| ■ 영문 제목 : Giant Magneto Resistance Based Devices (GMRs) Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22459 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장을 대상으로 합니다. 또한 거대 자기 저항 장치(GMR)의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장은 데이터 저장, 전기 자동차, 공업용 모터, 반도체 레이저, 마이크로파 장치, 양자 컴퓨팅, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
거대 자기 저항 장치(GMR) 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 시계 방향 회전, 반시계 방향 회전), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 거대 자기 저항 장치(GMR)에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
거대 자기 저항 장치(GMR) 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 시계 방향 회전, 반시계 방향 회전
■ 용도별 시장 세그먼트
– 데이터 저장, 전기 자동차, 공업용 모터, 반도체 레이저, 마이크로파 장치, 양자 컴퓨팅, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Advanced MicroSensors, Corporation, Applied Spintronics Technology, Atomistix A/S, Crocus Technology, Everspin Technologies, Freescale Semiconductor, Intel Corporation, NVE Corporation, Organic Spintronics s.r.l, QuantumWise A/S, Rhomap Ltd, Spin Transfer Technologies, Spintronics International Pte
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 거대 자기 저항 장치(GMR)의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장 규모
3 장 : 거대 자기 저항 장치(GMR) 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Advanced MicroSensors, Corporation, Applied Spintronics Technology, Atomistix A/S, Crocus Technology, Everspin Technologies, Freescale Semiconductor, Intel Corporation, NVE Corporation, Organic Spintronics s.r.l, QuantumWise A/S, Rhomap Ltd, Spin Transfer Technologies, Spintronics International Pte Advanced MicroSensors Corporation Applied Spintronics Technology 8. 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 거대 자기 저항 장치(GMR) 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 거대 자기 저항 장치(GMR) 세그먼트, 2023년 - 용도별 거대 자기 저항 장치(GMR) 세그먼트, 2023년 - 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장 개요, 2023년 - 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출, 2019-2030 - 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량: 2019-2030 - 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 거대 자기 저항 장치(GMR) 가격 - 글로벌 용도별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 거대 자기 저항 장치(GMR) 가격 - 지역별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 지역별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 지역별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 미국 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 캐나다 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 멕시코 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 유럽 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 