| ■ 영문 제목 : Global GaN Epitaxial Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2409H18026 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 9월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 GaN 에피택셜 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 GaN 에피택셜 산업 체인 동향 개요, 레이저 다이오드, LED, 파워일렉트로닉스 디바이스, RF 디바이스 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, GaN 에피택셜의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 GaN 에피택셜 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 GaN 에피택셜 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 GaN 에피택셜 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 GaN 에피택셜 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : CVD, MBE)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 GaN 에피택셜 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 GaN 에피택셜 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 GaN 에피택셜 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 GaN 에피택셜에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 GaN 에피택셜 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 GaN 에피택셜에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (레이저 다이오드, LED, 파워일렉트로닉스 디바이스, RF 디바이스)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: GaN 에피택셜과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. GaN 에피택셜 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 GaN 에피택셜 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
GaN 에피택셜 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– CVD, MBE
용도별 시장 세그먼트
– 레이저 다이오드, LED, 파워일렉트로닉스 디바이스, RF 디바이스
주요 대상 기업
– EpiGaN (Soitec)、ALLOS Semiconductors、IQE、NTTAT、Episil-Precision、Enkris Semiconductor、Genettice、GLC Semiconductor
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– GaN 에피택셜 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 GaN 에피택셜의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 GaN 에피택셜의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– GaN 에피택셜 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– GaN 에피택셜 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 GaN 에피택셜 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, GaN 에피택셜의 산업 체인.
– GaN 에피택셜 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 EpiGaN (Soitec) ALLOS Semiconductors IQE ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- GaN 에피택셜 이미지 - 종류별 세계의 GaN 에피택셜 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 GaN 에피택셜 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 GaN 에피택셜 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 GaN 에피택셜 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 GaN 에피택셜 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 GaN 에피택셜 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 GaN 에피택셜 판매량 (2019-2030) - 세계의 GaN 에피택셜 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 GaN 에피택셜 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 GaN 에피택셜 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 GaN 에피택셜 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 지역별 GaN 에피택셜 소비 금액 시장 점유율 - 북미 GaN 에피택셜 소비 금액 - 유럽 GaN 에피택셜 소비 금액 - 아시아 태평양 GaN 에피택셜 소비 금액 - 남미 GaN 에피택셜 소비 