고 결함 없이 증착시키는 역할을 수행합니다. SiC 에피택셜 성장 장치의 핵심적인 특징은 다양한 성장 메커니즘을 통해 고품질의 SiC 박막을 구현한다는 점입니다. 가장 대표적인 성장 방식은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방식입니다. CVD 방식은 전구체 가스(Precursor Gas)를 고온의 반응기 내에서 분해시키고, 이 과정에서 생성된 원자 또는 분자들이 SiC 웨이퍼 표면에 증착되어 결정 성장합니다. 이 과정에서 가장 널리 사용되는 전구체 가스로는 트리메틸실란(Trimethylsilane, TMS, (CH₃)₃SiH)과 프로페인(Propane, C₃H₈) 또는 에틸렌(Ethylene, C₂H₄) 등이 있습니다. 이러한 전구체 가스는 고온에서 분해되어 실리콘과 탄소 원자를 공급하며, 이것이 SiC 웨이퍼 표면에서 재결합하여 결정 성장하게 됩니다. CVD 방식의 장점은 공정 제어가 용이하고 다양한 결정 구조(Polytype)의 SiC 박막을 성장시킬 수 있다는 점입니다. 예를 들어, 가장 널리 사용되는 4H-SiC와 6H-SiC 결정 구조를 비롯하여, 질화물이나 금속 유기 화합물 전구체를 사용하여 다양한 조성의 SiC 박막을 성장시키는 것도 가능합니다. SiC 에피택셜 성장 장치는 성장 방식에 따라 몇 가지 종류로 구분될 수 있습니다. 첫째, 수평형 반응기 장비는 반응기 내부가 수평으로 배치되어 있어 웨이퍼 로딩 및 언로딩이 비교적 간편하며, 대량 생산에 유리한 구조입니다. 둘째, 수직형 반응기 장비는 반응기가 수직으로 배치되어 있어 균일한 온도 분포를 유지하는 데 유리하며, 특히 고품질 에피 박막 성장에 적합한 것으로 알려져 있습니다. 또한, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 방식이나 승화 성장(Sublimation Growth) 방식과 같은 다른 성장 기술을 활용하는 장비도 존재합니다. PECVD 방식은 플라즈마를 이용하여 전구체 가스를 분해함으로써 상대적으로 낮은 온도에서도 에피 박막 성장이 가능하며, 이는 특정 응용 분야에서 장점으로 작용할 수 있습니다. 승화 성장 방식은 고온에서 SiC 단결정을 직접 성장시키는 방식이지만, 에피 성장과는 구분되는 개념으로 이해해야 합니다. 에피 성장 장비는 주로 CVD 방식을 기반으로 하되, 특정 공정 조건이나 설계를 통해 고품질 에피층 확보에 중점을 둡니다. SiC 에피택셜 성장 장치의 핵심적인 용도는 고성능 SiC 기반 전자 소자를 제작하는 데 있습니다. 특히, SiC는 실리콘(Si)에 비해 높은 항복 전압, 높은 열 전도성, 높은 전자 이동도 등의 우수한 물성을 가지고 있어 고전력, 고주파, 고온 환경에서 작동하는 전자 소자에 이상적인 소재입니다. 이러한 특성으로 인해 SiC 에피택셜 성장 장치는 고효율 전력 반도체 소자인 쇼트키 다이오드(Schottky Diode), 전력 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 제작에 필수적으로 사용됩니다. 또한, SiC는 높은 대역폭과 낮은 손실 특성을 가져 고주파 통신 장비 및 레이더 시스템 등에서도 중요한 역할을 합니다. 넓은 밴드갭 특성을 활용하여 자외선(UV) 광검출기, 고온 센서 등 특수 응용 분야에서도 SiC 기반 소자가 활용되며, 이러한 소자 제작 역시 SiC 에피택셜 성장 기술에 의존합니다. SiC 에피택셜 성장 장치와 관련된 주요 기술로는 정밀한 온도 제어 기술, 균일한 가스 공급 및 유량 제어 기술, 반응기 내부 압력 제어 기술 등이 있습니다. 에피 박막의 결정 품질과 두께 균일성은 성장 온도에 매우 민감하게 영향을 받기 때문에, 고도의 온도 제어 시스템은 필수적입니다. 또한, 반응기 내부에 공급되는 전구체 가스의 조성, 유량, 압력 등은 에피 성장 속도와 박막의 물성에 직접적인 영향을 미치므로, 정밀한 제어가 요구됩니다. 최근에는 인라인(In-line) 분석 기술을 활용하여 성장 과정을 실시간으로 모니터링하고 피드백 제어를 통해 박막 품질을 최적화하려는 노력도 이루어지고 있습니다. 이러한 기술들은 장비의 성능과 생산성을 결정짓는 중요한 요소이며, 지속적인 연구 개발을 통해 더욱 향상되고 있습니다. 최근에는 SiC 웨이퍼의 크기가 대구경화되면서, 대면적 웨이퍼에서도 균일한 에피층을 성장시키는 기술이 더욱 중요해지고 있습니다. 이는 장비의 설계 및 공정 최적화 측면에서 많은 도전 과제를 제시합니다. 또한, 특정 결정 구조의 SiC 박막을 고품질로 성장시키기 위한 다양한 전구체 조합 및 성장 조건 탐색도 활발히 이루어지고 있습니다. 질소(N₂) 도핑을 통해 n형 SiC 에피층을 성장시키거나, 알루미늄(Al) 또는 질소(N)를 도핑하여 p형 SiC 에피층을 성장시키는 기술은 전력 소자 제작에 있어 매우 중요한 부분입니다. 이러한 도핑 농도와 깊이를 정밀하게 제어하는 기술 역시 에피택셜 성장 장비의 핵심 역량 중 하나입니다. 결론적으로 SiC 에피택셜 성장 장치는 고성능 SiC 반도체 소자 제작의 근간을 이루는 핵심 장비이며, CVD 방식 등을 기반으로 하여 고품질의 SiC 박막을 성장시키는 역할을 합니다. 정밀한 공정 제어 기술과 최적화된 장비 설계를 통해 SiC의 우수한 물성을 최대한 발현시켜 고효율, 고신뢰성의 차세대 전자 소자를 구현하는 데 크게 기여하고 있습니다. 향후 SiC 기술의 발전과 함께 에피택셜 성장 장비 또한 더욱 발전하여 다양한 응용 분야에서 그 중요성이 더욱 커질 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC 에피택셜 성장 장치 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C3219) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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