| ■ 영문 제목 : GaN Epitaxial Wafers Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22032 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN 에피택셜 웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN 에피택셜 웨이퍼의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN 에피택셜 웨이퍼 시장은 전기자동차, 5G 통신, 고속철도, 레이더, 로봇공학, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN 에피택셜 웨이퍼 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: MOCVD법, MBE법), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN 에피택셜 웨이퍼에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN 에피택셜 웨이퍼 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– MOCVD법, MBE법
■ 용도별 시장 세그먼트
– 전기자동차, 5G 통신, 고속철도, 레이더, 로봇공학, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Mitsubishi Chemical Corporation, EpiGaN, SCIOCS, GLC Semiconductor Group, IGSS GaN, Homray Material Technology, POWDEC K.K., Nitride Semiconductors Co.,Ltd, Dongguan Sino Crystal Semiconductor Co., Ltd, Atecom Technology Co., Ltd, CorEnergy Semiconductor Co. Ltd, Air Water Inc, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, Ceramicforum Co., Ltd
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN 에피택셜 웨이퍼의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장 규모
3 장 : GaN 에피택셜 웨이퍼 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Mitsubishi Chemical Corporation, EpiGaN, SCIOCS, GLC Semiconductor Group, IGSS GaN, Homray Material Technology, POWDEC K.K., Nitride Semiconductors Co.,Ltd, Dongguan Sino Crystal Semiconductor Co., Ltd, Atecom Technology Co., Ltd, CorEnergy Semiconductor Co. Ltd, Air Water Inc, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, Ceramicforum Co., Ltd Mitsubishi Chemical Corporation EpiGaN SCIOCS 8. 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN 에피택셜 웨이퍼 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN 에피택셜 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN 에피택셜 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량: 2019-2030 - GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 웨이퍼 가격 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 웨이퍼 가격 - 지역별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 유럽 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 영국 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 이탈리아 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 러시아 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 아시아 지역별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 일본 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 한국 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 인도 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 남미 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 아르헨티나 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 에피택셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 이스라엘 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 아랍에미리트 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 생산 능력 - 지역별 GaN 에피택셜 웨이퍼 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN 에피택셜 웨이퍼 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 에피택셜 웨이퍼는 현대 전자 및 광전자 산업에서 핵심적인 역할을 수행하는 고성능 반도체 소재입니다. 에피택셜(Epitaxial)이라는 용어는 단결정 기판 위에 동일한 결정 구조를 갖는 박막을 성장시키는 기술을 의미하며, GaN 에피택셜 웨이퍼는 바로 이러한 방식으로 질화갈륨 단결정을 성장시킨 웨이퍼를 지칭합니다. 이 소재는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체로는 구현하기 어려운 높은 전력 밀도, 고주파 동작, 우수한 내열성 및 내화학성 등의 뛰어난 특성을 바탕으로 차세대 전자 기기 및 광전자 소자의 발전을 견인하고 있습니다. GaN 에피택셜 웨이퍼의 정의를 좀 더 구체적으로 살펴보면, 이는 특정한 결정면을 가지는 기판 위에 원자층 단위로 질화갈륨 박막을 성장시킨 구조물입니다. 이때 기판으로는 주로 사파이어(Sapphire, Al₂O₃), 탄화규소(SiC), 실리콘(Si) 등이 사용됩니다. 