| ■ 영문 제목 : Global Si PIN Photodiode Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1466 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 104 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 SiPIN 포토 다이오드의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 SiPIN 포토 다이오드 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 SiPIN 포토 다이오드 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 SiPIN 포토 다이오드의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (파장: 900-1000nm, 파장: 800-900nm)와 용도별 시장규모 (광섬유 통신, 고속 측광, 바이올렛 레이저 검출, 의료 기기, 단일 지점 레이저 진동계) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 시장분석 - 종류별 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 (파장: 900-1000nm, 파장: 800-900nm) - 용도별 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 (광섬유 통신, 고속 측광, 바이올렛 레이저 검출, 의료 기기, 단일 지점 레이저 진동계) 기업별 SiPIN 포토 다이오드 시장분석 - 기업별 SiPIN 포토 다이오드 판매량 - 기업별 SiPIN 포토 다이오드 매출액 - 기업별 SiPIN 포토 다이오드 판매가격 - 주요기업의 SiPIN 포토 다이오드 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 판매량 2020년-2025년 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 미주의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 미국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 캐나다 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 멕시코 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 브라질 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 아시아의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 중국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 일본 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 한국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 동남아시아 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 인도 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 유럽의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 독일 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 프랑스 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 영국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 이집트 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 남아프리카 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 중동GCC SiPIN 포토 다이오드 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - SiPIN 포토 다이오드의 제조원가 구조 분석 - SiPIN 포토 다이오드의 제조 프로세스 분석 - SiPIN 포토 다이오드의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - SiPIN 포토 다이오드의 유통업체 - SiPIN 포토 다이오드의 주요 고객 지역별 SiPIN 포토 다이오드 시장 예측 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - SiPIN 포토 다이오드의 종류별 시장예측 (파장: 900-1000nm, 파장: 800-900nm) - SiPIN 포토 다이오드의 용도별 시장예측 (광섬유 통신, 고속 측광, 바이올렛 레이저 검출, 의료 기기, 단일 지점 레이저 진동계) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Laser Components GmbH, Thorlabs, Hamamatsu, Vishay Intertechnology, Osram Opto Semiconductors, Vishay Semiconductors, First Sensor, Excelitas Technologies, Luna Optoelectronics, OSI Optoelectronics Ltd, Advanced Photonix 조사의 결론 |
Silicon Photodiodes Are Made From Either “N” Type Or, “P” Type Silicon Wafers And Fabricated Using Standard Semiconductor Processing Techniques
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Si PIN Photodiode Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Si PIN Photodiode sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Si PIN Photodiode sales for 2025 through 2031. With Si PIN Photodiode sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Si PIN Photodiode industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Si PIN Photodiode landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Si PIN Photodiode portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Si PIN Photodiode market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Si PIN Photodiode and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Si PIN Photodiode.
The global Si PIN Photodiode market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Si PIN Photodiode is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Si PIN Photodiode is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Si PIN Photodiode is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Si PIN Photodiode players cover Laser Components GmbH, Thorlabs, Hamamatsu, Vishay Intertechnology, Osram Opto Semiconductors, Vishay Semiconductors, First Sensor, Excelitas Technologies and Luna Optoelectronics, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Si PIN Photodiode market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Wavelength is 900-1000nm
Wavelength is 800-900nm
Segmentation by application
Optical Fiber Communication
High-speed Photometry
Violet Laser Detection
Medical Equipment
Single-Point Laser Vibrometers
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Laser Components GmbH
Thorlabs
Hamamatsu
Vishay Intertechnology
Osram Opto Semiconductors
Vishay Semiconductors
First Sensor
Excelitas Technologies
Luna Optoelectronics
OSI Optoelectronics Ltd
Advanced Photonix
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Si PIN Photodiode market?
What factors are driving Si PIN Photodiode market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Si PIN Photodiode market opportunities vary by end market size?
