| ■ 영문 제목 : Global GaN-On-Si Epiwafer Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2410G6339 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 10월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN-On-Si 에피웨이퍼은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 4인치, 6인치, 8인치) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술의 발전, GaN-On-Si 에피웨이퍼 신규 진입자, GaN-On-Si 에피웨이퍼 신규 투자, 그리고 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN-On-Si 에피웨이퍼 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
4인치, 6인치, 8인치
*** 용도별 세분화 ***
광전, 전력, RF
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
NTT AT、Wolfspeed、SCIOCS (Sumitomo)、EpiGaN (Soitec)、DOWA Electronics Materials、IQE、Enkris Semiconductor Inc、CorEnergy、GLC、Genettice、Suzhou Nanowin、Episil-Precision Inc、Xinguan Technology、Shanxi Yuteng
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN-On-Si 에피웨이퍼은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장분석 ■ 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 NTT AT、Wolfspeed、SCIOCS (Sumitomo)、EpiGaN (Soitec)、DOWA Electronics Materials、IQE、Enkris Semiconductor Inc、CorEnergy、GLC、Genettice、Suzhou Nanowin、Episil-Precision Inc、Xinguan Technology、Shanxi Yuteng – NTT AT – Wolfspeed – SCIOCS (Sumitomo) ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN-On-Si 에피웨이퍼 이미지 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 기업별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 (2019-2024) 미주 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 (2019-2024) 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 (2019-2024) 미국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 (2019-2024) GaN-On-Si 에피웨이퍼의 제조 원가 구조 분석 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 제조 공정 분석 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 산업 체인 구조 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN)은 우수한 전기적, 광학적 특성을 바탕으로 고주파, 고출력 전자 소자 및 청색 발광 소자 분야에서 각광받고 있는 반도체 소재입니다. 하지만 GaN 단결정을 성장시키는 것은 까다롭고 비용이 많이 드는 공정입니다. 이러한 한계를 극복하기 위해 실리콘(Si) 기판 위에 GaN 박막을 성장시키는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술이 주목받고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 실리콘의 저렴한 가격과 대면적화 용이성을 활용하면서도 GaN의 우수한 성능을 구현할 수 있다는 점에서 차세대 전력 반도체 및 RF(Radio Frequency) 소자 분야의 핵심 기술로 자리매김하고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 핵심은 바로 ‘에피택셜 성장(Epitaxial Growth)’이라는 공정입니다. 에피택셜 성장이란, 기존의 결정 위에 동일하거나 유사한 결정 구조를 가진 박막을 성장시키는 기술을 말합니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼에서는 실리콘 기판 위에 GaN 결정층을 마치 원래부터 하나였던 것처럼 층층이 쌓아 올리는 것입니다. 이 과정에서 결정성이 뛰어난 고품질의 GaN 박막을 얻는 것이 무엇보다 중요합니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 기존 GaN 단결정 웨이퍼나 사파이어(Sapphire) 기판 위에 성장된 GaN 에피웨이퍼와 비교했을 때 몇 가지 뚜렷한 특징을 가집니다. 첫째, **경제성**입니다. 실리콘은 현재 반도체 산업에서 가장 널리 사용되는 기판으로, 대량 생산이 가능하여 가격이 저렴합니다. 또한, 300mm와 같은 대구경 웨이퍼 생산이 용이하여 생산 효율성을 크게 높일 수 있습니다. 이는 GaN 소자의 전체적인 생산 비용 절감으로 이어져, GaN 기술의 상용화를 더욱 가속화할 수 있는 중요한 장점입니다. 둘째, **우수한 열 방출 능력**입니다. 실리콘은 사파이어나 GaN 자체에 비해 열전도율이 높습니다. GaN 소자는 동작 중에 많은 열을 발생시키는데, 실리콘 기판은 이러한 열을 효과적으로 외부로 방출하는 데 도움을 줍니다. 이는 소자의 신뢰성과 성능 안정성을 향상시키는 데 매우 중요한 역할을 합니다. 특히 고출력으로 동작하는 전력 반도체 소자에서는 열 관리가 핵심적인 성능 지표가 되기 때문에, 실리콘 기판의 높은 열 방출 능력은 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 큰 장점입니다. 셋째, **Si 기반 공정과의 호환성**입니다. 실리콘은 현재 반도체 산업의 근간을 이루는 소재이므로, 실리콘 제조 공정에서 사용되는 설비나 기술과 많은 부분을 공유할 수 있습니다. 이는 새로운 설비 투자나 공정 개발에 드는 비용과 시간을 절감할 수 있게 하며, 기존 실리콘 기반 반도체 제조 라인을 활용하여 GaN 소자를 생산하는 데 유리하게 작용합니다. 