독일 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 프랑스 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 영국 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 이탈리아 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 러시아 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 아시아 지역별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 중국 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 일본 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 한국 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 동남아시아 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 인도 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 남미 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 브라질 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 아르헨티나 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 거대 자기 저항 장치(GMR) 판매량 시장 점유율 - 터키 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 이스라엘 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 사우디 아라비아 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 아랍에미리트 거대 자기 저항 장치(GMR) 시장규모 - 글로벌 거대 자기 저항 장치(GMR) 생산 능력 - 지역별 거대 자기 저항 장치(GMR) 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 거대 자기 저항 장치(GMR) 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 거대 자기 저항(Giant Magneto Resistance, GMR) 현상은 두 개의 강자성체 층 사이에 얇은 비자성 금속 층이 삽입된 구조에서 외부 자기장의 변화에 따라 전기 저항이 크게 변화하는 물리적 현상을 의미합니다. 이러한 GMR 현상을 활용하는 장치를 GMR 장치라고 합니다. GMR 현상은 1988년 페터 그륀베르크와 알베르 푸르에 의해 독립적으로 발견되었으며, 이 공로로 두 과학자는 2007년 노벨 물리학상을 수상하게 되었습니다. GMR 장치의 근본적인 작동 원리는 스핀 의존적 산란(spin-dependent scattering)이라는 양자 역학적 현상에 기반합니다. 일반적인 금속에서는 전자가 전기 전도에 참여할 때 전자 스핀과는 무관하게 산란이 일어나지만, GMR 구조에서는 강자성체 층의 자기화 방향에 따라 전자의 스핀이 특정 방향으로 정렬되어 이동할 때 발생하는 산란 정도가 달라집니다. GMR 장치의 일반적인 구조는 강자성체 층과 비자성 금속 층이 주기적으로 쌓여있는 초격자(superlattice) 구조를 가집니다. 예를 들어, 강자성체(F)/비자성 금속(N) 구조에서 F층은 자화 방향이 고정된 층(고정층, fixed layer)과 외부 자기장에 의해 자화 방향이 쉽게 바뀌는 층(자유층, free layer)으로 구분됩니다. 이 두 강자성체 층 사이에 얇은 비자성 금속(주로 구리, 금, 은 등) 층이 삽입됩니다. 외부 자기장이 없을 때, 자유층과 고정층의 자기화 방향이 평행한 경우, 전자의 스핀이 고정층을 통과할 때 산란이 적게 일어나 전기 저항이 낮습니다. 반대로, 자유층과 고정층의 자기화 방향이 반평행한 경우, 스핀에 따라 산란되는 정도가 달라지면서 전기 저항이 크게 증가합니다. 즉, 외부 자기장의 세기를 조절하여 자유층의 자기화 방향을 변화시킴으로써 저항 값을 제어할 수 있습니다. 이러한 저항 값의 변화율이 일반적인 자기 저항 효과보다 훨씬 크기 때문에 "거대"라는 수식어가 붙습니다. GMR 장치는 그 구조에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 다층막(multilayers) 구조이고, 두 번째는 스핀 밸브(spin valves) 구조입니다. 다층막 구조는 앞서 설명한 것처럼 강자성체와 비자성 금속 층이 주기적으로 반복되는 형태입니다. 이러한 구조에서는 자유층과 고정층의 자기화 방향이 외부 자기장의 세기에 따라 상대적으로 같은 방향 또는 반대 방향으로 정렬됩니다. 이때, 자기 저항 변화율은 두 강자성체 층의 자기화 방향 배열에 의존합니다. 스핀 밸브 구조는 다층막 구조의 변형으로, 두 개의 강자성체 층 사이에 얇은 비자성 금속 층이 있고, 이 비자성 금속 층 위에 다시 비자성 금속 또는 반자성체 층이 삽입되는 형태를 가집니다. 