| ■ 영문 제목 : MRAM Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2406B6437 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, MRAM 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 MRAM 시장을 대상으로 합니다. 또한 MRAM의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 MRAM 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. MRAM 시장은 항공 우주, 자동차, 공장 자동화, 기업용 스토리지, IoT, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 MRAM 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 MRAM 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
MRAM 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 MRAM 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 MRAM 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 토글 MRAM, STT-MRAM), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 MRAM 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 MRAM 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 MRAM 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 MRAM 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 MRAM 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 MRAM 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 MRAM에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 MRAM 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
MRAM 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 토글 MRAM, STT-MRAM
■ 용도별 시장 세그먼트
– 항공 우주, 자동차, 공장 자동화, 기업용 스토리지, IoT, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 MRAM 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Everspin Technologies, Avalanche Technology, Honeywell, Renesas, Crocus Nano Electronics, Samsung Electronics, Cobham, NVE Corporation
[주요 챕터의 개요]
1 장 : MRAM의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 MRAM 시장 규모
3 장 : MRAM 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 MRAM 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 MRAM 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 MRAM 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Everspin Technologies, Avalanche Technology, Honeywell, Renesas, Crocus Nano Electronics, Samsung Electronics, Cobham, NVE Corporation Everspin Technologies Avalanche Technology Honeywell 8. 글로벌 MRAM 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. MRAM 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 MRAM 세그먼트, 2023년 - 용도별 MRAM 세그먼트, 2023년 - 글로벌 MRAM 시장 개요, 2023년 - 글로벌 MRAM 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 MRAM 매출, 2019-2030 - 글로벌 MRAM 판매량: 2019-2030 - MRAM 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 MRAM 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 MRAM 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 MRAM 가격 - 글로벌 용도별 MRAM 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 MRAM 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 MRAM 가격 - 지역별 MRAM 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 MRAM 매출 시장 점유율 - 지역별 MRAM 매출 시장 점유율 - 지역별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 MRAM 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 미국 MRAM 시장규모 - 캐나다 MRAM 시장규모 - 멕시코 MRAM 시장규모 - 유럽 국가별 MRAM 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 독일 MRAM 시장규모 - 프랑스 MRAM 시장규모 - 영국 MRAM 시장규모 - 이탈리아 MRAM 시장규모 - 러시아 MRAM 시장규모 - 아시아 지역별 MRAM 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 중국 MRAM 시장규모 - 일본 MRAM 시장규모 - 한국 MRAM 시장규모 - 동남아시아 MRAM 시장규모 - 인도 MRAM 시장규모 - 남미 국가별 MRAM 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 브라질 MRAM 시장규모 - 아르헨티나 MRAM 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 MRAM 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 터키 MRAM 시장규모 - 이스라엘 MRAM 시장규모 - 사우디 아라비아 MRAM 시장규모 - 아랍에미리트 MRAM 시장규모 - 글로벌 MRAM 생산 능력 - 지역별 MRAM 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - MRAM 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory)의 이해 자기저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM)는 비휘발성 메모리의 한 종류로, 자기 저항 효과를 이용하여 데이터를 저장합니다. 