물론 GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술에도 몇 가지 **극복해야 할 과제**가 존재합니다. 가장 큰 문제는 **격자 불일치(Lattice Mismatch)**입니다. GaN과 Si는 결정 구조와 격자 상수가 상당한 차이를 보입니다. 이러한 격자 불일치는 에피택셜 성장 과정에서 결정 결함(Defect), 특히 전위(Dislocation)를 다량 발생시키는 원인이 됩니다. 이 전위는 소자의 성능을 저하시키는 주요 원인이 되므로, 이러한 결함을 최소화하는 것이 GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술의 핵심 난제 중 하나입니다. 또 다른 문제는 **열팽창 계수 불일치(Thermal Expansion Coefficient Mismatch)**입니다. GaN과 Si는 열에 의해 팽창하고 수축하는 정도가 다릅니다. 성장 온도가 높기 때문에, 웨이퍼가 냉각될 때 GaN 층과 Si 기판 사이에 발생하는 응력으로 인해 웨이퍼가 휘어지거나(Warpage) 심한 경우 균열(Cracking)이 발생할 수도 있습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 완충층(Buffer Layer)을 도입하거나 특수한 성장 조건을 적용하는 다양한 연구가 진행되고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 그 자체로 완성된 소자가 아니라, 이 위에 GaN 기반의 능동층(Active Layer)이나 전도층(Conductive Layer) 등을 성장시켜 다양한 소자를 제작하기 위한 기판 역할을 합니다. 따라서 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 '종류'는 주로 위에 성장되는 GaN의 종류나 구조, 그리고 이를 증착하는 방식에 따라 구분될 수 있습니다. 예를 들어, HEMT(High Electron Mobility Transistor) 구조를 만들기 위한 GaN-On-Si 에피웨이퍼는 일반적으로 GaN 자체 외에 AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)과 같은 다른 질화물 박막을 함께 성장시키는 경우가 많습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 **주요 용도**는 다음과 같습니다. 첫째, **전력 반도체 소자**입니다. GaN은 높은 항복 전압, 낮은 온-저항, 그리고 빠른 스위칭 속도를 제공하여 기존의 실리콘 기반 전력 소자(MOSFET, IGBT 등)의 한계를 뛰어넘을 수 있습니다. 특히 전기 자동차, 고속 충전기, 서버 전원 공급 장치, 태양광 인버터 등 고효율, 고밀도의 전력 변환이 요구되는 분야에서 GaN-On-Si 기반의 파워 디바이스는 매우 유망합니다. 기존 SiC(Silicon Carbide) 전력 반도체에 비해 저렴한 가격으로 유사한 성능을 구현할 수 있다는 잠재력이 있습니다. 둘째, **RF(Radio Frequency) 통신 소자**입니다. GaN은 높은 전자 이동도와 낮은 잡음 지수(Noise Figure)를 가지고 있어, 고주파에서 높은 증폭 성능을 제공합니다. 5G 통신 기지국, 레이더 시스템, 위성 통신 등 고주파 대역에서 작동하는 통신 장비의 전력 증폭기(Power Amplifier)에 GaN-On-Si HEMT 소자가 활발하게 적용되고 있습니다. 이는 기존 실리콘 또는 GaAs(Gallium Arsenide) 기반 소자보다 더 높은 주파수 대역에서 더 높은 출력과 효율을 달성할 수 있게 합니다. 셋째, **LED(Light Emitting Diode) 및 레이저 다이오드(Laser Diode)**입니다. GaN은 청색광 및 자외선 영역에서 발광하는 특성이 있어 고효율 청색 LED 및 레이저 다이오드 제작에 필수적인 소재입니다. GaN-On-Si 기술은 이러한 발광 소자의 제조 비용을 낮추고 대면적화 가능성을 열어주어, 차세대 디스플레이나 조명 시장에서도 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼와 관련된 **주요 기술**은 다음과 같이 요약할 수 있습니다. 1. **MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) 성장 기술**: GaN 박막을 성장시키는 가장 대표적인 기술입니다. GaN-On-Si의 경우, 실리콘 기판 위에 GaN 및 관련 질화물 박막을 고품질로 성장시키기 위한 정교한 MOCVD 공정 설계가 필수적입니다. 특히 격자 및 열팽창 불일치 문제를 극복하기 위한 다층 구조의 완충층 성장 기술이 중요합니다. AlN(Aluminum Nitride)이나 AlGaN의 다양한 조성비와 두께를 갖는 완충층은 전위 밀도를 효과적으로 감소시키는 역할을 합니다. 2. **초저결함 GaN 성장 기술**: 에피택셜 성장 과정에서 발생하는 전위와 같은 결정 결함은 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 결함 밀도를 최소화하기 위한 성장 조건 최적화, 신규 완충층 구조 개발, 표면 처리 기술 등이 중요한 기술로 연구되고 있습니다. 3. **웨이퍼 휨 및 균열 제어 기술**: 열팽창 계수 불일치로 인한 웨이퍼의 휨이나 균열 문제는 대면적화 및 후공정(Back-end Process)에 큰 제약을 줍니다. 이를 해결하기 위해 웨이퍼 표면 평탄도 유지 기술, 성장 온도 프로파일 제어, 새로운 완충층 소재의 적용 등 다양한 접근 방식이 연구되고 있습니다. 4. **소자 공정 기술과의 통합**: GaN-On-Si 에피웨이퍼 위에 실제 고성능 소자를 제작하기 위해서는 GaN 소자 공정 기술과의 긴밀한 통합이 필요합니다. GaN 박막에 대한 식각(Etching), 증착(Deposition), 금속화(Metallization) 등 다양한 공정 단계에서 기존 실리콘 공정과의 호환성을 확보하고, GaN의 특성을 최대한 발휘할 수 있는 공정 개발이 중요합니다. 결론적으로, GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술은 실리콘의 경제성과 GaN의 우수한 특성을 결합하여 차세대 전력 및 RF 소자 시장의 혁신을 이끌 잠재력을 가진 핵심 기술입니다. 비록 격자 불일치와 같은 기술적인 난관이 존재하지만, 지속적인 연구 개발을 통해 이러한 문제들이 해결되면서 GaN-On-Si 에피웨이퍼는 더욱 폭넓은 응용 분야에서 그 가치를 입증할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 2024-2030] (코드 : LPI2410G6339) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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