| ■ 영문 제목 : Global Semicon Etching Agents Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU0440 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 113 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 화학&재료 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 반도체 에칭제의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 반도체 에칭제 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 반도체 에칭제 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 반도체 에칭제 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 반도체 에칭제의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (불산, 질산, 염산, 인산, 황산, 기타)와 용도별 시장규모 (집적회로 제조, 웨이퍼 제조, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 반도체 에칭제 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 반도체 에칭제 시장분석 - 종류별 반도체 에칭제 시장규모 2020년-2025년 (불산, 질산, 염산, 인산, 황산, 기타) - 용도별 반도체 에칭제 시장규모 2020년-2025년 (집적회로 제조, 웨이퍼 제조, 기타) 기업별 반도체 에칭제 시장분석 - 기업별 반도체 에칭제 판매량 - 기업별 반도체 에칭제 매출액 - 기업별 반도체 에칭제 판매가격 - 주요기업의 반도체 에칭제 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 반도체 에칭제 판매량 2020년-2025년 - 지역별 반도체 에칭제 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 반도체 에칭제 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 반도체 에칭제 시장규모 : 종류별 - 미주의 반도체 에칭제 시장규모 : 용도별 - 미국 반도체 에칭제 시장규모 - 캐나다 반도체 에칭제 시장규모 - 멕시코 반도체 에칭제 시장규모 - 브라질 반도체 에칭제 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 반도체 에칭제 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 반도체 에칭제 시장규모 : 종류별 - 아시아의 반도체 에칭제 시장규모 : 용도별 - 중국 반도체 에칭제 시장규모 - 일본 반도체 에칭제 시장규모 - 한국 반도체 에칭제 시장규모 - 동남아시아 반도체 에칭제 시장규모 - 인도 반도체 에칭제 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 반도체 에칭제 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 반도체 에칭제 시장규모 : 종류별 - 유럽의 반도체 에칭제 시장규모 : 용도별 - 독일 반도체 에칭제 시장규모 - 프랑스 반도체 에칭제 시장규모 - 영국 반도체 에칭제 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 반도체 에칭제 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 반도체 에칭제 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 반도체 에칭제 시장규모 : 용도별 - 이집트 반도체 에칭제 시장규모 - 남아프리카 반도체 에칭제 시장규모 - 중동GCC 반도체 에칭제 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 반도체 에칭제의 제조원가 구조 분석 - 반도체 에칭제의 제조 프로세스 분석 - 반도체 에칭제의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 반도체 에칭제의 유통업체 - 반도체 에칭제의 주요 고객 지역별 반도체 에칭제 시장 예측 - 지역별 반도체 에칭제 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 반도체 에칭제의 종류별 시장예측 (불산, 질산, 염산, 인산, 황산, 기타) - 반도체 에칭제의 용도별 시장예측 (집적회로 제조, 웨이퍼 제조, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - BASF, ADEKA Corporation, Daikin Global, Arkema, Ashland, Sumitomo Chemical, Mitsubishi Chemical, FUJIFILM Corporation, Greenda Chemical, Honeywell, Kanto Chemical, LG Chem, Solvay, TOKYO OHKA KOGYO, Wako Pure Chemical, Yingpeng Group, NIHON KAGAKU SANGYO, Zeon 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Semicon Etching Agents Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Semicon Etching Agents sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Semicon Etching Agents sales for 2025 through 2031. With Semicon Etching Agents sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Semicon Etching Agents industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Semicon Etching Agents landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Semicon Etching Agents portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Semicon Etching Agents market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Semicon Etching Agents and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Semicon Etching Agents.