How does Si PIN Photodiode break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 **Si PIN 포토다이오드: 빛을 전기 신호로 바꾸는 핵심 소자** Si PIN 포토다이오드는 광통신, 센싱, 이미징 등 다양한 분야에서 빛 신호를 전기 신호로 변환하는 데 필수적인 반도체 소자입니다. 이름에서 알 수 있듯이, 이 소자는 실리콘(Si)을 기반으로 하며, 고유(Intrinsic) 혹은 희미한 불순물을 가진 중간층을 양극성(p-type)과 음극성(n-type)의 반도체층 사이에 삽입한 구조를 특징으로 합니다. 이러한 독특한 구조는 Si PIN 포토다이오드가 넓은 파장 범위에서 높은 감도와 빠른 응답 속도를 갖도록 하여, 다양한 응용 분야에서 탁월한 성능을 발휘하게 합니다. **Si PIN 포토다이오드의 기본 개념 및 구조** Si PIN 포토다이오드의 핵심은 이름에도 명시된 'PIN' 구조입니다. 이는 순수한 실리콘 또는 매우 낮은 농도의 불순물을 가진 'I' (Intrinsic) 영역이 'P' (p-type) 영역과 'N' (n-type) 영역 사이에 삽입된 형태를 말합니다. P형 반도체는 정공(hole)이 다수 캐리어이고, N형 반도체는 전자가 다수 캐리어입니다. 이 두 반도체를 직접 접합하면 PN 접합이 형성되며, 여기서 전위 장벽이 생겨 전자가 N에서 P로, 정공이 P에서 N으로 이동하는 것을 막습니다. 하지만 PIN 구조에서는 이 PN 접합 사이에 상대적으로 두꺼운 I 영역이 존재합니다. 이 I 영역은 불순물이 매우 적어 거의 순수한 반도체와 유사한 특성을 가집니다. 외부에서 역방향 전압을 가하면, 이 I 영역은 넓은 공핍 영역(depletion region)을 형성하게 됩니다. 공핍 영역이란 전자를 운반할 수 있는 자유 캐리어가 거의 없는 영역을 의미합니다. Si PIN 포토다이오드의 작동 원리는 다음과 같습니다. 외부에서 빛이 소자에 조사되면, 이 빛은 I 영역에서 흡수됩니다. 빛의 에너지(광자)는 반도체 내의 전자-정공 쌍을 생성합니다. 이렇게 생성된 전자와 정공은 I 영역에 형성된 넓은 공핍 영역 내의 강한 전기장에 의해 분리됩니다. 전자는 N 영역으로, 정공은 P 영역으로 빠르게 이동하게 되며, 이러한 캐리어의 이동은 외부 회로에 전류의 형태로 감지됩니다. 이 전류의 크기는 조사된 빛의 강도에 비례하므로, 우리는 빛의 세기를 측정할 수 있게 됩니다. I 영역의 존재는 Si PIN 포토다이오드의 성능에 결정적인 영향을 미칩니다. 첫째, 넓은 공핍 영역은 빛 흡수율을 높여 포토다이오드의 감도를 향상시킵니다. 빛이 I 영역 내에서 더 오래 머물면서 더 많은 전자-정공 쌍을 생성할 수 있기 때문입니다. 둘째, 넓은 공핍 영역은 캐리어 이동 거리를 늘려 포토다이오드의 응답 속도를 빠르게 합니다. 생성된 캐리어들이 전기장에 의해 빠르게 가속되어 외부 회로로 도달하기 때문입니다. 또한, I 영역은 PN 접합의 캐패시턴스를 감소시키는 효과도 있어, 이는 빠른 응답 속도에 더욱 기여합니다. **주요 특징 및 장점** Si PIN 포토다이오드는 다음과 같은 여러 가지 뛰어난 특징을 가지고 있어 광전자공학 분야에서 폭넓게 활용됩니다. * **높은 감도:** I 영역의 넓은 공핍 영역 덕분에 많은 양의 빛을 효율적으로 흡수하여 높은 감도를 제공합니다. 이는 약한 광 신호를 감지해야 하는 응용 분야에서 매우 중요합니다. * **넓은 파장 응답 범위:** 실리콘은 약 400nm에서 1100nm까지의 가시광선 및 근적외선 영역에서 비교적 균일한 흡수 특성을 보입니다. 