| ■ 영문 제목 : Global Power GaN Devices Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E42135 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 전원 GaN 장치 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 전원 GaN 장치 산업 체인 동향 개요, IT 및 통신, 자동차, 반도체 및 전자, 공업, 항공 우주 및 방위, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 전원 GaN 장치의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 전원 GaN 장치 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 전원 GaN 장치 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 전원 GaN 장치 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 전원 GaN 장치 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 200V 이하, 200V ~ 600V, 600V 이상)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 전원 GaN 장치 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 전원 GaN 장치 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 전원 GaN 장치 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 전원 GaN 장치에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 전원 GaN 장치 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 전원 GaN 장치에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (IT 및 통신, 자동차, 반도체 및 전자, 공업, 항공 우주 및 방위, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 전원 GaN 장치과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 전원 GaN 장치 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 전원 GaN 장치 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
전원 GaN 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 200V 이하, 200V ~ 600V, 600V 이상
용도별 시장 세그먼트
– IT 및 통신, 자동차, 반도체 및 전자, 공업, 항공 우주 및 방위, 기타
주요 대상 기업
– Efficient Power Conversion Corporation, Fujitsu limited, GaN Power, GaN systems, Infineon Technologies, Navitas Semiconductor, On Semiconductors, Panasonic Corporation, VisIC Technologies
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 전원 GaN 장치 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 전원 GaN 장치의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 전원 GaN 장치의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 전원 GaN 장치 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 전원 GaN 장치 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 전원 GaN 장치 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 전원 GaN 장치의 산업 체인.
– 전원 GaN 장치 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Efficient Power Conversion Corporation Fujitsu limited GaN Power ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 전원 GaN 장치 이미지 - 종류별 세계의 전원 GaN 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 전원 GaN 장치 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 전원 GaN 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 전원 GaN 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 전원 GaN 장치 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 전원 GaN 장치 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 전원 GaN 장치 판매량 (2019-2030) - 세계의 전원 GaN 장치 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 전원 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 전원 GaN 장치 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 전원 GaN 장치 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 전원 GaN 장치 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 전원 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 지역별 전원 GaN 장치 소비 금액 시장 점유율 - 북미 전원 GaN 장치 소비 금액 - 유럽 전원 GaN 장치 소비 금액 - 아시아 태평양 전원 GaN 장치 소비 금액 - 남미 전원 GaN 장치 소비 금액 - 중동 및 아프리카 전원 GaN 장치 소비 금액 - 세계의 종류별 전원 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 전원 GaN 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 전원 GaN 장치 평균 가격 - 세계의 용도별 전원 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 전원 GaN 장치 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 전원 GaN 장치 평균 가격 - 북미 전원 GaN 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 전원 GaN 장치 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 전원 GaN 장치 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 전원 GaN 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 유럽 전원 GaN 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 전원 GaN 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 전원 GaN 장치 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 전원 GaN 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 영국 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 러시아 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 전원 GaN 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 전원 GaN 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 전원 GaN 장치 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 전원 GaN 장치 