The global Semicon Etching Agents market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Semicon Etching Agents is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Semicon Etching Agents is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Semicon Etching Agents is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Semicon Etching Agents players cover BASF, ADEKA Corporation, Daikin Global, Arkema, Ashland, Sumitomo Chemical, Mitsubishi Chemical, FUJIFILM Corporation and Greenda Chemical, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Semicon Etching Agents market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
by Acids
Hydrofluoric Acid
Nitric Acid
Hydrochloric Acid
Phosphoric Acid
Sulfuric Acid
Other
by Alkali
Ammonia
Sodium Hydroxide
Potassium Hydroxide
Other
Segmentation by application
Integrated Circuit Manufacturing
Wafer Manufacturing
Other
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
BASF
ADEKA Corporation
Daikin Global
Arkema
Ashland
Sumitomo Chemical
Mitsubishi Chemical
FUJIFILM Corporation
Greenda Chemical
Honeywell
Kanto Chemical
LG Chem
Solvay
TOKYO OHKA KOGYO
Wako Pure Chemical
Yingpeng Group
NIHON KAGAKU SANGYO
Zeon
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Semicon Etching Agents market?
What factors are driving Semicon Etching Agents market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Semicon Etching Agents market opportunities vary by end market size?
How does Semicon Etching Agents break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 반도체 에칭제: 미세 회로를 조각하는 정밀 화학 물질 반도체 산업은 현대 문명의 근간을 이루는 핵심 기술이며, 그 발전의 중심에는 ‘에칭(Etching)’이라는 공정이 자리 잡고 있습니다. 에칭은 웨이퍼 표면에 형성된 감광막(Photoresist) 패턴을 따라 불필요한 부분을 제거하여 미세한 회로를 구현하는 핵심적인 역할을 수행합니다. 이 과정에서 사용되는 화학 물질을 ‘반도체 에칭제(Semiconductor Etching Agents)’라고 합니다. 반도체 에칭제는 극도로 정밀하고 복잡한 반도체 집적 회로(IC)를 만들기 위한 필수적인 소재로서, 그 종류와 특성, 그리고 적용 기술은 반도체의 성능과 생산성을 결정짓는 중요한 요소입니다. 반도체 에칭제의 가장 기본적인 개념은 특정 물질을 선택적으로 제거하는 화학적 또는 물리적 과정을 매개하는 물질이라는 것입니다. 반도체 제조 공정에서는 실리콘(Si), 금속, 절연막 등 다양한 물질로 이루어진 박막을 사용하는데, 에칭제는 이 중 원하는 박막만을 정확하고 균일하게 제거하는 역할을 수행합니다. 이러한 선택성은 에칭 공정의 성공을 좌우하는 가장 중요한 요소이며, 에칭제의 화학적 조성과 물리적 특성이 이에 결정적인 영향을 미칩니다. 에칭제의 주요 특징으로는 다음과 같은 점들을 들 수 있습니다. 첫째, **높은 선택성(Selectivity)**입니다. 