따라서 Si PIN 포토다이오드는 이 넓은 파장 범위에 걸쳐 효과적으로 작동할 수 있습니다. 특정 파장에 최적화된 구조를 설계하여 응답 특성을 조절하기도 합니다. * **빠른 응답 속도:** I 영역 덕분에 공핍 영역이 넓고, 이는 캐리어의 이동 거리를 증가시키고 캐패시턴스를 낮춥니다. 결과적으로 Si PIN 포토다이오드는 나노초(ns) 또는 피코초(ps) 단위의 매우 빠른 응답 속도를 가질 수 있어 고속 데이터 통신이나 빠른 변화를 감지하는 데 적합합니다. * **낮은 암전류 (Dark Current):** 암전류는 빛이 없을 때도 소자에서 흐르는 작은 전류를 의미하며, 이는 측정의 정확성을 저해할 수 있습니다. Si PIN 포토다이오드는 최적화된 공정 기술을 통해 매우 낮은 암전류를 달성하여 신호 대 잡음비(SNR)를 높이는 데 기여합니다. * **높은 선형성:** 일반적으로 조사되는 빛의 강도에 대해 출력 전류가 선형적으로 비례하는 특성을 보여, 정밀한 광량 측정이 가능합니다. * **우수한 안정성 및 신뢰성:** 실리콘은 반도체 소재 중에서도 화학적으로 안정하고 기계적인 강도가 뛰어나, 다양한 환경 조건에서도 안정적으로 작동하며 긴 수명을 보장합니다. * **낮은 제조 비용:** 실리콘은 대량 생산이 용이하고 상대적으로 저렴한 소재이기 때문에, Si PIN 포토다이오드는 다른 종류의 포토다이오드에 비해 경제적인 가격으로 생산될 수 있습니다. 이는 대규모 응용 분야에서 큰 이점으로 작용합니다. **Si PIN 포토다이오드의 종류** Si PIN 포토다이오드는 구조적 특징이나 성능 목표에 따라 다양한 형태로 분류될 수 있습니다. 몇 가지 주요 유형을 살펴보겠습니다. * **평면형 (Planar) 포토다이오드:** 가장 기본적인 구조로, 실리콘 웨이퍼 위에 평평하게 제작됩니다. 제조 공정이 비교적 간단하고 비용 효율적입니다. * **고속 (High-speed) 포토다이오드:** 빠른 응답 속도를 위해 구조적 최적화가 이루어진 제품입니다. 예를 들어, I 영역의 두께를 얇게 하거나, 캐리어 이동 효율을 높이기 위한 설계를 적용합니다. 광통신 시스템이나 레이더 시스템 등에 활용됩니다. * **넓은 면적 (Large Area) 포토다이오드:** 더 많은 빛을 포집하기 위해 넓은 감광 면적을 가진 포토다이오드입니다. 이미징 센서나 의료 기기 등에서 사용될 수 있습니다. * **광섬유 결합형 포토다이오드:** 광섬유와의 효율적인 결합을 위해 특수 패키징이 적용된 제품입니다. 광통신 모듈 등에 사용됩니다. * **전기장 효과 (Field Effect) 포토다이오드:** 특정 전기장 효과를 활용하여 응답 특성을 개선하거나 새로운 기능을 추가한 형태도 있습니다. 이 외에도 응용 분야의 특정 요구 사항을 충족하기 위해 표면 처리, 반사 방지 코팅, 패키징 방식 등 다양한 설계 변형이 존재합니다. **주요 응용 분야** Si PIN 포토다이오드의 뛰어난 성능과 경제성은 수많은 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하게 합니다. * **광통신:** 광통신 시스템에서 빛 신호를 전기 신호로 변환하는 수광기(receiver)의 핵심 부품으로 사용됩니다. 고속의 데이터 전송을 지원하기 위해 빠른 응답 속도가 매우 중요합니다. 