| ■ 영문 제목 : Global Semiconductor Strain Gages Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1377 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 77 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 반도체 스트레인 게이지의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 반도체 스트레인 게이지 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 반도체 스트레인 게이지 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 반도체 스트레인 게이지 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 반도체 스트레인 게이지의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (집적 반도체 스트레인 게이지, 박막 반도체 스트레인 게이지, 확산 반도체 스트레인 게이지, 에피택셜 반도체 스트레인 게이지)와 용도별 시장규모 (산업용 계측 및 제어, 량 기기, 항공 우주, 크레인, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 반도체 스트레인 게이지 시장분석 - 종류별 반도체 스트레인 게이지 시장규모 2020년-2025년 (집적 반도체 스트레인 게이지, 박막 반도체 스트레인 게이지, 확산 반도체 스트레인 게이지, 에피택셜 반도체 스트레인 게이지) - 용도별 반도체 스트레인 게이지 시장규모 2020년-2025년 (산업용 계측 및 제어, 량 기기, 항공 우주, 크레인, 기타) 기업별 반도체 스트레인 게이지 시장분석 - 기업별 반도체 스트레인 게이지 판매량 - 기업별 반도체 스트레인 게이지 매출액 - 기업별 반도체 스트레인 게이지 판매가격 - 주요기업의 반도체 스트레인 게이지 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 반도체 스트레인 게이지 판매량 2020년-2025년 - 지역별 반도체 스트레인 게이지 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 종류별 - 미주의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 용도별 - 미국 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 캐나다 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 멕시코 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 브라질 반도체 스트레인 게이지 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 종류별 - 아시아의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 용도별 - 중국 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 일본 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 한국 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 동남아시아 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 인도 반도체 스트레인 게이지 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 종류별 - 유럽의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 용도별 - 독일 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 프랑스 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 영국 반도체 스트레인 게이지 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 반도체 스트레인 게이지 시장규모 : 용도별 - 이집트 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 남아프리카 반도체 스트레인 게이지 시장규모 - 중동GCC 반도체 스트레인 게이지 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 반도체 스트레인 게이지의 제조원가 구조 분석 - 반도체 스트레인 게이지의 제조 프로세스 분석 - 반도체 스트레인 게이지의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 반도체 스트레인 게이지의 유통업체 - 반도체 스트레인 게이지의 주요 고객 지역별 반도체 스트레인 게이지 시장 예측 - 지역별 반도체 스트레인 게이지 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 반도체 스트레인 게이지의 종류별 시장예측 (집적 반도체 스트레인 게이지, 박막 반도체 스트레인 게이지, 확산 반도체 스트레인 게이지, 에피택셜 반도체 스트레인 게이지) - 반도체 스트레인 게이지의 용도별 시장예측 (산업용 계측 및 제어, 량 기기, 항공 우주, 크레인, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - BCM Sensor, Micron Instruments, Kyowa, HT Sensor 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Semiconductor Strain Gages Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Semiconductor Strain Gages sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Semiconductor Strain Gages sales for 2025 through 2031. With Semiconductor Strain Gages sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Semiconductor Strain Gages industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Semiconductor Strain Gages landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Semiconductor Strain Gages portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Semiconductor Strain Gages market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Semiconductor Strain Gages and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Semiconductor Strain Gages.
The global Semiconductor Strain Gages market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Semiconductor Strain Gages is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Semiconductor Strain Gages is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Semiconductor Strain Gages is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Semiconductor Strain Gages players cover BCM Sensor, Micron Instruments, Kyowa and HT Sensor, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Semiconductor Strain Gages market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Integrated Semiconductor Strain Gauge
Thin Film Semiconductor Strain Gauge
Diffusion Semiconductor Strain Gauge
Epitaxial Semiconductor Strain Gauge
Segmentation by application
Industrial Measurement & Control
Weighing Equipment
Aerospace
Cranes
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
BCM Sensor
Micron Instruments
Kyowa
HT Sensor
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Semiconductor Strain Gages market?
What factors are driving Semiconductor Strain Gages market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Semiconductor Strain Gages market opportunities vary by end market size?