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 일본 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 한국 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 인도 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 호주 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 남미 전원 GaN 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 전원 GaN 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 전원 GaN 장치 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 전원 GaN 장치 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 전원 GaN 장치 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 전원 GaN 장치 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 전원 GaN 장치 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 전원 GaN 장치 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 이집트 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 전원 GaN 장치 소비 금액 및 성장률 - 전원 GaN 장치 시장 성장 요인 - 전원 GaN 장치 시장 제약 요인 - 전원 GaN 장치 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 전원 GaN 장치의 제조 비용 구조 분석 - 전원 GaN 장치의 제조 공정 분석 - 전원 GaN 장치 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 전원 질화갈륨(GaN) 장치는 차세대 전력 반도체 소자로, 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체 소자의 한계를 극복하고 에너지 효율을 크게 향상시킬 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. GaN 장치는 뛰어난 전자 이동도와 높은 항복 전압 등 우수한 물리적 특성을 바탕으로 고효율, 고밀도, 소형화된 전력 변환 시스템 구현에 핵심적인 역할을 합니다. GaN의 가장 두드러진 특징 중 하나는 실리콘에 비해 전자 이동도가 매우 높다는 점입니다. 이는 같은 전압 강하에서도 더 많은 전류를 흘릴 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 스위칭 속도를 크게 높일 수 있습니다. 높은 스위칭 속도는 스위칭 손실을 줄여 전력 변환 효율을 높이는 데 직접적으로 기여합니다. 또한, GaN은 높은 밴드갭 에너지를 가지고 있어 더 높은 항복 전압을 견딜 수 있습니다. 이는 더 높은 전력 밀도를 가능하게 하며, 동일한 전력 처리 능력을 가진 장치를 더 작고 가볍게 만들 수 있도록 합니다. 이러한 특성들은 GaN 장치가 기존 실리콘 기반 장치로는 구현하기 어려웠던 까다로운 전력 변환 요구 사항을 충족시키는 데 이상적인 선택이 되게 합니다. 예를 들어, 높은 주파수에서의 효율적인 스위칭 능력은 전력 변환기의 크기를 줄이는 데 매우 중요하며, 이는 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 전기 자동차 충전기 등 휴대용 및 소형 전력 장치에서 특히 두드러집니다. GaN 기반 전력 소자의 주요 종류로는 수직형 GaN 소자와 수평형 GaN 소자가 있습니다. 수직형 GaN 소자는 전력 처리에 유리한 구조를 가지며, 높은 항복 전압을 구현하기에 적합합니다. 전력 밀도를 높이는 데 유리한 구조적 특징을 가집니다. 반면에 수평형 GaN 소자는 주로 고주파 애플리케이션에 적합하며, 특히 고주파 통신 장치 및 레이더 시스템 등에서 활용됩니다. 각각의 구조는 특정 애플리케이션의 요구 사항에 따라 최적의 성능을 발휘할 수 있도록 설계됩니다. 이러한 소자들은 일반적으로 트랜지스터 형태로 구현되며, 대표적으로 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)가 있습니다. GaN HEMT는 GaN과 AlGaN(질화알루미늄갈륨)이라는 서로 다른 밴드갭을 가진 두 개의 반도체 물질을 접합하여 형성됩니다. 이 접합부에는 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas) 채널이 형성되며, 이 채널을 통해 높은 이동도를 가진 전자가 흐릅니다. GaN HEMT는 스위칭 특성이 매우 우수하여 전력 효율을 극대화하는 데 중요한 역할을 합니다. GaN 장치의 적용 분야는 매우 광범위합니다. 우선, 스마트폰, 노트북, 태블릿 등의 휴대용 전자기기용 전원 어댑터는 GaN 기술의 가장 성공적인 적용 사례 중 하나입니다. GaN 기반 어댑터는 기존 실리콘 기반 어댑터에 비해 훨씬 작고 가벼우면서도 높은 전력 효율을 제공합니다. 이는 사용자 경험을 크게 향상시키고 휴대성을 증대시킵니다. 또한, 서버 및 데이터 센터용 전력 공급 장치에서도 GaN의 도입이 가속화되고 있습니다. 데이터 센터는 엄청난 양의 전력을 소비하며, 여기서 전력 변환 효율 향상은 운영 비용 절감과 탄소 배출량 감소에 직접적으로 기여합니다. GaN 장치는 이러한 환경에서 전력 손실을 최소화하여 에너지 효율을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. 전기 자동차(EV) 산업 역시 GaN 기술의 주요 적용처입니다. 전기 자동차의 배터리 충전기, 차량 내 전력 변환 장치(DC-DC 컨버터, 온보드 충전기 등)에서 GaN은 더 높은 효율과 더 작은 부피, 더 가벼운 무게를 가능하게 하여 차량의 주행 거리 연장 및 연비 개선에 기여합니다. 또한, 산업용 전력 공급 장치, 태양광 발전 시스템의 인버터, 통신 장비의 전력 증폭기 등 고출력 및 고효율이 요구되는 다양한 분야에서도 GaN 장치가 활발하게 연구 및 적용되고 있습니다. GaN 장치의 성능을 극대화하고 상용화를 촉진하기 위한 관련 기술들도 다양하게 발전하고 있습니다. 그중 하나는 GaN 소자의 제조 공정 기술입니다. GaN은 실리콘에 비해 다루기 어려운 재료이기 때문에, 고품질의 GaN 박막을 성장시키고 고성능의 소자를 제작하는 데는 첨단 기술이 필요합니다. 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 기판, 탄화규소(SiC) 기판 등 다양한 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술이 개발되고 있으며, 각 기판은 고유의 장단점을 가지고 있습니다. 또한, GaN과 AlGaN의 계면 특성을 제어하여 2차원 전자 가스 채널의 성능을 최적화하는 기술, 그리고 소자의 신뢰성을 높이기 위한 패키징 기술도 중요한 연구 분야입니다. GaN 소자를 효율적으로 구동하기 위한 드라이버 회로 설계 기술 또한 필수적입니다. GaN 소자는 높은 스위칭 속도를 가지므로, 이를 제대로 제어하기 위해서는 고속으로 동작하는 게이트 드라이버가 필요합니다. 또한, GaN 소자는 종종 높은 게이트 전압을 요구하거나, 누설 전류 특성이 실리콘 소자와 달라 이에 대한 고려가 필요합니다. 마지막으로, GaN 장치 자체의 성능뿐만 아니라, GaN 장치를 사용하여 전체 전력 변환 시스템을 설계하고 최적화하는 시스템 레벨의 기술 또한 중요합니다. 예를 들어, 고주파 동작에 따른 EMI(전자기 간섭) 문제를 해결하고, 열 관리를 효과적으로 수행하며, 시스템의 전반적인 효율을 높이는 설계 기술 등이 이에 해당합니다. 요약하자면, 전원 GaN 장치는 뛰어난 전자 이동도와 높은 항복 전압을 바탕으로 고효율, 고밀도, 소형화된 전력 변환 시스템 구현에 필수적인 기술입니다. 휴대용 전자기기, 데이터 센터, 전기 자동차 등 다양한 산업 분야에서 기존의 실리콘 기반 소자를 대체하며 에너지 효율을 혁신적으로 개선하고 있습니다. 이러한 장치의 발전은 첨단 제조 공정 기술, 소자 설계 기술, 그리고 시스템 레벨의 최적화 기술과 함께 이루어지고 있으며, 앞으로도 지속적인 연구 개발을 통해 더욱 다양한 분야에서 활용될 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 전원 GaN 장치 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2407E42135) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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