이는 기존의 DRAM이나 플래시 메모리와는 근본적으로 다른 작동 방식을 가지며, 독특한 장점과 잠재력을 지니고 있습니다. MRAM은 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터를 잃지 않는 비휘발성이라는 특성을 유지하면서도, DRAM과 유사한 빠른 액세스 속도와 무한에 가까운 쓰기 수명을 제공하는 것을 목표로 개발되었습니다. 이러한 특징들은 MRAM을 차세대 메모리 기술로서 주목받게 하는 핵심적인 이유입니다. MRAM의 가장 기본적인 개념은 자기의 방향성을 이용하여 데이터를 저장하는 것입니다. 이를 위해 MRAM 소자는 크게 두 개의 자기 터널 장벽(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)이라는 핵심 구조를 포함합니다. MTJ는 두 개의 강자성체(ferromagnetic material) 층 사이에 얇은 절연체 층이 끼워진 형태입니다. 이 두 강자성체 층 중 하나는 외부 자기장에 의해 방향이 쉽게 바뀌는 자유층(free layer)이고, 다른 하나는 외부 자기장에 영향을 받지 않고 고정된 방향을 유지하는 참조층(reference layer)입니다. 데이터는 자유층의 자기 방향이 참조층의 자기 방향과 같은 방향(동방향, parallel)을 이루는지, 아니면 반대 방향(반방향, antiparallel)을 이루는지에 따라 결정됩니다. 이 두 가지 상태는 각각 '0'과 '1'과 같은 이진 데이터를 나타냅니다. 이러한 자기 상태를 읽어내기 위해, MRAM은 MTJ에 전류를 흘려보냅니다. 이때, 두 강자성체 층의 자기 방향이 동방향일 때와 반방향일 때 절연체 층을 통과하는 전자들의 저항 값이 달라집니다. 이러한 저항 값의 차이를 이용하여 저장된 데이터(자기 방향)를 읽어내는 것이 바로 자기 저항 효과입니다. MRAM은 다양한 종류로 발전해 왔으며, 각각의 기술은 자기 저항 효과를 구현하는 방식과 성능 측면에서 차이를 보입니다. 초기 MRAM 기술로는 **스핀 전달 토크(Spin-Transfer Torque, STT) MRAM**이 대표적입니다. STT-MRAM은 MTJ에 흐르는 전자의 스핀 각운동량(spin angular momentum)을 이용하여 자유층의 자기 방향을 변화시키는 방식입니다. 즉, 전자가 가지는 스핀의 방향 에너지가 자유층에 전달되어 자기 방향을 전환시키는 원리입니다. STT-MRAM은 기존 MRAM 방식에 비해 낮은 전류로 동작할 수 있으며, 집적도를 높이는 데 유리하여 상용화에 가장 먼저 다가선 기술 중 하나입니다. STT-MRAM 외에도 **스핀 궤도 토크(Spin-Orbit Torque, SOT) MRAM**과 같은 차세대 기술도 연구 및 개발되고 있습니다. SOT-MRAM은 금속층에 전류를 흘려보내 스핀 각운동량을 생성하고, 이 스핀 각운동량이 MTJ의 자유층에 전달되어 자기 방향을 바꾸는 방식입니다. SOT-MRAM은 STT-MRAM보다 더 빠른 스위칭 속도와 더 낮은 에너지 소비를 제공할 수 있는 잠재력을 가지고 있어 미래의 고성능 MRAM 기술로 주목받고 있습니다. 또한, 자기 저항 효과 자체를 증대시키기 위한 연구도 활발히 진행되고 있으며, 이는 MTJ 구조의 재료 선택 및 설계 최적화를 통해 이루어집니다. MRAM의 가장 큰 특징이자 강점은 **비휘발성**, **고속 액세스**, **고내구성**이라는 세 가지 측면에서 찾을 수 있습니다. 먼저, **비휘발성**은 앞서 언급했듯이 전원이 차단되어도 데이터가 사라지지 않는 특성입니다. 이는 스마트폰, IoT 기기, 자동차 전장 시스템 등 상시 데이터 보존이 필수적인 응용 분야에 매우 적합합니다. 특히, 전력 공급이 불안정하거나 배터리 수명이 중요한 시스템에서는 큰 장점으로 작용합니다. 둘째, **고속 액세스**입니다. MRAM은 DRAM과 유사하게 비트 단위로 데이터를 읽고 쓸 수 있으며, 플래시 메모리에 비해 훨씬 빠른 액세스 속도를 제공합니다. 이는 CPU와 같은 고성능 프로세서의 캐시 메모리나 시스템 메모리 등으로 활용될 수 있는 가능성을 열어줍니다. 기존의 비휘발성 메모리가 속도와 비휘발성 특성 사이에서 절충해야 했던 문제를 MRAM은 상당 부분 해결할 수 있습니다. 셋째, **고내구성**입니다. MRAM은 자기 상태를 변화시키는 방식으로 동작하기 때문에, 전하를 저장하고 이동시키는 기존의 플래시 메모리와 같이 셀의 물리적인 마모가 발생하지 않습니다. 따라서 MRAM은 이론적으로 무한에 가까운 쓰기/지우기 수명을 가질 수 있습니다. 이는 빈번한 데이터 쓰기가 필요한 임베디드 시스템이나 센서 데이터 로깅과 같은 애플리케이션에 이상적인 솔루션을 제공합니다. 이러한 고유한 장점들 덕분에 MRAM은 다양한 용도로 활용될 잠재력을 지니고 있습니다. **임베디드 시스템**에서는 마이크로컨트롤러, 스마트 카드, 전력 관리 장치 등에 적용되어 빠른 부팅 속도와 데이터를 항상 보존해야 하는 기능을 지원할 수 있습니다. **자동차 전장 시스템**에서는 인포테인먼트 시스템, ADAS(첨단 운전자 지원 시스템) 등에서 고속 데이터 처리 및 비휘발성 데이터 저장이 요구되는 부분에 활용될 수 있습니다. 또한, **데이터 센터**에서는 SSD의 DRAM 캐싱이나 시스템 메모리 증설 등 고성능 스토리지 솔루션으로의 적용을 기대해 볼 수 있습니다. MRAM 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 이와 관련된 여러 **관련 기술**들이 동반 성장을 이루고 있습니다. **반도체 공정 기술**의 발전은 MRAM 소자의 미세화, 집적도 향상, 그리고 생산 비용 절감에 필수적입니다. 특히, 고품질의 MTJ 구조를 안정적으로 제작하기 위한 박막 증착 기술, 식각 기술 등이 중요합니다. 또한, **재료 과학** 분야에서도 스핀 효과를 극대화할 수 있는 새로운 자기 재료 및 절연 재료의 개발이 MRAM 성능 향상의 핵심입니다. 예를 들어, 터널 장벽의 두께를 줄여 터널링 확률을 높이거나, 자기 이방성을 향상시켜 안정성을 높이는 연구가 진행되고 있습니다. **자기 저항 효과의 증대**를 위한 노력도 계속되고 있습니다. 이는 MTJ 구조 내에서 자기 방향이 다를 때의 저항 차이를 더 크게 만드는 것으로, 데이터 읽기 신호를 증폭시켜 오류율을 낮추고 전력 효율을 높이는 데 기여합니다. 또한, **저전력 설계 기술**은 MRAM의 핵심 장점인 저전력 특성을 더욱 강화하는 데 중요하며, 이는 특히 배터리로 구동되는 모바일 기기나 IoT 장치에서 필수적입니다. 현재 MRAM 시장은STT-MRAM을 중심으로 상용화가 진행되고 있으며, 기술 성숙도와 가격 경쟁력을 확보함에 따라 점차 그 적용 범위가 확대될 것으로 예상됩니다. DRAM과 플래시 메모리의 단점을 보완하고 이들의 장점을 통합하는 새로운 메모리 패러다임을 제시하는 MRAM은 미래 반도체 산업의 중요한 한 축을 담당할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 MRAM 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2406B6437) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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