How does Semiconductor Strain Gages break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 반도체 스트레인 게이지는 외부의 힘이나 변형에 의해 발생하는 미세한 길이 변화를 전기적 신호로 변환하는 센서입니다. 이러한 스트레인 게이지는 금속 스트레인 게이지와 유사한 원리로 작동하지만, 그 구성 재료와 전기적 특성에서 근본적인 차이를 보이며, 이를 통해 더욱 향상된 성능과 다양한 응용 가능성을 제공합니다. 반도체 스트레인 게이지의 핵심적인 개념은 ‘피에조저항 효과(Piezoresistive Effect)’입니다. 피에조저항 효과란 반도체 재료에 기계적인 변형이 가해졌을 때 전기 저항이 변하는 현상을 말합니다. 반도체 결정 구조 내의 전하 운반자의 농도나 이동도가 변형에 의해 영향을 받기 때문에, 외부 변형은 곧 전기 저항의 변화로 나타나게 되는 것입니다. 이러한 전기 저항의 변화량은 변형량에 비례하는 경향을 보이므로, 이를 측정함으로써 변형의 크기를 파악할 수 있습니다. 반도체 스트레인 게이지의 가장 두드러진 특징 중 하나는 높은 감도입니다. 금속 스트레인 게이지의 감도를 나타내는 게이지 팩터(Gauge Factor, GF)가 일반적으로 2 내외인 반면, 반도체 스트레인 게이지는 실리콘 기반의 경우 수십에서 수백에 이르는 매우 높은 게이지 팩터를 가집니다. 이는 동일한 변형량에 대해 훨씬 더 큰 전기적 신호를 발생시킨다는 것을 의미하며, 미세한 변형이나 저하중 조건에서도 정확한 측정이 가능하도록 합니다. 이러한 높은 감도는 센서의 민감도를 높여 더욱 정밀한 측정 시스템 구축을 가능하게 합니다. 두 번째 특징으로는 작은 크기와 높은 집적도를 들 수 있습니다. 반도체 공정을 기반으로 제작되기 때문에 매우 작고 얇게 만들 수 있으며, 여러 개의 스트레인 게이지를 하나의 칩에 집적하는 것도 용이합니다. 이러한 특징은 공간 제약이 있는 시스템이나 복잡한 측정 환경에 적용하는 데 유리하며, 소형화 및 경량화를 요구하는 전자 기기나 의료 장비 등 다양한 분야에서 활용될 수 있습니다. 세 번째로는 반도체 재료의 선택에 따라 다양한 특성을 구현할 수 있다는 점입니다. 주로 실리콘(Si)이 사용되지만, 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 등 다른 반도체 재료들도 연구 및 활용되고 있습니다. 특히 실리콘은 도핑 농도, 결정 방향, 온도 등에 따라 피에조저항 효과의 크기나 방향성을 조절할 수 있어, 특정 응용에 최적화된 게이지 설계를 가능하게 합니다. 또한, 실리콘은 비교적 저렴하고 가공이 용이하며, 실리콘 기반의 MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems) 기술과의 호환성이 뛰어나다는 장점을 가집니다. 네 번째 특징은 넓은 측정 범위와 비선형성이 상대적으로 적다는 점입니다. 물론 재료의 종류나 구조에 따라 달라질 수 있지만, 잘 설계된 반도체 스트레인 게이지는 상당한 변형 범위에서도 비교적 선형적인 응답을 보여주며, 이는 정밀한 데이터 해석에 기여합니다. 반도체 스트레인 게이지의 종류는 주로 사용되는 반도체 재료와 그 구조에 따라 구분할 수 있습니다. 가장 보편적으로 사용되는 것은 **실리콘 스트레인 게이지**입니다. 실리콘 스트레인 게이지는 다시 모체 재료에 따라 **벌크 실리콘 스트레인 게이지**와 **박막 실리콘 스트레인 게이지**로 나눌 수 있습니다. 벌크 실리콘 스트레인 게이지는 실리콘 웨이퍼 자체를 가공하여 제작되는 반면, 박막 실리콘 스트레인 게이지는 절연 기판 위에 실리콘 박막을 증착하여 제작됩니다. 박막 실리콘 스트레인 게이지는 더욱 얇고 유연하게 제작될 수 있으며, 다양한 기판 재료와의 접합이 용이하다는 장점이 있습니다. 재료의 도핑 종류에 따라서도 구분될 수 있습니다. 주로 n형 실리콘과 p형 실리콘이 사용되며, 각기 다른 변형 방향에 대해 민감도가 다르게 나타날 수 있습니다. 예를 들어, 특정 결정 방향으로 도핑된 실리콘은 특정 방향의 변형에 대해 더 높은 감도를 보이도록 설계될 수 있습니다. 또한, 스트레인 게이지의 형태에 따라 다양한 종류가 있습니다. 가장 기본적인 형태는 단축 스트레인 게이지이며, 두 축 방향의 변형을 동시에 측정할 수 있는 복합 스트레인 게이지나 로제트 스트레인 게이지 등도 있습니다. 이러한 복합적인 형태의 게이지는 복잡한 응력 분포를 분석하는 데 유용합니다. 