| ■ 영문 제목 : Global Silicon Carbide MOSFET Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1490 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 105 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 실리콘 카바이드 MOSFET의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 실리콘 카바이드 MOSFET 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 실리콘 카바이드 MOSFET 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 실리콘 카바이드 MOSFET 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (N 채널, 듀얼 N 채널, 쿼드 N 채널, 식스 N 채널) 시장규모와 용도별 (자동차 산업, 산업용 모터, 스마트 그리드, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장분석 - 종류별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 (N 채널, 듀얼 N 채널, 쿼드 N 채널, 식스 N 채널) - 용도별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 (자동차 산업, 산업용 모터, 스마트 그리드, 기타) 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장분석 - 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 판매량 - 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 매출액 - 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 판매가격 - 주요기업의 실리콘 카바이드 MOSFET 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 판매량 2020년-2025년 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 미주의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 미국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 캐나다 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 멕시코 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 브라질 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 중국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 일본 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 한국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 동남아시아 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 인도 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 유럽의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 독일 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 프랑스 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 영국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 이집트 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 남아프리카 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 중동GCC 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 제조원가 구조 분석 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 제조 프로세스 분석 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 유통업체 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 주요 고객 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장 예측 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 종류별 시장예측 (N 채널, 듀얼 N 채널, 쿼드 N 채널, 식스 N 채널) - 실리콘 카바이드 MOSFET의 용도별 시장예측 (자동차 산업, 산업용 모터, 스마트 그리드, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Infineon, IXYS, Littelfuse, Microchip, ON Semiconductor, ROHM, STMicroelectronics, Toshiba, UnitedSiC, Wolfspeed 조사의 결과/결론 |
Silicon carbide MOSFETs have the characteristics of low on-resistance and small switching losses, which can reduce device losses and improve system efficiency, and are more suitable for high-frequency circuits. It is widely used in the fields of new energy vehicle motor controller, vehicle power supply, solar inverter, charging pile, UPS, PFC power supply and other fields.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Silicon Carbide MOSFET Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Silicon Carbide MOSFET sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Silicon Carbide MOSFET sales for 2025 through 2031. With Silicon Carbide MOSFET sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Silicon Carbide MOSFET industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Silicon Carbide MOSFET landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Silicon Carbide MOSFET portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Silicon Carbide MOSFET market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Silicon Carbide MOSFET and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Silicon Carbide MOSFET.
The global Silicon Carbide MOSFET market size is projected to grow from US$ 414.2 million in 2024 to US$ 1291.1 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 1291.1 from 2025 to 2031.
Global key players of SiC MOSFETs include Wolfspeed, Infineon Technologies, STMicroelectronics, ROHM etc. The top three manufacturers hold 52% of the market. Europe is the largest market, has a share about over 74%, followed by APAC and North America, with share 18% and 6%, separately.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Silicon Carbide MOSFET market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
N Channel
Dual N Channel
Quad N Channel
Six N Channel
Segmentation by application
Automobile Industry
Industrial Motor
Smart Grid
Other
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Infineon
IXYS
Littelfuse
Microchip
ON Semiconductor
ROHM
STMicroelectronics
Toshiba
UnitedSiC
Wolfspeed
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Silicon Carbide MOSFET market?
What factors are driving Silicon Carbide MOSFET market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Silicon Carbide MOSFET market opportunities vary by end market size?
