| ■ 영문 제목 : Global EUV Mask Blanks Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1280 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 104 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 EUV 마스크 블랭크의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 EUV 마스크 블랭크 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 EUV 마스크 블랭크 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 EUV 마스크 블랭크 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 EUV 마스크 블랭크 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (석영 마스크, 소다 마스크) 시장규모와 용도별 (LCD, IC, 반도체) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 EUV 마스크 블랭크 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 EUV 마스크 블랭크 시장분석 - 종류별 EUV 마스크 블랭크 시장규모 2020년-2025년 (석영 마스크, 소다 마스크) - 용도별 EUV 마스크 블랭크 시장규모 2020년-2025년 (LCD, IC, 반도체) 기업별 EUV 마스크 블랭크 시장분석 - 기업별 EUV 마스크 블랭크 판매량 - 기업별 EUV 마스크 블랭크 매출액 - 기업별 EUV 마스크 블랭크 판매가격 - 주요기업의 EUV 마스크 블랭크 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 EUV 마스크 블랭크 판매량 2020년-2025년 - 지역별 EUV 마스크 블랭크 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 종류별 - 미주의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 용도별 - 미국 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 캐나다 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 멕시코 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 브라질 EUV 마스크 블랭크 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 용도별 - 중국 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 일본 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 한국 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 동남아시아 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 인도 EUV 마스크 블랭크 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 종류별 - 유럽의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 용도별 - 독일 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 프랑스 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 영국 EUV 마스크 블랭크 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 EUV 마스크 블랭크 시장규모 : 용도별 - 이집트 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 남아프리카 EUV 마스크 블랭크 시장규모 - 중동GCC EUV 마스크 블랭크 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - EUV 마스크 블랭크의 제조원가 구조 분석 - EUV 마스크 블랭크의 제조 프로세스 분석 - EUV 마스크 블랭크의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - EUV 마스크 블랭크의 유통업체 - EUV 마스크 블랭크의 주요 고객 지역별 EUV 마스크 블랭크 시장 예측 - 지역별 EUV 마스크 블랭크 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - EUV 마스크 블랭크의 종류별 시장예측 (석영 마스크, 소다 마스크) - EUV 마스크 블랭크의 용도별 시장예측 (LCD, IC, 반도체) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - AGC Inc, DNP, Toppan, Photronics Inc, Shin-Etsu, Applied Materials, Mitsui Chemicals, TSMC, Hubei Feilihua Quartz, Shenzhen Qingyi Photomask, LG-IT 조사의 결과/결론 |
EUV mask blanks are a low-thermal expansion glass substrate with various kinds of optical coating films on its surface. The EUV mask blank consists of 40 to 50 or more alternating layers of silicon and molybdenum on the substrate. Although only Hoya and AGC are currently on the market with commercial delivery capabilities, we also included research samples or low-volume products for use, based on the real situation of the technology in this market.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “EUV Mask Blanks Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world EUV Mask Blanks sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected EUV Mask Blanks sales for 2025 through 2031. With EUV Mask Blanks sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world EUV Mask Blanks industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global EUV Mask Blanks landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on EUV Mask Blanks portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global EUV Mask Blanks market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for EUV Mask Blanks and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global EUV Mask Blanks.
The global EUV Mask Blanks market size is projected to grow from US$ 156.6 million in 2024 to US$ 535.2 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 535.2 from 2025 to 2031.
Global EUV mask blanks key players include AGC Inc, Hoya, S&S Tech, etc. Global top 2 players hold a share about 90%. The EUV mask blanks are mainly produced in North America and Japan, these regions are dominating the global market, hold a market share about 70 percent.In terms of application, the largest application is semiconductor, followed by IC (integrated circuit).
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of EUV Mask Blanks market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Quartz Mask
Soda Mask
Segmentation by application
LCD
IC
Semiconductor
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
AGC Inc
DNP
Toppan
Photronics Inc
Shin-Etsu
Applied Materials
Mitsui Chemicals
TSMC
Hubei Feilihua Quartz
Shenzhen Qingyi Photomask
LG-IT
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global EUV Mask Blanks market?
What factors are driving EUV Mask Blanks market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do EUV Mask Blanks market opportunities vary by end market size?