각 기판 소재는 고유의 장단점을 가지며, 이는 최종적으로 제작되는 GaN 소자의 성능과 비용에 직접적인 영향을 미칩니다. 예를 들어, 사파이어 기판은 저렴하고 대구경 제작이 용이하지만 결정 격자 불일치(lattice mismatch)로 인해 GaN 박막에 결함이 발생하기 쉽습니다. 반면, 탄화규소나 실리콘 기판은 GaN과의 격자 일치가 더 우수하여 고품질의 GaN 박막 성장에 유리하지만, 상대적으로 고가이고 웨이퍼 크기 확대에 제약이 있을 수 있습니다. 또한, GaN 에피택셜 웨이퍼는 단순히 질화갈륨 단결정층뿐만 아니라, 소자 종류에 따라 알루미늄갈륨질화물(AlGaN), 인듐갈륨질화물(InGaN) 등 다양한 조성의 질화물 반도체 복합층으로 구성될 수 있습니다. 이러한 복합층 구조를 통해 전자 이동도를 높이거나 특정 파장의 빛을 방출하는 등의 다양한 기능을 구현할 수 있습니다. GaN 에피택셜 웨이퍼의 가장 두드러진 특징 중 하나는 우수한 전자 이동도와 높은 항복 전압(breakdown voltage)입니다. 질화갈륨은 넓은 밴드갭(bandgap)을 가지는 직접천이형(direct bandgap) 반도체로서, 실리콘보다 전자 이동도가 훨씬 빠르고 높은 전기장을 견딜 수 있습니다. 이는 전력 변환 효율을 극대화하고 고주파에서 손실을 최소화하는 데 매우 유리합니다. 예를 들어, GaN 기반 전력 반도체는 실리콘 기반 MOSFET이나 IGBT에 비해 스위칭 손실이 현저히 적어 더 작고 가벼우면서도 높은 효율을 갖는 전원 공급 장치, 충전기, 모터 드라이버 등의 구현을 가능하게 합니다. 또한, GaN은 약 3.4 eV의 넓은 밴드갭을 가지므로 고온 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 열 방출이 우수하여 냉각 시스템의 부담을 줄여줍니다. 이러한 특성은 전기 자동차, 서버, 태양광 인버터 등 고온 및 고출력 환경에서 사용되는 전력 전자 소자에 필수적입니다. 광전자 분야에서도 GaN 에피택셜 웨이퍼는 독보적인 위상을 차지하고 있습니다. 질화갈륨 기반 물질은 가시광선 및 자외선 영역에서 효율적인 발광 및 흡수 특성을 나타냅니다. 특히, InGaN/GaN 양자우물 구조는 청색 및 녹색 발광 다이오드(LED)와 레이저 다이오드(LD)의 핵심 소재로 사용되며, 이는 백색 LED 조명, 디스플레이 백라이트, 블루레이 디스크 등에 광범위하게 활용됩니다. 또한, GaN은 자외선(UV) 영역에서도 안정적인 발광 및 검출이 가능하여 살균 및 소독 장치, UV 센서, 광통신 등 다양한 응용 분야에서 주목받고 있습니다. GaN 에피택셜 웨이퍼 기술의 발전은 LED의 효율을 지속적으로 향상시켜 에너지 절감에 크게 기여하고 있으며, 디스플레이 기술의 진화에도 핵심적인 역할을 하고 있습니다. GaN 에피택셜 웨이퍼는 성장 방식에 따라 다양한 종류로 구분될 수 있습니다. 가장 일반적인 성장 방법은 금속유기화학증착법(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)입니다. MOCVD는 여러 개의 가스 전구체(precursor)를 반응로에 주입하여 고온에서 웨이퍼 표면에 박막을 형성하는 기술로, GaN 기반 화합물 반도체 박막을 고품질로 성장시키는 데 가장 널리 사용됩니다. 이 외에도 분자빔에피탁시(MBE, Molecular Beam Epitaxy)와 같은 성장 방식도 연구 및 일부 응용 분야에서 활용됩니다. 각 성장 방식은 박막의 조성, 결정성, 표면 거칠기 등에 영향을 미치므로, 목표로 하는 소자의 성능에 따라 최적의 성장 방식을 선택하는 것이 중요합니다. GaN 에피택셜 웨이퍼의 용도는 매우 광범위합니다. 앞서 언급했듯이, 고효율 전력 변환 장치 및 고주파 통신 부품은 GaN 에피택셜 웨이퍼의 대표적인 응용 분야입니다. 예를 들어, 휴대폰 충전기, 노트북 어댑터, 전기 자동차 충전 시스템, 전력망 등에서 스위칭 손실을 줄이고 에너지 효율을 높이는 데 사용됩니다. 또한, 5G 및 6G 이동 통신을 위한 고출력, 고주파 증폭기는 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor) 기술을 기반으로 하며, 이는 통신 기기의 성능 향상과 소형화에 기여합니다. 광전자 분야에서는 고휘도 LED, 블루레이 레이저, UV LED 등이 GaN 에피택셜 웨이퍼를 통해 구현되며, 이는 조명, 디스플레이, 의료, 산업 분야에서 혁신을 가져오고 있습니다. GaN 에피택셜 웨이퍼와 관련된 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **기판 기술**입니다. 앞서 언급했듯이 사파이어, SiC, Si 등 다양한 기판이 사용되며, 각 기판에 맞는 최적의 에피 성장 조건을 개발하는 것이 중요합니다. 특히, 대구경 Si 기판을 활용한 GaN 에피 성장은 생산 단가를 낮추고 대량 생산을 가능하게 하는 핵심 기술로 주목받고 있습니다. 둘째, **결함 제어 기술**입니다. GaN 박막 내에 존재하는 결정 결함, 특히 전위(dislocation)는 소자의 성능과 신뢰성을 저하시키는 주요 원인이 됩니다. 따라서 GaN 에피 성장 과정에서 결함을 최소화하거나, 결함 밀도를 낮추는 기술 개발이 매우 중요합니다. 버퍼층(buffer layer) 설계, 성장 온도 및 압력 제어 등이 결함 제어에 중요한 요소로 작용합니다. 셋째, **이종 접합(heterojunction) 구조 설계 기술**입니다. GaN 에피택셜 웨이퍼는 종종 GaN과 AlGaN 또는 InGaN과 같이 서로 다른 조성의 질화물 반도체층을 적층하여 제작됩니다. 이러한 이종 접합 구조는 2차원 전자 가스(2DEG, two-dimensional electron gas)를 형성하여 전자 이동도를 극대화하는 데 활용되며, 이는 GaN HEMT 소자의 핵심 원리입니다. 따라서 각 층의 조성, 두께, 계면 특성을 정밀하게 제어하는 기술이 중요합니다. 마지막으로, **소자 공정 기술**입니다. GaN 에피택셜 웨이퍼 위에 실제 소자를 제작하기 위해서는 식각, 증착, 금속 배선 등 다양한 반도체 공정이 요구됩니다. GaN은 경질의 단단한 소재이므로, 이러한 공정 과정에서 발생하는 기술적인 어려움을 극복하고 고성능 소자를 제작하는 기술 또한 GaN 에피택셜 웨이퍼 산업의 중요한 축을 이룹니다. 요약하자면, GaN 에피택셜 웨이퍼는 뛰어난 전기적 및 광학적 특성을 바탕으로 고효율 전력 전자 및 첨단 광전자 소자 구현에 필수적인 차세대 반도체 소재입니다. 기판 기술, 결함 제어 기술, 이종 접합 구조 설계, 소자 공정 기술 등 다양한 관련 기술의 발전과 함께 GaN 에피택셜 웨이퍼는 우리 사회의 에너지 효율 향상, 통신 기술 혁신, 그리고 새로운 조명 및 디스플레이 기술 발전에 지속적으로 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F22032) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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