How does Silicon Carbide MOSFET break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 실리콘 카바이드 MOSFET: 차세대 전력 반도체의 가능성 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) MOSFET은 기존의 실리콘(Si) 기반 MOSFET의 한계를 극복하기 위해 등장한 차세대 전력 반도체 소자입니다. 실리콘 카바이드라는 독특한 소재의 특성을 활용하여 높은 전압, 높은 전류, 높은 온도 환경에서도 뛰어난 성능을 발휘하는 것이 특징입니다. 이는 기존 실리콘 소자로는 구현하기 어려웠던 고효율, 고밀도 전력 변환 시스템의 구현을 가능하게 하며, 전기 자동차, 신재생 에너지, 산업용 전력 시스템 등 다양한 분야에서 혁신을 이끌 잠재력을 가지고 있습니다. 실리콘 카바이드(SiC)는 탄소와 규소가 결합된 화합물 반도체로, 다이아몬드와 유사한 결정 구조를 가지고 있습니다. 이러한 결정 구조는 SiC에 탁월한 물리적, 전기적 특성을 부여합니다. 첫째, SiC는 실리콘에 비해 약 3배 높은 절연 파괴 강도(Breakdown Electric Field)를 가집니다. 이는 동일한 전압을 견디기 위해 훨씬 얇은 절연층을 사용할 수 있음을 의미하며, 결과적으로 소자의 온 저항(On-resistance)을 낮추고 전력 손실을 줄이는 데 기여합니다. 둘째, SiC는 실리콘보다 약 3배 높은 열 전도율(Thermal Conductivity)을 자랑합니다. 이는 소자 내부에서 발생하는 열을 효율적으로 외부로 방출하여 소자의 과열을 방지하고 고온에서의 안정적인 작동을 가능하게 합니다. 셋째, SiC는 실리콘보다 약 10배 넓은 밴드갭 에너지(Bandgap Energy)를 가지고 있습니다. 넓은 밴드갭은 전자와 정공이 전기장에 의해 쉽게 여기되지 못하게 하여 고온에서도 누설 전류가 적고 높은 신뢰성을 보장합니다. 또한, SiC는 실리콘에 비해 높은 전자 이동도(Electron Mobility)를 가지므로 스위칭 속도가 빠르다는 장점도 있습니다. 이러한 SiC의 우수한 특성은 SiC MOSFET이 기존 Si MOSFET 대비 여러 가지 장점을 가질 수 있도록 합니다. 가장 두드러진 장점 중 하나는 낮은 온 저항입니다. SiC MOSFET은 동일한 전압 정격에서 Si MOSFET보다 훨씬 낮은 온 저항을 가질 수 있습니다. 온 저항이 낮다는 것은 소자가 켜져 있을 때 전류가 흐르면서 발생하는 전력 손실(I²R 손실)이 적다는 것을 의미합니다. 이는 곧 전력 변환 효율의 향상으로 직결됩니다. 또한, 낮은 온 저항은 발열량 감소로 이어져 별도의 대규모 방열 설계를 줄일 수 있게 합니다. 둘째, SiC MOSFET은 더 높은 스위칭 주파수에서 작동할 수 있습니다. SiC 소재 자체의 빠른 전자 이동도와 낮은 게이트 전하량(Gate Charge)은 스위칭 손실을 줄여주어 더 높은 주파수로 스위칭을 가능하게 합니다. 높은 스위칭 주파수는 전력 변환 회로에서 사용되는 수동 소자(인덕터, 커패시터)의 크기를 줄일 수 있도록 하여 전력 변환 장치의 전체적인 부피와 무게를 감소시키는 데 기여합니다. 이는 특히 휴대용 전자기기나 전기 자동차와 같이 공간 및 무게 제약이 중요한 애플리케이션에서 큰 이점을 제공합니다. 셋째, SiC MOSFET은 더 높은 작동 온도를 견딜 수 있습니다. SiC의 넓은 밴드갭과 높은 열 전도율 덕분에 SiC MOSFET은 실리콘 기반 소자보다 훨씬 높은 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 이는 복잡한 냉각 시스템의 필요성을 줄여 시스템의 전체적인 효율성과 신뢰성을 높일 수 있습니다. 예를 들어, 전기 자동차의 파워트레인이나 산업용 모터 드라이브와 같이 열악한 환경에서 작동하는 시스템에 매우 유리합니다. 넷째, SiC MOSFET은 더 높은 전압을 견딜 수 있습니다. SiC의 높은 절연 파괴 강도는 동일한 두께의 절연층으로 훨씬 높은 전압을 처리할 수 있도록 합니다. 이는 기존에는 실리콘 기반의 복잡하고 비효율적인 고전압 스위칭 소자를 사용해야 했던 애플리케이션에서도 SiC MOSFET을 사용할 수 있게 함을 의미합니다. 예를 들어, 고전압 직류(HVDC) 송전 시스템이나 고출력 태양광 인버터 등에 적용 가능합니다. SiC MOSFET은 기본적으로 MOSFET의 작동 원리를 따르지만, 그 구조와 재료 측면에서 여러 가지 특징적인 설계가 적용됩니다. SiC 웨이퍼는 일반적으로 실리콘 웨이퍼보다 훨씬 비싸기 때문에, 최대한 효율적으로 SiC 소재를 활용하여 저온 저항을 달성하는 것이 중요합니다. 