에칭제는 패턴을 형성하는 감광막이나 기판 물질(예: 실리콘 웨이퍼)은 손상시키지 않으면서, 제거해야 할 박막(예: 산화막, 질화막, 금속 박막)만을 효과적으로 제거해야 합니다. 예를 들어, 실리콘 산화막(SiO2)을 제거하는 에칭제는 실리콘 기판이나 실리콘 질화막(Si3N4)에는 거의 반응하지 않아야 합니다. 이러한 높은 선택성은 미세한 회로 패턴을 왜곡 없이 구현하는 데 필수적입니다. 둘째, **높은 식각 속도(Etch Rate)**입니다. 생산성 향상을 위해 에칭 공정은 가능한 한 빠르게 진행되어야 합니다. 따라서 에칭제는 원하는 속도로 박막을 제거할 수 있어야 합니다. 그러나 식각 속도가 너무 빠르면 선택성이 저하되거나 공정 제어가 어려워질 수 있으므로, 적절한 균형이 중요합니다. 셋째, **우수한 균일성(Uniformity)**입니다. 웨이퍼 전체에 걸쳐 에칭이 균일하게 이루어져야 최종 반도체 소자의 성능 편차가 줄어듭니다. 에칭제의 조성, 증착 방식, 압력, 온도 등 공정 변수들이 에칭 균일성에 큰 영향을 미칩니다. 넷째, **등방성(Isotropy) 또는 비등방성(Anisotropy)**입니다. 등방성 에칭은 수직 방향뿐만 아니라 수평 방향으로도 동일하게 식각이 진행되어 둥근 형태의 측벽을 만듭니다. 반면 비등방성 에칭은 주로 수직 방향으로만 식각이 진행되어 수직에 가까운 측벽을 형성합니다. 현대 반도체 공정에서는 수직적인 미세 패턴 형성이 중요하므로, 높은 비등방성을 갖는 에칭 공정이 주로 사용됩니다. 반도체 에칭제는 크게 두 가지 방식으로 분류할 수 있습니다. 첫 번째는 **습식 에칭제(Wet Etching Agents)**입니다. 습식 에칭은 액체 상태의 화학 용액을 사용하여 에칭하는 방식으로, 주로 산(acid), 염기(base), 산화제(oxidizer) 등의 화학 물질이 사용됩니다. 과거에는 습식 에칭이 주로 사용되었으며, 특정 물질에 대한 높은 선택성을 가지는 장점이 있습니다. 하지만 습식 에칭은 등방성으로 식각되는 경향이 강해 미세 패턴 구현에 한계가 있으며, 화학 용액의 폐기물 처리 문제도 발생할 수 있습니다. 대표적인 습식 에칭제로는 불산(HF, Hydrofluoric acid)이 있으며, 실리콘 산화막을 제거하는 데 널리 사용됩니다. 또한 질산(HNO3)과 불산의 혼합 용액은 금속을 제거하는 데 사용되기도 합니다. 두 번째는 **건식 에칭제(Dry Etching Agents)**입니다. 건식 에칭은 플라즈마(plasma) 상태의 반응성 가스나 이온 빔을 이용하여 에칭하는 방식으로, 현대 반도체 공정에서 가장 중요한 에칭 기술입니다. 건식 에칭은 습식 에칭에 비해 비등방성 식각이 가능하여 수직적인 미세 회로 패턴 형성에 매우 유리합니다. 또한, 에칭 속도 및 선택성 제어가 용이하며, 폐수 발생량이 적다는 장점이 있습니다. 건식 에칭에 사용되는 에칭제는 다양한 기체 화합물로 구성됩니다. 건식 에칭제는 주로 사용되는 반응성 가스에 따라 다음과 같이 구분할 수 있습니다. * **불소계(Fluorine-based) 에칭제:** 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 에칭하는 데 사용됩니다. 대표적으로 사불화탄소($CF_4$), 삼불화메탄($CHF_3$), 육불화에탄($C_2F_6$), 사불화규소($SiF_4$) 등이 있습니다. 이러한 불소계 가스는 플라즈마 상태에서 분해되어 활성 불소 라디칼(F radical)을 형성하며, 이 라디칼들이 웨이퍼 표면의 물질과 반응하여 휘발성 부산물을 생성함으로써 에칭이 진행됩니다. 예를 들어, 실리콘 산화막 에칭에는 $CF_4$, $C_2F_6$ 등이 주로 사용되며, 실리콘 에칭에는 $SF_6$ 등이 효과적입니다. * **염소계(Chlorine-based) 에칭제:** 금속 박막, 특히 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 배선 형성에 주로 사용됩니다. 대표적으로 염소($Cl_2$), 사염화탄소($CCl_4$), 삼염화인($PCl_3$) 등이 사용됩니다. 염소계 에칭제는 플라즈마 상태에서 염소 라디칼을 형성하며, 이들이 금속과 반응하여 휘발성 염화물을 생성하여 에칭합니다. 금속 에칭은 낮은 증착 온도와 높은 선택성이 요구되므로 염소계 에칭제가 중요하게 사용됩니다. * **탄소계(Carbon-based) 에칭제:** 유기물이나 감광막 제거(ashcing) 공정에 사용됩니다. 