인터넷 데이터 센터, 광통신 네트워크 등에서 광범위하게 사용됩니다. * **광센서 및 측정:** 거리 측정, 속도 감지, 근접 감지, 수준 감지 등 다양한 광 센싱 애플리케이션에 활용됩니다. 예를 들어, 레이저 거리 측정기, 자동차의 자동 변속기 센서, 산업용 자동화 시스템 등에 적용됩니다. * **이미징 시스템:** 디지털 카메라, 스캐너, 바코드 리더기, 의료 영상 장비 등에서 빛을 감지하여 이미지를 생성하는 데 사용됩니다. 특히, 높은 감도와 빠른 스캔 속도가 요구되는 분야에서 중요한 역할을 합니다. * **의료 기기:** 혈중 산소 포화도 측정기(맥박 산소 측정기), 혈당 측정기 등에서 빛을 감지하여 생체 신호를 분석하는 데 사용됩니다. 비침습적인 측정이 가능하게 하는 핵심 부품입니다. * **산업 자동화 및 제어:** 컨베이어 벨트에서의 제품 감지, 로봇 비전 시스템, 제조 공정의 품질 검사 등 다양한 산업 자동화 분야에서 위치, 존재 여부, 색상 등을 감지하는 데 사용됩니다. * **과학 연구:** 분광학, 현미경, 천문학 등 다양한 과학 연구 분야에서 빛의 강도를 측정하거나 신호를 분석하는 데 사용됩니다. * **보안 시스템:** 움직임 감지 센서, 레이저 기반의 보안 시스템 등에서도 활용됩니다. **관련 기술 및 발전 방향** Si PIN 포토다이오드 분야는 지속적인 기술 발전과 함께 더욱 발전하고 있습니다. * **고감도 및 저잡음 기술:** 더 미세한 빛 신호를 감지하기 위해 암전류를 더욱 줄이고 내부 잡음을 최소화하는 공정 기술 개발이 중요합니다. 이를 위해 새로운 반도체 공정 기술 및 소재 연구가 진행되고 있습니다. * **고속화 기술:** 테라헤르츠(THz) 대역의 광통신이나 극초단 레이저 신호를 처리하기 위해 수십 기가헤르츠(GHz) 이상의 응답 속도를 갖는 포토다이오드 개발이 진행 중입니다. 이를 위해 I 영역의 최적화 및 전극 구조 개선 연구가 활발히 이루어지고 있습니다. * **광대역화 및 특정 파장 최적화:** 다양한 파장 영역에서 동시에 높은 성능을 발휘하거나, 특정 응용 분야에 맞게 특정 파장에서의 감도를 극대화하는 기술이 연구되고 있습니다. * **집적화 기술:** 실리콘 포토닉스(Silicon Photonics) 기술과 결합하여 포토다이오드를 광 회로 내에 직접 집적하는 연구가 활발합니다. 이는 광학 모듈의 크기를 줄이고 성능을 향상시키는 데 기여합니다. 포토다이오드 어레이(array) 기술 또한 이미징 센서의 성능 향상에 중요한 역할을 합니다. * **패키징 및 모듈 기술:** 고성능 포토다이오드를 효율적으로 사용하기 위한 광섬유 인터페이스, 전기적 인터페이스 및 열 관리 기술 등 패키징 및 모듈 기술의 발전도 중요합니다. 결론적으로, Si PIN 포토다이오드는 단순한 부품을 넘어 현대 사회의 정보통신, 자동화, 의료, 과학 연구 등 거의 모든 첨단 기술 분야의 발전을 뒷받침하는 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 지속적인 연구 개발을 통해 그 성능과 적용 범위는 더욱 확장될 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiPIN 포토 다이오드 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1466) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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