이를 위해 다양한 구조적 접근 방식이 연구 및 개발되어 왔습니다. 가장 일반적인 구조는 평면형(Planar) 구조와 수직형(Vertical) 구조입니다. 최근에는 더 높은 성능과 효율을 위해 trench 구조 등이 연구되고 있습니다. SiC MOSFET의 종류는 주로 P형 채널(p-channel)과 N형 채널(n-channel)로 나눌 수 있습니다. 현재 시장에서 주로 사용되는 것은 N형 채널 SiC MOSFET입니다. 이는 N형 채널이 P형 채널보다 일반적으로 높은 전자 이동도를 가져 더 낮은 온 저항을 달성하기 쉽기 때문입니다. 또한, SiC MOSFET은 전압 정격, 전류 용량, 패키지 형태 등에 따라 다양한 제품 라인업이 존재합니다. 예를 들어, 4H-SiC가 상업적으로 가장 널리 사용되는 결정 구조이며, 1200V, 1700V, 3.3kV 등 다양한 전압 등급의 제품이 출시되어 있습니다. SiC MOSFET의 용도는 매우 광범위합니다. 전기 자동차(EV) 분야에서는 배터리 관리 시스템(BMS), 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 그리고 모터 드라이브 등에서 기존 실리콘 IGBT나 MOSFET을 대체하며 시스템 효율을 크게 향상시키고 있습니다. 높은 전력 밀도와 효율은 전기 자동차의 주행 거리 연장과 충전 시간 단축에 직접적으로 기여합니다. 신재생 에너지 분야에서도 SiC MOSFET은 핵심적인 역할을 수행합니다. 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 전력 컨버터 등에서 고효율, 고신뢰성 전력 변환을 가능하게 하여 발전량 증대와 시스템 운영 비용 절감에 기여합니다. 특히, 그리드 연결 지점에서 발생하는 전력 손실을 줄이는 데 중요한 역할을 합니다. 산업용 전력 시스템에서도 SiC MOSFET의 활용이 증가하고 있습니다. 산업용 모터 드라이브, 서보 드라이브, UPS(무정전 전원 장치), 전력 공급 장치(SMPS) 등에서 에너지 효율을 높이고 장치의 크기를 줄이는 데 활용됩니다. 또한, 고온이나 고전압 환경에서 작동해야 하는 특수 산업 장비에도 적용될 수 있습니다. 데이터 센터의 전력 공급 장치(PSU) 또한 SiC MOSFET의 주요 적용 분야 중 하나입니다. 고효율 전력 공급은 데이터 센터의 운영 비용을 절감하고 전력 소비를 줄이는 데 필수적이며, SiC MOSFET은 이러한 요구 사항을 충족시키는 데 기여합니다. SiC MOSFET 기술과 관련된 주요 기술로는 소자 설계 및 제조 공정 기술, 게이트 구동 회로 설계, 패키징 기술 등이 있습니다. SiC 소자는 높은 전압을 견뎌야 하므로 소자의 구조 설계가 매우 중요하며, 특히 계면 특성 개선, 결정 결함 감소, 전극 설계 최적화 등이 요구됩니다. 게이트 구동 회로는 SiC MOSFET을 빠르고 안정적으로 스위칭하기 위해 높은 전류와 빠른 응답 속도를 요구하며, 이는 기존 Si MOSFET용 구동 회로와는 다른 설계가 필요합니다. 패키징 기술 역시 SiC 소자의 뛰어난 성능을 최대한 발휘하기 위해 높은 열 방출 능력과 전기적 특성을 유지할 수 있는 기술이 중요합니다. 결론적으로, 실리콘 카바이드 MOSFET은 차세대 전력 반도체로서 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 성능을 제공합니다. 낮은 온 저항, 높은 스위칭 속도, 높은 작동 온도, 그리고 높은 전압 내성과 같은 뛰어난 특성들은 전기 자동차, 신재생 에너지, 산업용 전력 시스템 등 다양한 분야에서 에너지 효율을 극대화하고 시스템의 성능을 향상시키는 데 결정적인 역할을 할 것으로 기대됩니다. 지속적인 기술 발전과 생산 비용 절감을 통해 SiC MOSFET은 앞으로 더욱 폭넓은 분야에서 핵심적인 역할을 수행하며 미래 전력 전자 기술의 발전을 선도할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 실리콘 카바이드 MOSFET 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1490) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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