반도체 스트레인 게이지의 용도는 매우 광범위하며, 높은 감도와 소형화 특성을 바탕으로 다양한 분야에 적용됩니다. 대표적인 용도 중 하나는 **압력 센서**입니다. 다이어프램과 같은 변형 가능한 막에 반도체 스트레인 게이지를 부착하여, 가해지는 압력에 의해 발생하는 막의 변형을 측정하고 이를 압력 값으로 변환합니다. 이러한 압력 센서는 자동차 엔진 제어, 항공기 고도 측정, 산업 설비 모니터링 등 다양한 분야에서 사용됩니다. **가속도 센서**나 **진동 센서**로도 활용됩니다. 질량에 연결된 스프링 시스템에 반도체 스트레인 게이지를 부착하여, 외부 가속도에 의해 발생하는 스프링의 변형을 측정함으로써 가속도나 진동을 감지할 수 있습니다. 이는 스마트폰, 웨어러블 기기, 차량의 안전 시스템, 구조물 건전성 모니터링 등에 사용됩니다. **변위 센서**나 **힘 센서**로도 응용됩니다. 물체의 변위나 가해지는 힘에 의해 발생하는 구조물의 변형을 스트레인 게이지로 감지하여 측정하는 방식입니다. 산업용 로봇, 정밀 기계, 실험 장비 등에서 정밀한 위치나 힘 제어를 위해 사용될 수 있습니다. 또한, **의료 분야**에서도 그 활용도가 높습니다. 인체 내 혈압 측정, 수술용 로봇의 힘 제어, 재활 기기의 움직임 감지 등에 소형의 반도체 스트레인 게이지가 사용되어 정밀하고 비침습적인 측정을 가능하게 합니다. 이 외에도 자동차 산업의 타이어 압력 모니터링, 항공 우주 분야의 구조물 변형 감지, 토목 분야의 교량이나 댐의 안전성 감시 등 다양한 분야에서 반도체 스트레인 게이지의 적용이 확대되고 있습니다. 반도체 스트레인 게이지와 관련된 주요 기술로는 **MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems) 기술**이 있습니다. MEMS 기술은 반도체 공정 기술을 이용하여 마이크로 수준의 기계 부품과 전자 회로를 집적하는 기술로, 이를 통해 반도체 스트레인 게이지를 더욱 정밀하고 작게 제작할 수 있습니다. 또한, 다양한 센서와 함께 하나의 칩에 집적하여 복합적인 기능을 수행하는 스마트 센서 개발에도 기여하고 있습니다. **재료 과학 및 공학** 분야의 발전 또한 반도체 스트레인 게이지의 성능 향상에 중요한 역할을 합니다. 새로운 반도체 재료의 개발, 도핑 기술의 발전, 박막 증착 및 패터닝 기술의 고도화 등을 통해 스트레인 게이지의 감도, 선형성, 안정성 등을 향상시킬 수 있습니다. 예를 들어, 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 신소재는 고온 환경에서도 안정적인 성능을 보여주어 극한 환경에서의 응용 가능성을 높입니다. **신호 처리 기술** 또한 반도체 스트레인 게이지의 활용도를 높이는 중요한 요소입니다. 반도체 스트레인 게이지에서 출력되는 미세한 전기적 신호는 노이즈가 포함되기 쉬우므로, 효과적인 필터링 및 증폭 회로, 그리고 정밀한 신호 처리 알고리즘을 통해 정확한 데이터를 얻어내는 것이 중요합니다. 또한, 온도 변화에 따른 오프셋(offset)이나 민감도 변화를 보정하기 위한 온도 보상 회로 설계 기술도 중요한 관련 기술입니다. 최근에는 사물 인터넷(IoT) 기술의 발달과 함께 더욱 많은 센서들이 네트워크로 연결되고 있으며, 이러한 추세 속에서 소형, 저전력, 고성능의 반도체 스트레인 게이지의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 또한, 인공지능(AI) 기술과의 접목을 통해 센서 데이터를 분석하고 예측하는 시스템 구축도 활발히 이루어지고 있습니다. 요약하자면, 반도체 스트레인 게이지는 피에조저항 효과를 이용하여 변형을 전기 신호로 변환하는 센서로서, 높은 감도, 작은 크기, 다양한 재료 특성 구현 등의 장점을 가지고 있습니다. 압력, 가속도, 진동, 변위, 힘 등 다양한 물리량을 측정하는 데 활용되며, MEMS 기술, 재료 과학, 신호 처리 기술 등과 밀접하게 연관되어 지속적인 발전을 이루고 있습니다. 그 응용 분야는 산업 전반에 걸쳐 확대되고 있으며, 미래의 첨단 기술 발전에 중요한 기여를 할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 반도체 스트레인 게이지 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1377) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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