| ■ 영문 제목 : GaN-On-Si Epiwafer Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2406B6339 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장은 광전, 전력, RF를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 4인치, 6인치, 8인치), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN-On-Si 에피웨이퍼에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 4인치, 6인치, 8인치
■ 용도별 시장 세그먼트
– 광전, 전력, RF
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– NTT AT, Wolfspeed, SCIOCS (Sumitomo), EpiGaN (Soitec), DOWA Electronics Materials, IQE, Enkris Semiconductor Inc, CorEnergy, GLC, Genettice, Suzhou Nanowin, Episil-Precision Inc, Xinguan Technology, Shanxi Yuteng
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN-On-Si 에피웨이퍼의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 규모
3 장 : GaN-On-Si 에피웨이퍼 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 NTT AT, Wolfspeed, SCIOCS (Sumitomo), EpiGaN (Soitec), DOWA Electronics Materials, IQE, Enkris Semiconductor Inc, CorEnergy, GLC, Genettice, Suzhou Nanowin, Episil-Precision Inc, Xinguan Technology, Shanxi Yuteng NTT AT Wolfspeed SCIOCS (Sumitomo) 8. 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN-On-Si 에피웨이퍼 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량: 2019-2030 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 가격 - 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 가격 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 캐나다 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 멕시코 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 유럽 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 프랑스 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 영국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 이탈리아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 러시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 아시아 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 일본 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 한국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 인도 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 남미 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 아르헨티나 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 이스라엘 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 아랍에미리트 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장규모 - 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 생산 능력 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 질화갈륨(GaN) 기반 집적회로 및 전력 전자 소자 기술의 핵심, GaN-On-Si 에피웨이퍼 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN)은 우수한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 고주파 통신, 전력 반도체, LED 등 다양한 분야에서 차세대 핵심 소재로 각광받고 있습니다. 특히, GaN 에피웨이퍼는 이러한 GaN 소자 제작의 근간이 되는 고품질 GaN 박막을 성장시킨 웨이퍼를 의미하며, 그중에서도 실리콘(Si) 기판 위에 GaN을 성장시킨 GaN-On-Si 에피웨이퍼는 기존 실리콘 산업 인프라와의 호환성 및 경제성을 앞세워 빠르게 시장 점유율을 확대하고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 기본적으로 절연성이 높은 사파이어(Sapphire) 기판이나 자체적인 절연 특성을 갖는 GaN 기판과 달리, 전기 전도성이 높은 실리콘 웨이퍼 위에 GaN 계열의 반도체 박막을 성장시킨 형태입니다. 실리콘은 저렴한 가격, 우수한 열전도성, 그리고 이미 성숙된 반도체 공정 기술이라는 강력한 장점을 가지고 있어 GaN 기술의 대중화를 이끌 잠재력을 지니고 있습니다. 하지만 GaN과 실리콘은 격자 상수 및 열팽창 계수의 큰 차이로 인해 직접적으로 GaN을 실리콘 기판 위에 성장시키기 어렵다는 기술적 난제가 존재합니다. 이러한 문제를 극복하기 위해 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제작에는 다양한 버퍼층(Buffer Layer) 기술이 필수적으로 적용됩니다. 