How does EUV Mask Blanks break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## EUV 마스크 블랭크: 극자외선 리소그래피의 핵심 소재 극자외선(EUV) 리소그래피는 반도체 제조 공정에서 집적도를 높이는 데 필수적인 기술로 자리 잡고 있습니다. 이러한 EUV 리소그래피를 구현하기 위해서는 매우 정밀하고 특수한 광학 부품들이 필요한데, 그중에서도 핵심적인 역할을 하는 것이 바로 EUV 마스크 블랭크입니다. EUV 마스크 블랭크는 EUV 광원을 사용하여 웨이퍼 위에 미세한 회로 패턴을 전사하기 위한 마스크를 제작하는 기반 재료로서, EUV 리소그래피의 성능과 수율을 결정하는 중요한 요소입니다. **EUV 마스크 블랭크의 정의 및 구성 요소** EUV 마스크 블랭크는 기본적으로 여러 층의 박막이 적층된 구조를 가지고 있습니다. 가장 중요한 구성 요소는 빛을 반사하고 흡수하는 역할을 하는 반사층(Reflective Layer)입니다. EUV 광은 기존의 자외선이나 가시광선과 달리 대부분의 물질에 의해 흡수되기 때문에, 투과가 아닌 반사를 이용해야 합니다. 따라서 EUV 마스크 블랭크에는 EUV 광을 효과적으로 반사하는 물질로 이루어진 반사층이 필수적으로 포함됩니다. 일반적으로 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 다층막 구조가 사용되며, 이는 EUV 광의 파장 대역에서 높은 반사율을 얻기 위한 최적의 조합입니다. 10 나노미터(nm) 파장의 EUV 광을 사용할 경우, Mo/Si 다층막은 약 70% 이상의 반사율을 가질 수 있으며, 이를 통해 원하는 패턴을 웨이퍼에 전사할 수 있습니다. 이러한 반사층은 기판 위에 직접 증착되지 않고, 그 앞에 완충층(Buffer Layer)이나 근사층(Buffer Layer)과 같은 역할을 하는 추가적인 박막층들이 존재할 수 있습니다. 이러한 중간층들은 반사층의 결정성을 향상시키거나, 반사층과 기판 간의 열팽창 계수 차이로 인한 스트레스를 완화하는 등의 역할을 수행합니다. 기판(Substrate)은 마스크 블랭크의 근간을 이루는 가장 기본적인 부분입니다. 일반적인 포토마스크에서 유리 기판을 사용하는 것과는 달리, EUV 마스크 블랭크는 EUV 광의 흡수를 최소화하고 높은 평탄도를 유지해야 하기 때문에 특수한 소재로 제작됩니다. 주로 석영(Quartz)이나 기타 세라믹 소재가 사용되며, 극도로 높은 평탄도와 표면 거칠기가 요구됩니다. 이는 EUV 광의 회절이나 산란을 최소화하여 선명한 패턴 형성을 보장하기 위함입니다. EUV 마스크는 웨이퍼에 직접 접촉하지 않고 공간 상에서 패턴을 전사하기 때문에, 마스크의 평탄도가 집적도와 직결됩니다. 마지막으로, 마스크 블랭크 표면에는 마스크 패턴 제작 과정에서 사용될 감광 물질(Photoresist)이나 반사층 패턴을 형성하기 위한 보호층(Passivation Layer) 등이 추가될 수 있습니다. 이러한 추가적인 층들은 마스크 제작 공정의 효율성과 정확성을 높이는 데 기여합니다. **EUV 마스크 블랭크의 특징** EUV 마스크 블랭크는 일반적인 포토마스크와 비교하여 매우 엄격한 요구사항을 충족해야 합니다. 가장 두드러지는 특징은 다음과 같습니다. * **높은 반사율 및 흡수율 제어:** 앞서 언급했듯이, EUV 광은 투과되지 않고 대부분 흡수되거나 산란됩니다. 따라서 마스크 블랭크의 반사층은 EUV 광을 최대한 반사하면서도 특정 패턴 영역에서는 흡수시켜야 합니다. 이를 위해 Mo/Si 다층막의 두께, 적층 수, 계면 특성 등을 정밀하게 제어하여 특정 파장에서의 반사율을 극대화하고, 패턴이 없는 영역에서는 빛을 효과적으로 흡수하거나 산란시켜야 합니다. * **극도로 높은 평탄도 및 표면 거칠기:** EUV 리소그래피는 매우 짧은 파장의 빛을 사용하기 때문에, 마스크 표면의 미세한 요철이나 불균일성도 패턴 왜곡으로 이어질 수 있습니다. 따라서 EUV 마스크 블랭크는 나노미터 수준의 매우 높은 평탄도와 극도로 낮은 표면 거칠기를 요구합니다. 이는 기판 제조 단계부터 박막 증착, 표면 연마 등 모든 공정에서 철저하게 관리되어야 합니다. * **결함 밀도 최소화:** 마스크 블랭크에 존재하는 미세한 결함은 곧바로 웨이퍼에 전사되어 반도체 칩의 불량으로 이어집니다. EUV 리소그래피는 고감도 공정이기 때문에, 마스크 블랭크에 존재하는 입자, 핀홀(pinhole), 불순물 등의 결함은 치명적일 수 있습니다. 따라서 수십억 개의 패턴을 정확하게 구현해야 하는 현대 반도체 공정에서는 결함이 없는 마스크 블랭크의 제작이 매우 중요합니다. * **내구성 및 안정성:** EUV 광은 높은 에너지를 가지고 있으며, 마스크 블랭크는 수십만 회 이상의 반복적인 공정에 사용됩니다. 따라서 마스크 블랭크 소재는 EUV 광에 의한 손상을 최소화하고, 공정 중 발생하는 열이나 화학 물질에 대해서도 안정적인 성능을 유지해야 합니다. 