금액 - 중동 및 아프리카 GaN 에피택셜 소비 금액 - 세계의 종류별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN 에피택셜 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN 에피택셜 평균 가격 - 세계의 용도별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN 에피택셜 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN 에피택셜 평균 가격 - 북미 GaN 에피택셜 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 GaN 에피택셜 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN 에피택셜 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN 에피택셜 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 유럽 GaN 에피택셜 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN 에피택셜 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN 에피택셜 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN 에피택셜 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 영국 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 러시아 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 GaN 에피택셜 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN 에피택셜 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN 에피택셜 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN 에피택셜 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 일본 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 한국 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 인도 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 호주 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 남미 GaN 에피택셜 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN 에피택셜 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN 에피택셜 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 GaN 에피택셜 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 GaN 에피택셜 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN 에피택셜 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN 에피택셜 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN 에피택셜 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 이집트 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 GaN 에피택셜 소비 금액 및 성장률 - GaN 에피택셜 시장 성장 요인 - GaN 에피택셜 시장 제약 요인 - GaN 에피택셜 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 GaN 에피택셜의 제조 비용 구조 분석 - GaN 에피택셜의 제조 공정 분석 - GaN 에피택셜 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 에피택셜은 질화갈륨이라는 화합물 반도체를 얇고 균일한 막 형태로 기판 위에 성장시키는 기술을 의미합니다. 이는 차세대 전력 소자, 고주파 통신, 발광 다이오드(LED) 등 다양한 첨단 산업 분야에서 핵심적인 역할을 수행하는 기술입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 반도체와 비교하여 훨씬 우수한 특성을 지니고 있어, 에너지 효율 향상, 고성능 구현에 기여합니다. GaN 에피택셜 기술의 근본적인 개념은 특정 결정 구조를 가진 기판 위에 원자층 단위로 GaN 물질을 쌓아 올려 고품질의 GaN 박막을 형성하는 것입니다. 이 과정은 매우 정밀한 제어가 요구되며, 원하는 전기적, 광학적 특성을 구현하기 위해 다양한 성장 방법과 조건을 사용합니다. GaN 에피택셜의 가장 큰 특징은 그 우수한 물리적, 전기적, 광학적 특성에 있습니다. 첫째, 넓은 밴드갭(bandgap)을 가지고 있어 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 견딜 수 있습니다. 이는 고출력, 고전압 스위칭 소자 구현에 필수적입니다. 둘째, 전자 이동도가 매우 높아 고속 동작이 가능합니다. 이는 고주파 통신 장비나 빠른 응답 속도가 요구되는 애플리케이션에 적합합니다. 셋째, 높은 열전도성을 지니고 있어 열 발생을 효율적으로 관리할 수 있습니다. 이는 고출력 소자의 안정적인 작동과 소형화에 기여합니다. 넷째, 화학적으로 안정하여 고온, 고압 환경에서도 성능 저하가 적습니다. 이러한 특성들은 GaN 에피택셜 기술이 다양한 극한 환경에서 사용될 수 있도록 합니다. GaN 에피택셜 박막을 성장시키기 위해서는 다양한 성장 방법이 사용됩니다. 