버퍼층은 실리콘 기판과 GaN 성장층 사이의 물리적, 화학적 불연속성을 완화하여 결정 결함 밀도를 낮추고 고품질의 GaN 박막을 얻기 위해 사용되는 여러 층의 물질로 구성됩니다. 일반적으로 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride, AlN)이나 알루미늄 갈륨 질화물(Aluminum Gallium Nitride, AlGaN)과 같은 전이층(Transition Layer)을 시작으로, 점차적으로 실리콘의 격자 상수와 유사한 물질에서 GaN의 격자 상수로 변화하는 다단계의 두꺼운 버퍼층 구조가 사용됩니다. 이러한 버퍼층 설계는 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미치기 때문에, 각 공정 단계마다 정밀한 제어가 요구됩니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 그 종류를 성장하는 GaN 계열의 박막 조성에 따라 다양하게 구분할 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 비활성층 위에 GaN 단일층을 성장시킨 것으로, 이는 특정 응용 분야에 활용될 수 있습니다. 하지만 대부분의 고성능 소자에는 더 복잡한 조성의 박막 구조가 필요합니다. 예를 들어, GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)의 경우, GaN 기판 위에 AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 형성하여 높은 전하 이동도를 갖는 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)를 생성하는 것이 핵심입니다. 이러한 AlGaN/GaN 에피웨이퍼는 전력 스위칭 소자나 고주파 증폭기 등 고성능 전자 부품에 주로 사용됩니다. 또한, 최근에는 인듐 갈륨 질화물(Indium Gallium Nitride, InGaN)을 활용하여 발광 특성을 구현하는 LED 및 레이저 다이오드용 GaN-On-Si 에피웨이퍼 또한 활발히 연구 개발되고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 앞서 언급했듯 기존 실리콘 공정 인프라와의 호환성이 뛰어나다는 점입니다. 이는 새로운 장비 투자 없이도 GaN 기반 소자 생산을 가능하게 하여 생산 비용 절감 및 생산성 향상에 기여합니다. 둘째, 실리콘의 우수한 열전도성은 GaN 소자에서 발생하는 열을 효율적으로 방출하는 데 도움을 주어 소자의 신뢰성과 성능을 향상시키는 데 유리합니다. 셋째, 사파이어 기판에 비해 300mm와 같은 대구경 웨이퍼 제작이 용이하여 단위 웨이퍼당 생산량을 증대시키고, 결과적으로 개별 칩의 가격 경쟁력을 높이는 데 기여합니다. 마지막으로, GaN 자체의 뛰어난 물성으로 인해 기존 실리콘 기반 소자 대비 높은 항복 전압, 빠른 스위칭 속도, 낮은 온저항 등의 장점을 갖춘 소자 구현이 가능합니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 그 뛰어난 성능과 잠재력으로 인해 다양한 산업 분야에서 활용되고 있습니다. 전력 반도체 분야에서는 전기 자동차의 인버터, 태양광 발전 시스템의 전력 변환 장치, 고효율 전원 공급 장치 등에 적용되어 에너지 효율을 극대화하는 데 기여하고 있습니다. 고주파 통신 분야에서는 5G 및 차세대 통신 시스템의 기지국 및 단말기용 고출력 증폭기(HPA, High Power Amplifier)에 사용되어 데이터 전송 속도와 통신 범위를 확장하는 역할을 합니다. 또한, LED 조명, 디스플레이, 차량용 조명 등 광학 분야에서도 고효율, 고휘도 발광 소자 구현을 위한 기반 기술로 활용되고 있습니다. 최근에는 마이크로 LED 디스플레이 기술의 발전과 함께 GaN-On-Si 기반의 소형, 고밀도 발광 소자 연구도 활발히 진행되고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 제작과 관련된 핵심 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, 금속유기화학증착법(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)은 고품질의 GaN 박막을 성장시키는 데 가장 널리 사용되는 기술입니다. MOCVD 공정에서는 trimethylgallium(TMGa), trimethylaluminum(TMAl), ammonia(NH3)와 같은 전구체 가스를 고온에서 반응시켜 웨이퍼 표면에 GaN 계열의 박막을 성장시킵니다. 둘째, 스트레스 제어 기술은 앞서 언급한 격자 상수 및 열팽창 계수 차이로 인해 발생하는 웨이퍼의 변형(warpage)이나 박막의 균열(crack)을 최소화하는 데 필수적입니다. 이는 버퍼층 설계 최적화, 성장 온도 조절, 그리고 특정 첨가 물질 사용 등을 통해 이루어집니다. 셋째, 박막 식각(etching) 및 패터닝 기술은 GaN 에피웨이퍼 위에 고밀도의 트랜지스터나 기타 소자를 형성하기 위한 미세 공정 기술입니다. 최근에는 유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 식각이나 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing)와 같은 첨단 식각 기술이 적용되어 소자의 집적도를 높이고 성능을 향상시키고 있습니다. 마지막으로, GaN-On-Si 에피웨이퍼의 성능 및 품질 평가를 위한 다양한 분석 기술 또한 중요합니다. 엑스선 회절(XRD, X-ray Diffraction)을 통한 결정성 분석, 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope) 및 투과전자현미경(TEM, Transmission Electron Microscope)을 이용한 미세 구조 분석, 원자간 힘 현미경(AFM, Atomic Force Microscope)을 통한 표면 거칠기 측정 등이 대표적인 분석 방법입니다. 결론적으로, GaN-On-Si 에피웨이퍼는 실리콘 기술의 경제성과 GaN의 우수한 물성을 결합하여 차세대 전자 및 광학 소자 기술 발전을 견인하는 핵심 소재입니다. 버퍼층 기술의 발전, 공정 최적화, 그리고 새로운 응용 분야의 개발을 통해 GaN-On-Si 기술은 앞으로도 지속적인 성장을 이어나갈 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2406B6339) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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