또한, 환경 변화(온도, 습도 등)에 따른 물성 변화도 최소화되어야 합니다. * **가공성 및 패턴 구현 용이성:** 마스크 블랭크는 다양한 전자빔 식각(E-beam lithography) 등의 방법을 통해 정밀한 패턴으로 가공됩니다. 따라서 마스크 블랭크의 각 층은 이러한 패턴 형성 공정에 적합한 특성을 가지고 있어야 하며, 식각 공정 시 높은 선택비(selectivity)와 정확도를 보장해야 합니다. **EUV 마스크 블랭크의 종류 (넓은 의미의 분류)** EUV 마스크 블랭크는 그 자체로도 여러 가지 재료와 구조를 가질 수 있지만, 더 넓은 의미에서 EUV 리소그래피에 사용되는 마스크는 크게 두 가지 유형으로 나눌 수 있습니다. * **반사형 마스크 (Reflective Mask):** 현재 가장 보편적으로 사용되는 EUV 마스크 블랭크는 반사형 마스크를 제작하기 위한 기초 재료입니다. 위에서 설명한 Mo/Si 다층막을 기반으로 하며, 원하는 회로 패턴에 따라 반사율을 조절하거나 빛을 흡수하는 영역을 형성하여 패턴을 전사합니다. 이 경우, 마스크 블랭크는 패턴이 없는 평탄한 상태로 공급되고, 마스크 제작 업체에서 전자빔 식각 등을 통해 실제 마스크 패턴을 형성하게 됩니다. * **흡수형 마스크 (Absorptive Mask):** 이론적으로는 EUV 광을 흡수하는 물질로 패턴을 직접 형성하는 흡수형 마스크도 고려될 수 있습니다. 하지만 현재 기술로는 EUV 광을 효과적으로 흡수하면서도 미세한 패턴을 정밀하게 구현하기 위한 적합한 소재가 제한적이며, 공정상의 어려움도 존재하여 아직 상용화 단계는 아닙니다. 따라서 일반적으로 ‘EUV 마스크 블랭크’라고 할 때는 반사형 마스크 제작을 위한 **Mo/Si 다층막 기반의 블랭크**를 지칭하는 경우가 대부분입니다. **EUV 마스크 블랭크 관련 기술** EUV 마스크 블랭크의 성능 향상과 양산화를 위해서는 다양한 첨단 기술들이 융합되어야 합니다. * **박막 증착 기술:** 고품질의 Mo/Si 다층막을 균일하고 정밀하게 증착하기 위한 기술이 필수적입니다. 이를 위해 스퍼터링(Sputtering)과 같은 물리적 증착 방식이 주로 사용되며, 다층막의 두께를 원자층 단위로 제어하고 계면에서의 혼합(intermixing)을 최소화하는 기술이 중요합니다. 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)과 같은 기술들도 특정 층의 증착에 활용될 수 있습니다. * **표면 처리 및 연마 기술:** 마스크 블랭크의 극도로 높은 평탄도를 확보하기 위해 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)와 같은 정밀 연마 기술이 적용됩니다. 또한, 증착 과정에서 발생할 수 있는 표면 결함을 제거하거나 표면 특성을 개선하기 위한 다양한 표면 처리 기술이 연구되고 있습니다. * **결함 검출 및 제어 기술:** 마스크 블랭크에 존재하는 미세한 결함을 조기에 발견하고 이를 효과적으로 제어하는 기술은 수율 향상에 직결됩니다. EUV 파장 대역의 빛을 이용하여 마스크 블랭크 표면을 스캔하는 결함 검출 장비와 함께, 결함을 사전에 방지하거나 제거하는 기술이 중요하게 다루어집니다. * **계측 및 분석 기술:** 증착된 박막의 두께, 조성, 구조, 표면 거칠기 등을 정밀하게 측정하고 분석하는 기술은 공정 최적화와 품질 관리에 필수적입니다. X선 반사율(XRR), 투과전자현미경(TEM), 원자간 힘 현미경(AFM) 등 다양한 분석 장비가 활용됩니다. * **신소재 개발:** 현재의 Mo/Si 다층막 외에도, 더 높은 반사율을 가지거나 특정 파장에서의 성능이 우수한 새로운 반사 소재 및 구조에 대한 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 또한, 마스크 블랭크 기판 소재나 완충층 소재에 대한 개선을 통해 전반적인 성능 향상을 꾀하고 있습니다. **결론** EUV 마스크 블랭크는 극자외선 리소그래피 기술의 핵심적인 기반 소재로서, 반도체 산업의 발전에 지대한 영향을 미치고 있습니다. 매우 정밀한 박막 증착, 표면 처리, 결함 제어 기술의 집약체이며, 끊임없는 연구 개발을 통해 성능 향상과 양산 기술 확보가 이루어지고 있습니다. EUV 마스크 블랭크의 발전은 차세대 고성능 반도체 구현을 위한 중요한 열쇠이며, 앞으로도 관련 기술 발전이 가속화될 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 EUV 마스크 블랭크 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JL1280) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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