대표적으로 산소($O_2$)와 함께 일산화탄소($CO$), 이산화탄소($CO_2$) 등이 사용될 수 있습니다. 또한 복합적인 에칭 공정에서 식각 프로파일 제어를 위해 사용되기도 합니다. * **기타 에칭제:** 위에서 언급된 에칭제 외에도 특정 물질이나 공정 요구사항에 따라 다양한 가스들이 사용될 수 있습니다. 예를 들어, 브롬($Br_2$)은 실리콘 에칭에 사용되기도 하며, 특정 금속 에칭에는 할로겐화 수소 가스 등이 사용되기도 합니다. 반도체 에칭제의 용도는 반도체 제조 공정의 거의 모든 단계에 걸쳐 분포합니다. * **게이트(Gate) 형성:** 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하기 위해 박막을 정밀하게 식각합니다. 고도의 비등방성 에칭이 요구되는 공정입니다. * **배선(Interconnection) 형성:** 층간의 전기적 연결을 위해 패턴을 형성합니다. 특히 금속 배선(알루미늄, 구리 등)은 고선택성 및 비등방성 에칭이 필수적입니다. * **패턴 전사(Pattern Transfer):** 감광막에 형성된 미세 패턴을 웨이퍼 표면의 박막으로 정확하게 옮기는 역할을 합니다. * **구조물 형성:** 콘택 홀(Contact hole), 비아 홀(Via hole) 등 3차원적인 구조를 형성하기 위해 특정 부분을 깊이 식각합니다. 관련 기술로서 **플라즈마 에칭(Plasma Etching)**은 건식 에칭의 핵심 기술입니다. 플라즈마는 가스를 전기적으로 여기시켜 생성된 자유 전자, 이온, 중성 라디칼 등의 집합체로, 이러한 활성종들이 화학 반응 또는 물리적 충돌을 통해 웨이퍼 표면의 물질을 제거합니다. 플라즈마 에칭은 다시 크게 두 가지로 나뉩니다. 첫째는 **유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)** 에칭입니다. ICP는 고주파 코일을 이용하여 플라즈마를 생성하는 방식으로, 높은 플라즈마 밀도와 낮은 압력에서 높은 이온 에너지 및 라디칼 농도를 얻을 수 있어 정밀한 에칭에 적합합니다. 둘째는 **용량 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP)** 에칭입니다. CCP는 전극 간에 교류 전압을 인가하여 플라즈마를 생성하는 방식으로, 상대적으로 간단한 구조를 가지지만 ICP에 비해 플라즈마 제어 능력이나 식각 성능이 떨어질 수 있습니다. 또한, **반응 이온 에칭(Reactive Ion Etching, RIE)**은 플라즈마 에칭의 한 형태로, 이온의 물리적인 충돌 에너지와 화학적인 반응을 동시에 이용하여 식각하는 방식입니다. 이를 통해 수직적인 측벽을 형성하는 비등방성 식각을 구현할 수 있습니다. 최근에는 이러한 RIE 기술을 더욱 발전시켜 특정 방향으로의 이온 충돌을 유도하는 **방향성 플라즈마 에칭(Directional Plasma Etching)** 기술이 개발되어 더욱 미세하고 복잡한 회로 패턴 구현에 기여하고 있습니다. 최근 반도체 기술의 발전은 더욱 미세하고 복잡한 3차원 구조를 요구하고 있으며, 이에 따라 에칭제 및 에칭 기술 또한 끊임없이 발전하고 있습니다. 예를 들어, 나노미터 수준의 미세 패턴을 구현하기 위해서는 기존 에칭제의 선택성 및 제어 능력을 향상시키거나, 새로운 개념의 에칭제를 개발하는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 또한, 에칭 공정의 부산물을 효과적으로 제거하고, 웨이퍼 표면의 손상을 최소화하는 기술 또한 중요하게 연구되고 있습니다. 결론적으로, 반도체 에칭제는 단순히 화학 물질을 넘어, 미세한 회로를 현실로 구현하는 데 필수적인 역할을 수행하는 정밀 공정 소재입니다. 그 종류와 특성은 반도체 집적 회로의 성능, 집적도, 그리고 생산성에 직접적인 영향을 미치므로, 반도체 기술 발전에 따라 에칭제 및 관련 기술 역시 지속적으로 혁신해 나가야 하는 중요한 분야입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 반도체 에칭제 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU0440) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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