가장 대표적인 방법으로는 금속유기화학증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)과 분자빔에피택시법(Molecular Beam Epitaxy, MBE)이 있습니다. MOCVD는 가스 상태의 전구체(precursor)를 고온의 기판 위로 흘려보내면서 반응시켜 박막을 성장시키는 방법입니다. 다양한 종류의 GaN 기반 화합물(AlGaN, InGaN 등)을 성장시키기에 유리하며, 대면적 성장 및 대량 생산에 적합하여 산업적으로 널리 활용됩니다. MOCVD를 통해 AlGaN/GaN 헤테로구조와 같은 고성능 소자 구조를 제작할 수 있습니다. MBE는 진공 환경에서 고순도의 원자 또는 분자빔을 기판에 조사하여 원자층 단위로 물질을 성장시키는 방법입니다. 매우 정밀한 박막 두께 및 조성을 제어할 수 있으며, 고품질의 결정성을 가진 박막을 얻는 데 유리합니다. 연구 개발 단계나 특정 고품질 박막 제작에 주로 사용됩니다. 이 외에도 수소화물 기상 에피택셜법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)과 같은 다른 성장 방법들도 존재하며, 각 방법은 장단점을 가지고 있어 응용 분야에 따라 최적의 방법을 선택하게 됩니다. GaN 에피택셜 기술은 그 특성을 바탕으로 매우 광범위한 응용 분야를 가집니다. 전력 변환 분야에서는 고효율, 고밀도 전력 변환 장치 구현에 필수적입니다. GaN 기반 스위칭 소자는 기존 실리콘 기반 소자보다 훨씬 낮은 온저항과 빠른 스위칭 속도를 제공하여 전력 손실을 크게 줄여줍니다. 이는 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 전기 자동차 충전 시스템, 데이터 센터 전원 공급 장치 등 에너지 효율이 중요한 모든 분야에 혁신을 가져오고 있습니다. 기존의 AC-DC, DC-DC 컨버터들의 효율을 높이고 크기를 줄이는 데 크게 기여합니다. 고주파 통신 분야에서는 5G, 위성 통신, 레이더 시스템 등에서 고출력, 고성능 RF(Radio Frequency) 소자 제작에 활용됩니다. GaN 트랜지스터는 높은 주파수에서도 효율적으로 작동하며, 더 높은 출력 전력을 처리할 수 있어 통신 장비의 성능을 향상시킵니다. 이는 데이터 전송 속도를 높이고 통신 범위를 확장하는 데 중요한 역할을 합니다. 조명 분야에서는 고휘도, 고효율의 LED 제작에 사용됩니다. GaN 기반 청색 LED는 백색광을 구현하는 데 핵심적인 역할을 하며, 에너지 절약 및 긴 수명을 제공합니다. 또한, RGB LED의 핵심 소자로 사용되어 디스플레이 기술의 발전에도 기여합니다. 최근에는 UV-C LED 분야에서도 GaN 에피택셜 기술이 주목받고 있으며, 살균 및 소독 애플리케이션에 활용되고 있습니다. 이 외에도 GaN 에피택셜 기술은 레이저 다이오드, 고온 센서, 방사선 검출기 등 다양한 특수 분야에서도 응용되고 있습니다. GaN 에피택셜 기술과 관련된 주요 기술들은 다음과 같습니다. 첫째, 기판 기술입니다. GaN은 다이아몬드 구조를 갖는 실리콘 카바이드(SiC)나 사파이어(Sapphire) 기판 위에 성장시키는 경우가 많습니다. 그러나 이러한 이종 기판(heterogeneous substrate) 위에서 GaN을 성장시킬 경우 결정 격자 불일치로 인한 격자 변형 및 전위(dislocation) 생성이 불가피합니다. 이러한 결함은 소자의 성능과 신뢰성을 저하시키는 주요 원인이 됩니다. 따라서 고품질 GaN 에피택셜 성장을 위해서는 이러한 결함을 최소화하는 기술, 예를 들어 버퍼층(buffer layer) 기술이 매우 중요합니다. 최근에는 GaN 자체 기판(native GaN substrate)을 사용하여 이러한 문제를 근본적으로 해결하려는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 둘째, 박막 성장 기술입니다. 앞서 언급한 MOCVD, MBE 외에도 각 성장 방법에 따라 최적의 전구체 선택, 반응 온도, 압력, 가스 유량, 성장 속도 등을 정밀하게 제어하는 기술이 중요합니다. 또한, AlGaN/GaN 헤테로구조와 같이 다양한 조성의 물질을 층층이 쌓아 올리는 기술(계단식 성장, doping 조절 등)은 고성능 소자 제작의 핵심입니다. 특히, 고온에서 성장되는 GaN은 열 응력(thermal stress)으로 인한 균열이나 박리 문제가 발생할 수 있으므로, 이러한 문제를 완화하기 위한 성장 조건 최적화도 중요합니다. 셋째, 소자 제작 기술입니다. 에피택셜 성장된 GaN 박막을 실제 소자로 만들기 위해서는 다양한 공정이 필요합니다. 여기에는 포토 리소그래피(photolithography), 식각(etching), 금속 증착(metal deposition), 패시베이션(passivation) 등 첨단 반도체 공정 기술이 요구됩니다. 특히, GaN은 표면 결함에 민감하여 패시베이션 공정의 중요성이 크며, 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, 고출력 소자의 경우 효과적인 방열을 위한 패키징 기술도 중요하게 고려됩니다. 넷째, 계측 및 분석 기술입니다. 성장된 GaN 에피택셜 박막의 결정성, 조성, 두께, 표면 거칠기, 전기적 특성, 광학적 특성 등을 정확하게 측정하고 분석하는 기술은 공정 최적화 및 품질 관리에 필수적입니다. X-선 회절(XRD), 원자간 힘 현미경(AFM), 투과 전자 현미경(TEM), 표면 광 전압 분광법(SPV) 등 다양한 분석 장비와 기법이 활용됩니다. GaN 에피택셜 기술은 끊임없는 연구 개발을 통해 발전하고 있으며, 더욱 효율적이고 고성능의 전자 및 광전자 소자 구현을 선도하는 핵심 기술로서 그 중요성이 더욱 커질 것으로 예상됩니다. 미래의 에너지 효율적인 사회, 초고속 통신망, 첨단 디스플레이 기술 발전에 있어 GaN 에피택셜 기술은 필수 불가결한 역할을 수행할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 에피택셜 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2409H18026) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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