여기서 중요한 점은 두 강자성체 층의 자기화 방향을 독립적으로 제어할 수 있다는 것입니다. 하나는 자유롭게 변하는 자유층이고, 다른 하나는 고정층입니다. 더 나아가, 스핀 밸브 구조에서는 반자성체(antiferromagnetic) 층을 이용하여 고정층의 자기화 방향을 특정 방향으로 고정시키는데, 이를 "초고정(exchange bias)"이라고 합니다. 이를 통해 외부 자기장에 대한 감도를 더욱 높일 수 있습니다. 스핀 밸브 구조는 다층막 구조보다 더 큰 자기 저항 변화율을 제공하며, 낮은 자기장에서도 작동할 수 있어 실제 응용에 더 적합합니다. GMR 장치의 가장 대표적인 용도는 자기 기록 매체에서 자기 신호를 읽어내는 헤드 부분입니다. 기존의 자기 디스크 드라이브에서는 자기장의 변화를 읽어내기 위해 패러데이 법칙에 기반한 유도 코일을 사용했습니다. 하지만 유도 코일은 자기장의 세기가 약해질수록 신호의 감도가 떨어지고, 디스크의 저장 밀도가 높아질수록 미세한 자기장 변화를 감지하는 데 한계가 있었습니다. GMR 헤드는 이러한 한계를 극복했습니다. 매우 작은 자기장 변화에도 큰 전기 저항 변화를 일으키므로, 디스크 표면에 기록된 미세한 자기 패턴을 매우 높은 감도로 읽어낼 수 있습니다. 이로 인해 하드 디스크 드라이브의 저장 용량을 획기적으로 증가시킬 수 있었습니다. GMR 헤드의 등장으로 하드 디스크 드라이브의 저장 밀도는 수십 배 이상 증가하였고, 현재까지도 그 기술은 계속 발전하고 있습니다. GMR 장치는 자기 기록 매체 외에도 다양한 분야에서 응용됩니다. 예를 들어, 차량의 속도를 측정하는 센서로 사용될 수 있습니다. 바퀴에 부착된 자석이 회전하면서 GMR 센서에 자기장을 변화시키고, 이 변화를 감지하여 바퀴의 회전 속도를 측정합니다. 또한, 산업 현장에서의 위치 감지 센서, 비접촉식 스위치, 자기 센서 등에도 활용됩니다. 최근에는 생체 자기 신호를 측정하는 데에도 GMR 기술이 적용되는 연구가 진행되고 있습니다. 심장 박동이나 뇌 활동과 같은 미세한 자기 신호를 감지하는 데 GMR의 높은 감도가 활용될 가능성이 있습니다. GMR 현상과 관련하여 더욱 발전된 기술로는 거대 자기 임피던스(Giant Magnetoimpedance, GMI) 효과와 터널 자기 저항(Tunnel Magneto Resistance, TMR) 효과가 있습니다. 거대 자기 임피던스(GMI) 효과는 자기 전도성 합금 와이어나 박막에서 자기장의 변화에 따라 전체 임피던스가 크게 변화하는 현상입니다. GMR 현상이 주로 층간 전자 산란에 기반한다면, GMI 효과는 와이어 내부의 전류 분포 변화와 관련이 있습니다. GMI 효과는 GMR 효과보다 더 높은 감도와 더 넓은 주파수 응답 범위를 가질 수 있어, 미세 자기장 측정 및 고속 신호 처리 분야에서 주목받고 있습니다. 터널 자기 저항(TMR) 효과는 두 개의 강자성체 층 사이에 매우 얇은 절연체(터널링 장벽) 층이 삽입된 구조에서 발생하는 자기 저항 효과입니다. GMR 효과와 마찬가지로 두 강자성체 층의 자기화 방향에 따라 전자 스핀이 터널링 장벽을 통과하는 확률이 달라져 전기 저항이 변화합니다. TMR은 GMR보다 훨씬 큰 자기 저항 변화율을 제공할 수 있으며, 절연체 장벽을 통해 전자가 터널링하기 때문에 양자 역학적인 효과가 더욱 강하게 나타납니다. 이러한 TMR 효과를 이용하는 장치를 TMR 장치라고 하며, 이는 차세대 자기 메모리 소자인 MRAM(Magnetoresistive Random-Access Memory)의 핵심 기술로 사용되고 있습니다. GMR 장치는 MRAM 기술 개발의 기반이 되었으며, 현재는 TMR 장치가 더 높은 성능을 제공하며 그 자리를 이어받고 있습니다. GMR 기술의 개발은 나노 기술 및 박막 증착 기술의 발전과 밀접하게 연관되어 있습니다. 고품질의 GMR 소자를 제작하기 위해서는 원자 수준으로 제어되는 얇은 금속 박막을 정밀하게 증착하는 기술이 필수적입니다. 스퍼터링(sputtering), 분자빔 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy, MBE)와 같은 기술들이 GMR 소자 제작에 사용됩니다. 또한, 자기 패턴을 미세하게 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 기술 등도 함께 발전하여 GMR 헤드의 성능 향상에 기여했습니다. 요약하자면, GMR 장치는 두 강자성체 층 사이의 비자성 금속 층에서 발생하는 스핀 의존적 산란 현상을 이용하는 소자입니다. 외부 자기장의 변화에 따라 전자의 스핀 방향에 따라 산란 정도가 달라져 전기 저항이 크게 변하는 특징을 가집니다. 다층막 구조와 스핀 밸브 구조가 있으며, 특히 하드 디스크 드라이브의 읽기 헤드로서 저장 용량을 획기적으로 증가시키는 데 중요한 역할을 했습니다. 또한, 센서, 스위치 등 다양한 분야에서 응용되고 있으며, GMI 및 TMR과 같은 더 발전된 자기 저항 효과 기술 개발의 토대가 되었습니다. GMR 기술의 발전은 나노 기술 및 박막 증착 기술의 동반 성장을 이루어냈다고 할 수 있습니다. |
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